Diodo de emisión infrarrojo de alta velocidad del diodo de VSLB3940 SMD LED, RoHS obediente, 940 nanómetro, GaAlAs, DDH
led diode smd
,led diode strip
Diodo de emisión infrarrojo de alta velocidad, RoHS obediente, 940 nanómetro, GaAlAs, DDH
CARACTERÍSTICAS
• Tipo del paquete: plomado
• Forma del paquete: T-1, epóxido claro
• Dimensiones: Ø 3 milímetros
• Longitud de onda máxima: λp = 940 nanómetro
• Velocidad • Alto poder radiante
• Alta intensidad radiante
• Ángulo de la intensidad baja: ϕ = ± 22°
• Voltaje delantero bajo
• Conveniente para la operación actual del alto pulso
• El buen hacer juego espectral a los fotodetectores del Si
• Ventaja (Pb) - componente libre
• Ventaja (Pb) - componente libre de acuerdo con RoHS 2002/95/EC y WEEE 2002/96/EC
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS
| PARÁMETRO | CONDICIÓN DE PRUEBA | SÍMBOLO | VALOR | UNIDAD |
| Voltaje reverso | VR | 5 | V | |
| Corriente delantera | SI | 100 | mA | |
| Pico adelante actual | tp/T = 0,1, tp = 100 µs | IFM | 1,0 | |
| Afloje adelante actual | tp = 100 µs | IFSM | 1,5 | |
| Disipación de poder | Picovoltio | 160 | mW | |
| Temperatura de empalme | Tj | 100 | °C |
Diodo de emisión infrarrojo de alta velocidad, RoHS obediente, 940 nanómetro, GaAlAs, DDH
LISTA COMÚN
| PM200CBS060 | 200 | MITSUBISH | 04+ | MOUDLE |
| LT1167CS8 | 8718 | LINEAR | 16+ | SOP-8 |
| PEB4266VV1.2 | 5900 | 15+ | QFN | |
| MC55I | 356 | CINTERION | 15+ | GPRS |
| LNK302PN | 4654 | PODER | 15+ | DIP-7 |
| PEB20570FV3.1 | 5700 | 15+ | QFP | |
| LM2594M-12 | 3000 | NSC | 15+ | SOP-8 |
| LTC5532ES6 | 6155 | LT | 16+ | BORRACHÍN |
| OP77AZ/883 | 6340 | ANUNCIO | 16+ | CDIP |
| M27W401-80N6 | 3906 | ST | 16+ | TSOP |
| MAX547ACQH | 1520 | MÁXIMA | 15+ | PLCC |
| LMV931MFX | 6380 | NSC | 15+ | SOT-23 |
| LMC6482IM | 4926 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| MAX14803CCM | 5500 | MÁXIMA | 15+ | QFP |
| PIC16F77-I/PT | 4978 | MICROCHIP | 16+ | TQFP |
| LM2937ES-3.3 | 6846 | NSC | 14+ | TO-263 |

