Enviar mensaje
Hogar > productos > Chip CI de memoria Flash > 50 TRIAC nuevos y originales BTA40-600B del módulo de poder del Mosfet del mA 40A

50 TRIAC nuevos y originales BTA40-600B del módulo de poder del Mosfet del mA 40A

fabricante:
Fabricante
Descripción:
TRIAC Standard 600 V 40 A Chassis Mount RD91
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
IT(RMS):
40 A
VDRM/VRRM:
600 and 800 V
IGT (Q1):
50 mA
IGM:
8 A
PG(AV):
1 W
I t:
880 A s
Punto culminante:

low voltage power mosfet

,

hybrid inverter circuit

Introducción


TRIAC 40A

CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES:

Símbolo Valor Unidad
LAS TIC (RMS) 40
VDRM/VRRM 600 y 800 V
IGT (Q1) 50 mA


DESCRIPCIÓN
Disponible en paquetes del poder más elevado, la serie de BTA/BTB40-41 es conveniente para la transferencia de fines generales de la corriente ALTERNA. Pueden ser utilizados como función CON./DESC. en usos tales como retransmisiones estáticas, regulación de la calefacción, calentadores de agua, motor de inducción que enciende los circuitos, equipo de soldadura… o para la operación de control de la fase en los reguladores de la velocidad del motor del poder más elevado, circuitos suaves del comienzo…

Los gracias a su técnica del montaje del clip, proporcionan un rendimiento superior en la sobretensión que maneja capacidades.

Usando un cojín de cerámica interno, la serie de BTA proporciona voltaje etiqueta aislada (clasificada en 2500 V RMS) que cumple con los estándares de la UL (referencia del fichero.: E81734).


GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS

Símbolo Parámetro Valor Unidad

LAS TIC (RMS)

Corriente del en-estado del RMS
(onda sinusoidal completa)

RD91 Tc = 80°C 40
TOP3
Ins TOP3. Tc = 70°C
ITSM

En-estado máximo de la oleada no repetidor
actual (ciclo completo, Tj = 25°C) inicial

F = 60 herzios t = ms 16,7 420
F = 50 herzios t = ms 20 400
Él Yo valor de t para fundirse tp = ms 10 880 Un s
dI/dt

Índice crítico de subida de la corriente del en-estado
IG =2xIGT, ≤ 100 ns del tr

F = 120 herzios Tj = 125°C 50 A/µs
VDSM/VRSM Voltaje máximo del apagado-estado de la oleada no repetidor tp = ms 10 Tj = 25°C

VDRM/VRRM
+ 100

V
IGM Corriente máxima de la puerta tp = 20 µs Tj = 125°C 8 V
PÁGINA (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) Disipación de poder media de la puerta Tj = 125°C 1 W

Tstg
Tj

Gama de temperaturas de empalme del almacenamiento
Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme

- 40 a + 150
- 40 a + 125

°C



CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Tj = 25°C, salvo especificación de lo contrario)

Símbolo Condiciones de prueba Cuadrante Valor Unidad
IGT (1) VD = 12 V RL = Ω 33

I - II - III
IV

MÁXIMO.

50
100

mA

VGT TODOS MÁXIMO. 1,3 V
VGD VD = VDRM RL = kΩ 3,3 Tj = 125°C TODOS MÍNIMO. 0,2 V
IH (2) Las TIC = 500 mA MÁXIMO. 80 mA
IL IG = 1,2 IGT

I - III - IV
II

MÁXIMO.

70
160

mA
dV/dt (2) VD del = puerta Tj = 125°C abiertos 67% VDRM MÍNIMO. 500 V/µs
(dV/dt) c (2) (dI/dt) c = 20 A/ms Tj = 125°C MÍNIMO. 10 V/µs

PRODUCTOS RELACIONADOS
Imagen parte # Descripción
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 existencias nuevas y originales

SKY65336-11 existencias nuevas y originales

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
5pcs