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Diodo de emisión infrarrojo de alta velocidad del diodo de VSLB3940 SMD LED, RoHS obediente, 940 nanómetro, GaAlAs, DDH

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Infrared (IR) Emitter 940nm 1.15V 100mA 32mW/sr @ 100mA 44° Radial
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
VR:
5 V
IF:
100 mA
IFM:
1.0 A
IFSM:
1.5 A
PV:
160 mW
Punto culminante:

led diode smd

,

led diode strip

Introducción



Diodo de emisión infrarrojo de alta velocidad, RoHS obediente, 940 nanómetro, GaAlAs, DDH


CARACTERÍSTICAS
• Tipo del paquete: plomado
• Forma del paquete: T-1, epóxido claro
• Dimensiones: Ø 3 milímetros
• Longitud de onda máxima: λp = 940 nanómetro
• Velocidad • Alto poder radiante
• Alta intensidad radiante
• Ángulo de la intensidad baja: ϕ = ± 22°
• Voltaje delantero bajo
• Conveniente para la operación actual del alto pulso
• El buen hacer juego espectral a los fotodetectores del Si
• Ventaja (Pb) - componente libre
• Ventaja (Pb) - componente libre de acuerdo con RoHS 2002/95/EC y WEEE 2002/96/EC

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS

PARÁMETROCONDICIÓN DE PRUEBA SÍMBOLOVALORUNIDAD
Voltaje reverso VR5V
Corriente delantera SI100 mA
Pico adelante actualtp/T = 0,1, tp = 100 µsIFM1,0
Afloje adelante actualtp = 100 µsIFSM 1,5
Disipación de poder Picovoltio160mW
Temperatura de empalme Tj100°C


Diodo de emisión infrarrojo de alta velocidad, RoHS obediente, 940 nanómetro, GaAlAs, DDH

LISTA COMÚN

PM200CBS060200MITSUBISH04+MOUDLE
LT1167CS88718LINEAR16+SOP-8
PEB4266VV1.25900 15+QFN
MC55I356CINTERION15+GPRS
LNK302PN4654PODER15+DIP-7
PEB20570FV3.15700 15+QFP
LM2594M-123000NSC15+SOP-8
LTC5532ES66155LT16+BORRACHÍN
OP77AZ/8836340ANUNCIO16+CDIP
M27W401-80N63906ST16+TSOP
MAX547ACQH1520MÁXIMA15+PLCC
LMV931MFX6380NSC15+SOT-23
LMC6482IM4926NSC14+SOP-8
MAX14803CCM5500MÁXIMA15+QFP
PIC16F77-I/PT4978MICROCHIP16+TQFP
LM2937ES-3.36846NSC14+TO-263

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