Semiconductor de Mosfet complementario de los transistores de poder del silicio MJ15025G
low voltage power mosfet
,hybrid inverter circuit
Semiconductor de Mosfet complementario de los transistores de poder del silicio MJ15025G
− MJ15023, MJ15025* DE PNP
Transistores de poder del silicio
Los MJ15023 y los MJ15025 son transistores de poder de PowerBase diseñados para el audio del poder más elevado, los posicionadores principales del disco y otros usos lineares.
Características
• Alta área de funcionamiento seguro (el 100% probado) −2 A @ 80 V
• Alto hFE del − del aumento actual de DC = 15 (minuto) @ IC = 8 ADC
• Los paquetes de Pb−Free son Available*
MJ1502x = código de dispositivo
x = 3 o 5
G = paquete de Pb−Free
= ubicación de la asamblea
Y = año
WW = semana de trabajo
MEX = país de origen
INFORMACIÓN EL ORDENAR
| Dispositivo | Paquete | Envío |
| MJ15023 | TO−204 | 100 unidades/bandeja |
| MJ15023G |
TO−204 (Pb−Free) |
100 unidades/bandeja |
| MJ15025 | TO−204 | 100 unidades/bandeja |
| MJ15025G |
TO−204 (Pb−Free) |
100 unidades/bandeja |
Hay dos limitaciones en la capacidad powerhandling de un transistor: temperatura de empalme media y segunda avería. Las curvas del área de funcionamiento seguro indican que el − VCE de IC limita del transistor que se debe observar para la operación confiable; es decir, el transistor no se debe sujetar a la mayor disipación que las curvas indican.
Los datos del cuadro 1 se basan en TJ (PK) = 200C; El TC es variable dependiendo de condiciones. En las altas temperaturas de caso, las limitaciones termales reducirán el poder que se puede manejar a los valores menos que las limitaciones impuestas por la segunda avería.
CARACTERÍSTICAS TÍPICAS
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC