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Hogar > productos > chips CI electrónicos > Módulo de poder del mosfet IGBT del poder del st del módulo de poder del Mosfet de FGH40N60SMD

Módulo de poder del mosfet IGBT del poder del st del módulo de poder del Mosfet de FGH40N60SMD

Módulo de poder del mosfet IGBT del poder del st del módulo de poder del Mosfet de FGH40N60SMD
Módulo de poder del mosfet IGBT del poder del st del módulo de poder del Mosfet de FGH40N60SMD
fabricante:
Semi / Semi catalizador
Descripción:
Parada de campo de IGBT 600 V 80 A 349 W a través del agujero TO-247-3
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Colector al voltaje del emisor:
600 V
Puerta al voltaje del emisor:
± 20 V
Corriente de colector pulsada:
120 A
Corriente delantera máxima pulsada del diodo:
120 A
Temperatura de empalme de funcionamiento:
-55 a +175℃
Temperatura de almacenamiento:
-55 a +175℃
Punto culminante:

thyristor diode module

,

low voltage power mosfet

Introducción

FGH40N60SMDF

600V, parada de campo 40A IGBT

Características

• Temperatura de empalme máxima: TJ =175℃

• Coeficiente positivo de Temperaure para el funcionamiento paralelo fácil

• Capacidad de gran intensidad

• Voltaje de saturación bajo: VCE (se sentó) =1.9V (tipo.) @ IC = 40A

• Alta impedancia de entrada

• Transferencia rápida

• Apriete la distribución del parámetro

• RoHS obediente

Usos

• Inversor solar, UPS, SMPS, PFC

• Calefacción de inducción

Descripción general

Usando tecnología nueva de la parada de campo IGBT, las nuevas series de Fairchild de parada de campo IGBTs ofrecen el funcionamiento óptimo para los usos solares del inversor, de UPS, de SMPS, de IH y de PFC donde están esenciales la conducción baja y las pérdidas que cambian.

Grados máximos absolutos

Símbolo Descripción Grados Unidades
VCES Colector al voltaje del emisor 600 V
VGES Puerta al voltaje del emisor ± 20 V
IC Corriente de colector @ TC = 25℃ 80
Corriente de colector @ TC = 100℃ 40
ICM (1) Corriente de colector pulsada 120
SI Corriente delantera del diodo @ TC = 25℃ 40
Corriente delantera del diodo @ TC = 100℃ 20
IFM (1) Corriente delantera máxima pulsada del diodo 120
Paladio Disipación de poder máxima @ TC = 25℃ 349 W
Disipación de poder máxima @ TC = 100℃ 174 W
TJ Temperatura de empalme de funcionamiento -55 a +175 ℃
Tstg Gama de temperaturas de almacenamiento -55 a +175 ℃
TL

Temporeros máximos de la ventaja. para los propósitos que sueldan,

1/8" del caso por 5 segundos

 300 ℃

Notas: 1: Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
EL817B-F 12000 EL 16+ INMERSIÓN
EL817C-F 12000 EVERLIGHT 16+ INMERSIÓN
EL817S (A) (TA) - F 68000 EVERLIGHT 12+ SOP-4
EM639165TS-6G 7930 ETRONTECH 15+ TSOP-54
EM63A165TS-6G 13467 ETRONTECH 14+ TSOP-54
EM78P459AKJ-G 9386 EMC 15+ DIP-24
EMI2121MTTAG 5294 EN 15+ DFN
ENC28J60-I/SO 7461 MICROCHIP 16+ SOP-28
EP1C3T144C8N 3452 ALTERA 13+ QFP144
EP3C5F256C8N 2848 ALTERA 15+ BGA
EP3C80F780I7N 283 ALTERA 16+ BGA
EP9132 3575 EXPLORE 16+ TQFP-80
EPC1213LC-20 3527 ALT 03+ PLCC20
EPC1213PC8 8853 ALTERA 95+ DIP-8
EPC2LI20N 2794 ALTERA 13+ PLCC
EPM7032SLC44-10N 2472 ALTERA 13+ PLCC44
EPM7064SLC44-10N 2498 ATLERA 15+ PLCC
EPM7128SQC100-10N 1714 ALTERA 12+ QFP
ERA-1SM+ 3210 MINI 15+ SOT-86
ES1B-E3/61T 18000 VISHAY 14+ DO-214AC
ES2G-E3/52T 12000 VISHAY 16+ SMB
ES2J-E3/52T 12000 VISHAY 13+ DO-214AA
ES3J 12000 FSC 15+ SMC
ES56031S 3498 ES 16+ SOP-24
ESAD92-02 6268 FUIJ 16+ TO-3P
ESD112-B1-02EL E6327 23000 15+ TSLP-2-20
ESD5Z5.0T1G 9000 EN 13+ SOD-523
ESD5Z7.0T1G 12000 EN 16+ SOD-523
ESDA6V1SC5 51000 ST 15+ SOT23-5
ESP-12E 3991 AI 16+ SMT

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