La placa de circuito de IC del sensor de la presión de CNY65A salta IC Chip Optocoupler con salida del fototransistor
temperature sensor ic
,electronic pressure sensors
CNY65A
Acoplador óptico, salida del fototransistor, voltaje muy alto del aislamiento
Características
• Voltaje clasificado del aislamiento (el RMS incluye DC) VIOWM = 1000 VRMS (pico de 1450 V)
• Voltaje máximo que se repite clasificado VIORM (repetidor) = 1000 VRMS
• Grueso a través del ≥ del aislamiento 3 milímetros
• Resistencia actual del contorneamiento según índice de seguimiento de comparativo del VDE 0303/IEC 60112: ≥ 200 de CTI • Componente sin plomo
• Componente del acuerdo a RoHS 2002/95/EC y WEEE 2002/96/EC
Aprobaciones de la agencia
• UL1577, código H, &K de J, protección doble de sistema de no. E76222 del fichero
• EN 60747-5-5 del estruendo del EN 60747-5-2 del estruendo (VDE0884) pendiente
• El VDE relacionó características:
• Voltaje de impulso clasificado (sobretensión transitoria) VIOTM de = pico 8 kilovoltios
• Voltaje de la prueba del aislamiento (voltaje parcial) de la prueba de la descarga Vpd de = pico 2,8 kilovoltios
Usos
Circuitos para la separación protectora segura contra choque eléctrico según clase de la seguridad II (aislamiento reforzado): Para el appl. clase I - IV en el ≤ 300 V del voltaje de las tuberías para el appl. clase I - IV en el ≤ 600 V del voltaje de las tuberías para el appl. clase I - III en tubería voltaje ≤ 1000 V según estruendo EN 60747-5-2 (VDE0884 EN 60747 - 5-5 pendiente, cuadro 2)/estruendo, conveniente para: fuentes de alimentación del Interruptor-modo, línea receptor, interfaz periférico de ordenador, interfaz de sistema del microprocesador.
Descripción
Los CNY64/CNY65/CNY66 consisten en un fototransistor ópticamente juntado a un diodo infraredemitting del arseniuro de galio en un paquete plástico de 4 pernos. Los solos componentes se montan enfrente de uno otro, proporcionando una distancia entre la entrada y la salida para los requisitos de seguridad más altos de > 3 milímetros.
Una parte de la lista común
| CASQUILLO 100NF 50V X7R CL05B104KB5NNNC | SAMSUNG | AC82ODH | SMD0402 |
| CASQUILLO 4,7UF 10V X5R el 10% CL21A475KPFNNNE | SAMSUNG | ACABOJN | SMD0805 |
| CASQUILLO 1NF 2KV X7R EL 10% CL31B102KJFNNNE | SAMSUNG | ACA9ORJ | SMD1206 |
| NPO CL05C100JB5NNNC del CASQUILLO 0402 10PF 50V | SAMSUNG | AC90OSW | SMD0402 |
| NPO CL05C220JB5NNNC del CASQUILLO 0402 22PF 50V | SAMSUNG | AC90OSW | SMD0402 |
| CASQUILLO 0805 1UF 16V X5R CL21A105KOFNNNE |
SAMSUNG | ACA7OCC | SMD0805 |
| RES 0402 10K el 5% RC0402JR-0710KL |
YAGEO | 1646 | SMD0402 |
| RES 0402 100K el 5% RC0402JR-07100KL | YAGEO | 1632 | SMD0402 |
| RES 0402 220R el 5% RC0402JR-07220RL | YAGEO | 1625 | SMD0402 |
| RES 0402 0R el 5% RC0402JR-070RL |
YAGEO | 1640 | SMD0402 |
| RES 0402 4K7 el 5% RC0402JR-074K7L |
YAGEO | 1640 | SMD0402 |
| RES 0R el 5% RC0805JR-070RL |
YAGEO | 1645 | SMD0805 |
| RES 0402 49R9 el 1% RC0402FR-0749R9L | YAGEO | 1632 | SMD0402 |
| RES 0402 12K1 el 1% RC0402FR-0712K1L | YAGEO | 1644 | SMD0402 |
| CASQUILLO ELETR 1000UF 50V RF1H102M12.5X25 | NANTUNG | 16+ | SMD |
| C.I MCP9700AT-E/TT | MICROCHIP | AFWJ | SOT23-3 |
| RC0805JR-0710KL | YAGEO | 1630 | SMD0805 |
| DIODO DF06S | SEPT | 1611 | SOP-4 |
| Transporte. ZXMN10A09KTC | ZETEX | 1243 | TO-252 |
| RC0805JR-071ML | YAGEO | 1618 | SMD0805 |
| C.I L7812CV | ST | 620 | TO-220 |
| ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 | LITE-ON | 1644 | SOP-6 |
| RES 1206 470R el 5% RC1206JR-07470RL | YAGEO | 1518 | SMD1206 |
| CASQUILLO 220NF 100V el 10% X7S C2012X7S2A224K085AE | TDK | IB16H30223SD | SMD0805 |
| RC0805JR-07330RL | YAGEO | 1632 | SMD0805 |
| DIODO PTZTE2518B | ROHM | 1639/18B/69 | SMA |
| C.I MT29F4G08ABADAWP: D | MICRÓN | 1402 | TSOP-48 |
| DIODO SMCJ5.0A-E3/57T | VISHAY | 1632/GDE | SMC |
| C.I ADS8344E | TI | 4ACZLLK | SSOP-20 |
| C.I DAC 7714U | TI | 21AQSQT | SOP-16 |
Diodo de transferencia rápido del caso de RoHS SOD123 SOT23 1N4148W-E3-08
CÉSPED de LL42-GS08 30V 200mA - 80 diodos de Schottky de la señal
Voltaje VISHAY del pilar del poder de pulso máximo SMBJ170A-E3/52 600W 17V
Canal IRFP9240PBF del Mosfet 12A 200V P del poder de TO-247 VISHAY
VO0630T Transistor de efecto de campo nuevo y original
resistores MMB02070C1802FB200 de 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF
MMB02070C1004FB200 situación activa de la pieza de la película anti del azufre SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin
Resistor de película metálica de KOhms el ±1% MELF 0207 del resistor de película fina MMB02070C1503FB200 150
Resistor del ohmio 390k de SMM02040C3903FB300 MELF 0204, resistor de lastre automotriz del azufre anti