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Módulos de poder del PUENTE la MONOFÁSICO del módulo de poder del Mosfet de VS-GBPC3512A

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.2 kV QC Terminal GBPC-A
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Junction temperature range:
-55 to 150 ℃
Storage temperature range:
-55 to 150 ℃
Approximate weight:
16 g
VRRM range:
200 to 1200 V
Maximum forward voltage drop:
1.1 V
Max. DC reverse current:
5.0 µA
Punto culminante:

low voltage power mosfet

,

hybrid inverter circuit

Introducción

Módulos de poder del PUENTE la MONOFÁSICO

Características

  • Universal, 3 terminales de la manera: empuje-en, envuelva alrededor o soldar
  • Alto paquete de la conductividad termal, eléctricamente - caja aislada
  • Los símbolos de la polaridad se moldean en el cuerpo de la caja plástica
  • Fijación de centro del agujero
  • Microprocesadores apaciguados de cristal del diodo
  • Ratio excelente del volumen del poder
  • Terminales niquelados convenientes para soldar de alta temperatura en 250 - 260°C tiempo máximo 8 - 10 segundos
  • Versión de la ventaja de alambre disponible
  • La UL E 62320 aprobó

Descripción

Una gama de puentes rectificadores extremadamente compactos, encapsulados la monofásico que ofrecen la operación eficiente y confiable. Se piensan para el uso en usos de los fines generales y de la instrumentación.

Major Ratings y características

Parámetros GBPC25 GBPC35 Unidades
IO 25 35
@ TC 60 55
YO FSM @50Hz 400 475
@ 60Hz 420 500
I 2 t @ 50Hz 790 1130 2 s
@ 60Hz 725 1030 2 s
Gama de VRRM 200 a 1200 V
TJ -55 a 150

Tabla del esquema

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