STK621 - el SORBO híbrido del circuito de inversor del módulo de poder de 033 N.E. Mosfet por completo moldeó

Lleno híbrido del SORBO del circuito de inversor del módulo de poder del Mosfet de STK621-220A moldeado

MÓDULO HÍBRIDO DEL PODER DEL INVERSOR DE STK621-220A

Paquete moldeado completo del SORBO

Descripción

Este IC es un poder trifásico IC híbrido del inversor que contiene elementos del poder (IGBT y FRD), el pre-conductor, la sobreintensidad de corriente y el circuito de protección excesivo de la temperatura.

Uso

• impulsión trifásica del motor del inversor

Características

• Integra elementos del poder (IGBT y FRD), el pre-conductor, y el circuito protector.

• Los circuitos protectores incluyendo la sobreintensidad de corriente (línea de autobús), la temperatura excesiva y la protección de la baja tensión de la pre-impulsión se incorporan.

• La entrada directa de las señales de control llano del Cmos sin un circuito aislador (photocoupler, etc) es posible.

• La sola impulsión de la fuente de alimentación es posible usando un circuito del tirante con IC incorporado

• El monitor de la temperatura es posible por el termistor dentro de IC

• Superior e inferior simultáneo incorporado EN el circuito de la prevención para prevenir el brazo que pone en cortocircuito con simultáneo EN la entrada para los transistores laterales superiores y más bajos. (El tiempo muerto se requiere para prevenir poner en cortocircuito debido al retraso que cambia.)

• SORBA (el solo paquete en línea) de la estructura completa del molde de la transferencia.

Absoluto de las especificaciones

Grados máximos en Tc = 25°C

En el caso sin la instrucción, el estándar del voltaje es - terminal = voltaje terminal del VSS. Picos de voltaje *1 desarrollados por la operación que cambia debido a la inductancia de conexión entre + y – terminales. *2 VD1 = entre VB1-U, VD2 = VB2-V, VD3 = VB3-W, VB4 = VDD-VSS, voltaje terminal. La llanura *3 del disipador de calor debe ser más baja de 0.25m m. *4 la condición de prueba es la CA 2500V, 1 segundo.

Notas

1. La entrada EN voltaje indica un valor para girar la etapa IGBT de la salida. La entrada del voltaje indica un valor para apagar la etapa IGBT de la salida. A la hora de salida ENCENDIDO, sistema el voltaje 0V de la señal de entrada a VIH (max). A la hora de salida APAGADO, sistema el voltaje VIL (MINUTO) de la señal de entrada a 5V.

2. Cuando el circuito de protección interno actúa, hay una señal de la falta EN (cuando el terminal de la falta es bajo, la señal de la falta está EN estado: la forma de salida es DREN abierto) pero la señal de la falta no traba. Después de extremos de la operación de la protección, vuelve automáticamente en más o menos de 18ms a 80ms y a la condición que comienza de la operación de los curriculums vitae. Así pues, después de la detección de señal de la falta, sistema (ALTO) a todas las señales de entrada de inmediatamente. Sin embargo, la operación de la protección de la baja tensión de la fuente de alimentación de la pre-impulsión (UVLO: tiene una histéresis sobre 0.3V) está como sigue. El → lateral superior allí no es ninguna salida de la señal de la falta, sino que hace una señal correspondiente de la puerta APAGADO. A propósito, vuelve a la operación regular cuando la recuperación al voltaje normal, pero al cierre continúa entre señal de entrada EN (PUNTO BAJO). Baje el → lateral que hace salir la señal de la falta con la señal de la puerta APAGADO. Sin embargo, es diferente de la operación de la protección del lado superior, es automáticamente resetes sobre 18ms a 80ms más adelante y reanuda la condición del principio de la operación al recuperarse al voltaje normal. (La operación de la protección no traba por la señal de entrada.)

3. Cuando la junta de IC híbrido en el disipador de calor con M4 el tipo tornillo, apretando la gama del esfuerzo de torsión es 0.79N•m a 1.17N•m. la llanura del disipador de calor debe ser más baja de 0.25m m.

4. La protección de la baja tensión de la pre-impulsión es la característica para proteger un dispositivo cuando las disminuciones del voltaje de fuente del pre-conductor con el malfuncionamiento de funcionamiento. En cuanto a la disminución del voltaje de fuente del pre-conductor en caso del principio de la operación, y así sucesivamente, pedimos la confirmación en el sistema.