Transistores del MOSFET del poder de NTMD6N02R2G 6,0 amperios, 20 voltios de paquete dual SO−8 del chip CI de N−Channel del modo electrónico del aumento
fabricante:
Semi / Semi catalizador
Descripción:
Soporte superficial 8-SOIC del arsenal 20V 3.92A 730mW del Mosfet
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de Drain−to−Source:
20 V
Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento:
−55 a +150°C
Voltaje de Drain−to−Gate:
20 V
Temperatura máxima de la ventaja:
260°C
Punto culminante:
thyristor diode module
,low voltage power mosfet
Introducción
Transistores del MOSFET del poder de NTMD6N02R2G 6,0 amperios, 20 voltios
Características
• RDS ultrabajo (encendido)
• Vida de batería de una eficacia que extiende más alta
• Impulsión de la puerta del nivel de la lógica
• Paquete superficial dual miniatura del soporte SOIC−8
• El diodo exhibe la recuperación de alta velocidad, suave
• La energía de la avalancha especificó
• SOIC−8 que monta la información proporcionada
• El paquete de Pb−Free está disponible
Usos
• Convertidores de DC−DC
• Control de motor de la baja tensión
• Gestión del poder en los productos portátiles y de Battery−Powered, por ejemplo, ordenadores, impresoras, celular y teléfonos inalámbricos y tarjetas de PCMCIA
GRADOS MÁXIMOS (TJ = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)
| Grado | Símbolo | Valor | Unidad |
| Voltaje de Drain−to−Source | VDSS | 20 | V |
| Voltaje de Drain−to−Gate (RGS = 1,0 M) | VDGR | 20 | V |
| − del voltaje de Gate−to−Source continuo | VGS | 12 | V |
| Resistencia termal, Junction−to−Ambient Disipación de poder total Dren continuo Current@ TA = 25°C Dren continuo Current@ TA = 70°C Corriente pulsada del dren |
RJA Paladio Identificación Identificación IDM |
62,5 2,0 6,5 5,5 50 |
°C/W W |
GRADOS MÁXIMOS (TJ = 25°C a menos que se indicare en forma diferente) (continuado)
| Grado | Símbolo | Valor | Unidad |
| Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento | TJ, Tstg | −55 a +150 | °C |
| Solo − de la energía de la avalancha de Drain−to−Source del pulso que comienza TJ = 25°C (VDD = 20 VDC, VGS = 5,0 VDC, pico IL = 6,0 Apk, L = 20 Mh, RG = 25) | EAS | 360 | mJ |
| Temperatura máxima de la ventaja para los propósitos que sueldan por 10 segundos | TL | 260 | °C |
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
| AT91SAM7S64C-AU | 3522 | ATMEL | 14+ | QFP |
| ATMEGA88PA-AU | 3554 | ATMEL | 14+ | QFP |
| BFG135 | 3586 | 14+ | SOT-223 | |
| BTA40-600B | 3618 | ST | 16+ | TO-3 |
| IR2184PBF | 3650 | IR | 16+ | DIP-8 |
| PIC18F452-I/P | 3682 | MICROCHIP | 13+ | QFP |
| PC-5P-3a1b-24V | 3714 | Panasonic | 15+ | |
| PIC18LF4520-I/PT | 3746 | MICROCHIP | 16+ | QFP |
| ADF4360-4BCPZ | 3778 | ANUNCIO | 16+ | LFCSP |
| ADM2483BRWZ | 3810 | ANUNCIO | 14+ | COMPENSACIÓN |
| BCM3349KFBG | 3842 | BROADCOM | 14+ | BGA |
| LMD18200T | 3874 | NS | 14+ | ZIP11 |
| USBN9603-28M | 3906 | NS | 16+ | SOP-28 |
| PIC18F2550-I/SP | 3938 | MICROCHIP | 16+ | DIP-28 |
| IRFP360 | 3970 | IR | 13+ | TO-247 |
| HCF4053BM1 | 4002 | ST | 15+ | COMPENSACIÓN |
| ADP3338AKC-1.8-RL7 | 4034 | ANUNCIO | 16+ | SOT-223 |
| BA3308F-E2 | 4066 | ROHM | 16+ | SOP-14 |
| SPW47N60C3 | 4098 | INF | 14+ | TO-247 |
| 6RI100G-160 | 4130 | FUJI | 14+ | MÓDULO |
| AD620AN | 4162 | ANUNCIO | 14+ | INMERSIÓN |
| AD8139ACPZ | 4194 | ANUNCIO | 16+ | QFN |
| ADC0804LCN | 4226 | NS | 16+ | INMERSIÓN |
| AT89S8253-24PU | 4258 | ATMEL | 13+ | INMERSIÓN |
| DF10S | 4290 | SEPT | 15+ | SMD-4 |
| FZT651TA | 4322 | ZETEX | 16+ | SOT223 |
| OPA4227PA | 4354 | BB | 16+ | INMERSIÓN |
| TMS320C50PQ80 | 4386 | TI | 14+ | QFP |
| Z85C3008PSC | 4418 | ZILOG | 14+ | DIP40 |
| GT60M104 | 4450 | TOS | 14+ | TO-3PL |
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