Módulo de poder del Mosfet BNX016-01 SMD/EMI Suppression Filters en bloques IC Chip Module
low voltage power mosfet
,hybrid inverter circuit
●Grado
No utilice los productos más allá del voltaje actual y clasificado clasificado como esto puede crear excesivo
calor y deteriorar la resistencia de aislamiento.
●Almacenamiento y condiciones de funcionamiento
No utilice los productos en una atmósfera química tal como gas del cloro, ácido o gas del sulfuro.
No utilice los productos en el ambiente cerca del solvente orgánico.
1. Período de almacenamiento
La serie de BNX se debe utilizar en el plazo de 12 meses.
Solderability debe ser comprobado si se excede este período.
2. Condiciones de almacenamiento
(1) temperatura de almacenamiento: -10 a +40˚C
Humedad relativa: 15 a los 85% evitan cambios súbitos en temperatura y humedad.
(2) no almacena productos en una atmósfera química tal como gas del cloro, ácido o gas del sulfuro.
●Aviso (que suelda y que monta)
1. Limpieza
No limpie la serie de BNX (tipo de SMD).
Antes de la limpieza, entre en contacto con por favor la ingeniería de Murata.
2. El soldar
Disminuciones de la confiabilidad con métodos que sueldan incorrectos.
Suelde por favor por las condiciones que sueldan estándar mostradas en la información del montaje.
3. Otro
Niveles de la supresión del ruido resultando de los filtros EMIFILr de la supresión de la EMI de Murata
puede variar, dependiendo de los circuitos y los ICs utilizaron, tipo de ruido, montaje
modelo, montando la ubicación, y otras condiciones de funcionamiento. Esté seguro de comprobar y
confirme por adelantado el efecto de la supresión del ruido de cada filtro, en real
circuitos, etc. antes de aplicar el filtro en un diseño del equipo del comercial-propósito.
■Características de la pérdida de inserción
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC