Triac complementarios del módulo de poder del Mosfet de los transistores de poder del silicio de BTA40-600B 40A
thyristor diode module
,low voltage power mosfet
Serie BTA40, BTA41 y BTB41
TRIAC 40A
Características principales
| Símbolo | Valor | Unidad |
| LAS TIC (RMS) | 40 | |
| VDRM/VRRM | 600 y 800 | V |
| IGT (Q1) | 50 | mA |
DESCRIPCIÓN
Disponible en paquetes del poder más elevado, la serie de BTA/BTB40-41 es conveniente para la transferencia de fines generales de la CA. Pueden ser utilizados como función CON./DESC. en usos tales como retransmisiones estáticas, regulación de la calefacción, motor de inducción que enciende los circuitos… o para la operación de control de la fase en los amortiguadores ligeros, reguladores de la velocidad del motor,…
Los gracias a su técnica del montaje del clip, proporcionan un rendimiento superior en la sobretensión que maneja capacidades.
Usando un cojín de cerámica interno, la serie de BTA proporciona voltaje etiqueta aislada (clasificada en 2500VRMS) que cumple con los estándares de la UL (referencia del fichero.: E81734).
Grados máximos absolutos
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | ||
| LAS TIC (RMS) | Corriente del en-estado del RMS (onda sinusoidal completa) | RD91/TOP3 | Tc = 95°C | 40 | |
| Ins SUPERIOR. | Tc = 80°C | ||||
| ITSM | Corriente máxima del en-estado de la oleada no repetidor (ciclo completo, Tj = 25°C) inicial | F = 50 herzios | t = ms 20 | 400 | |
| F = 60 herzios | t = ms 16,7 | 420 | |||
| ² t de I | Yo valor del ² t para fundirse |
tp = ms 10 |
880 | Un ² s | |
| dI/dt | Índice crítico de subida del en-estado actual IG = 2 x IGT, ≤ 100 ns del tr | F = 120 herzios | Tj = 125°C | 50 | A/µs |
| VDSM/VRSM | Voltaje máximo del apagado-estado de la oleada no repetidor | tp = ms 10 | Tj = 25°C |
VDSM/VRSM + 100 |
V |
| IGM | Corriente máxima de la puerta | tp = 20 µs | Tj = 125°C | 8 | |
| PÁGINA (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | Disipación de poder media de la puerta | Tj = 125°C | 1 | W | |
|
Tstg Tj |
Gama de temperaturas de empalme del almacenamiento Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme |
- 40 a + 150 - 40 a + 125 |
°C | ||
(Aislado y no aislado) datos mecánicos del paquete TOP3
Datos mecánicos del paquete RD91
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Q'ty | MFG | D/C | Paquete |
| X9C104PIZ | 7680 | INTERSIL | 15+ | DIP-8 |
| PC354NJ0000F | 10000 | SOSTENIDO | 16+ | COMPENSACIÓN |
| X5043P | 3000 | INTERSIL | 13+ | DIP-8 |
| LMC7660IM | 3224 | NSC | 13+ | SOP-8 |
| MID400S | 6796 | FAIRCHILD | 12+ | SOP-8 |
| MAX3378EEUD+T | 12200 | MÁXIMA | 16+ | TSSOP |
| NTR4101PT1G | 40000 | EN | 16+ | SOT-23 |
| NCP1207APG | 10880 | EN | 13+ | INMERSIÓN |
| MOC3163SM | 5609 | FSC | 12+ | COMPENSACIÓN |
| PIC32MX460F512L-80I/PT | 900 | MICROCHIP | 14+ | TQFP-64 |
| LM4871MX | 4783 | NSC | 15+ | SOP-8 |
| L298HN | 2399 | ST | 14+ | CREMALLERA |
| NDS8434A | 10000 | FAIRCHILD | 16+ | SOP-8 |
| MC34166TVG | 3478 | EN | 16+ | TO-220 |
| MBRF20100CTG | 10000 | EN | 16+ | TO-220 |
| LT3591EDDB#TRMPBF | 13514 | LINEAR | 14+ | DFN |
| LM318MX | 2000 | NSC | 15+ | SOP-8 |
| NCP1117ST50T3G | 10000 | EN | 16+ | SOT-223 |
| MC33204DR2G | 5938 | EN | 16+ | COMPENSACIÓN |
| AT24C02B-PU | 2200 | ATMEL | 14+ | DIP-8 |
| LTC1665CGN#PBF | 5890 | LINEAR | 16+ | SSOP |
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC