50 TRIAC nuevos y originales BTA40-600B del módulo de poder del Mosfet del mA 40A
low voltage power mosfet
,hybrid inverter circuit
TRIAC 40A
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES:
Símbolo | Valor | Unidad |
LAS TIC (RMS) | 40 | |
VDRM/VRRM | 600 y 800 | V |
IGT (Q1) | 50 | mA |
DESCRIPCIÓN
Disponible en paquetes del poder más elevado, la serie de BTA/BTB40-41 es conveniente para la transferencia de fines generales de la corriente ALTERNA. Pueden ser utilizados como función CON./DESC. en usos tales como retransmisiones estáticas, regulación de la calefacción, calentadores de agua, motor de inducción que enciende los circuitos, equipo de soldadura… o para la operación de control de la fase en los reguladores de la velocidad del motor del poder más elevado, circuitos suaves del comienzo…
Los gracias a su técnica del montaje del clip, proporcionan un rendimiento superior en la sobretensión que maneja capacidades.
Usando un cojín de cerámica interno, la serie de BTA proporciona voltaje etiqueta aislada (clasificada en 2500 V RMS) que cumple con los estándares de la UL (referencia del fichero.: E81734).
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | ||
LAS TIC (RMS) |
Corriente del en-estado del RMS |
RD91 | Tc = 80°C | 40 | |
TOP3 | |||||
Ins TOP3. | Tc = 70°C | ||||
ITSM |
En-estado máximo de la oleada no repetidor |
F = 60 herzios | t = ms 16,7 | 420 | |
F = 50 herzios | t = ms 20 | 400 | |||
Él | Yo valor de t para fundirse | tp = ms 10 | 880 | Un s | |
dI/dt |
Índice crítico de subida de la corriente del en-estado |
F = 120 herzios | Tj = 125°C | 50 | A/µs |
VDSM/VRSM | Voltaje máximo del apagado-estado de la oleada no repetidor | tp = ms 10 | Tj = 25°C |
VDRM/VRRM |
V |
IGM | Corriente máxima de la puerta | tp = 20 µs | Tj = 125°C | 8 | V |
PÁGINA (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | Disipación de poder media de la puerta | Tj = 125°C | 1 | W | |
Tstg |
Gama de temperaturas de empalme del almacenamiento |
- 40 a + 150 |
°C |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Tj = 25°C, salvo especificación de lo contrario)
Símbolo | Condiciones de prueba | Cuadrante | Valor | Unidad | |
IGT (1) | VD = 12 V RL = Ω 33 |
I - II - III |
MÁXIMO. |
50 |
mA |
VGT | TODOS | MÁXIMO. | 1,3 | V | |
VGD | VD = VDRM RL = kΩ 3,3 Tj = 125°C | TODOS | MÍNIMO. | 0,2 | V |
IH (2) | Las TIC = 500 mA | MÁXIMO. | 80 | mA | |
IL | IG = 1,2 IGT |
I - III - IV |
MÁXIMO. |
70 |
mA |
dV/dt (2) | VD del = puerta Tj = 125°C abiertos 67% VDRM | MÍNIMO. | 500 | V/µs | |
(dV/dt) c (2) | (dI/dt) c = 20 A/ms Tj = 125°C | MÍNIMO. | 10 | V/µs |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485
