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Hogar > productos > chips CI electrónicos > LTST - el poder más elevado de C190KRKT llevó el microprocesador ultra brillante del diodo SMD AlInGap

LTST - el poder más elevado de C190KRKT llevó el microprocesador ultra brillante del diodo SMD AlInGap

LTST - el poder más elevado de C190KRKT llevó el microprocesador ultra brillante del diodo SMD AlInGap
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fabricante:
Fabricante
Descripción:
Red 631nm LED Indication - Discrete 2V 0603 (1608 Metric)
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Supply Voltage (V+ - V− ):
13.2V
Voltage at Input pins:
V+ +0.5V, V− −0.5V
Soldering Information:
235˚C
Wave Soldering (10 sec.):
260˚C
Punto culminante:

led diode smd

,

led diode za tablice

Introducción

Características

* estupendo enrarezca (0.80H milímetro) el microprocesador LED.

* microprocesador ultra brillante LED de AlInGaP.

* paquete en cinta de 8m m en 7" carretes del diámetro.

* compatible con el equipo automático de la colocación.

* compatible con infrarrojo y proceso de la soldadura del flujo de la fase de vapor.

* paquete del EIA STD.

* I.C. compatible.

Limpieza

No utilice el líquido químico sin especificar para limpiar el LED que podrían dañar el paquete. Si es limpio es necesario, sumerge el LED en alcohol etílico o en el alcohol isopropilo en la temperatura normal para menos un minuto.

Grados máximos absolutos en Ta=25℃

Parámetro LTST-C171KGKT
Disipación de poder 75 mW
Corriente delantera máxima 80 mA
Corriente delantera continua 30 mA
El reducir la capacidad normal linear de 25℃ 0,4 mA/℃
Voltaje reverso 5 V
Gama de temperaturas de funcionamiento -55℃ a + 85℃
Gama de temperaturas de almacenamiento -55℃ a + 85℃

Curvas de características eléctricas/ópticas típicas

(temperatura ambiente de 25 °C a menos que se indicare en forma diferente)

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