Transistor BIPOLAR nuevo/original del Mosfet del poder de NPN 120 voltios 0,5 amperios de 2N1893
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 800 mW Through Hole TO-5AA
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Collector Current:
0.5 mA
Collector-Base Voltage:
120
Fast Switching:
30 nS
Meets:
MIL-S-19500/182
Punto culminante:
electronic pressure sensors
,hall effect sensor ic
Introducción
| GRADO | SÍMBOLO | MÁXIMO. | UNIDAD |
| Voltaje del Colector-emisor | VCEO | 80 | VDC |
| Voltaje del Colector-emisor | VCER | 100 | VDC |
| Voltaje de la Colector-base | VCBO | 120 | VDC |
| Voltaje de la Emisor-base | VEBO | 7,0 | VDC |
| Corriente de colector - continua | IC | 0,5 | ADC |
| La disipación total @ T del dispositivo A = 25oC reduce la capacidad normal sobre 25oC | Paladio | 0,8 | Vatio mW/oC |
| La disipación total @ T del dispositivo C = 25oC reduce la capacidad normal sobre 25oC | Paladio | 3,0 | Vatio mW/oC |
| Gama de temperaturas de funcionamiento | TJ | -55 a +200 | Oc |
| Gama de temperaturas de almacenamiento | TS | -55 a +200 | Oc |
| Resistencia termal, empalme a ambiente | RqJA | 219 | oC/W |
| Resistencia termal, empalme a encajonar | RqJA | 58 | oC/W |
Esquema mecánico
| CARACTERÍSTICAS | SÍMBOLO | MÍNIMO. | TIPO. | MÁXIMO. | UNIDAD |
| De características | |||||
| Voltaje de avería del Colector-emisor (I C = 100 mAdc, RBE = 10 ohmios) (1) | BVCER | 100 | -- | ||
| Voltaje de mantenimiento del Colector-emisor (1) (I C = 30 mAdc, IB = 0) (1) | BVCEO | 80 | -- | ||
| Voltaje de avería de la Colector-base (I C = 100 mAdc, IE = 0) | BV (BR) CBO | 120 | -- | VDC | |
| Voltaje de avería de la Emisor-base (IE = 100 mAdc, IC = 0) | BV (BR) CBO | 7,0 | -- | ||
| Corriente de atajo de colector (V CB = 90 VDC, IE = 0) (V CB = 90 VDC, IE = 0, TA = 150o C) | ICBO | -- | 0,01 | mAdc | |
| Corriente del atajo del emisor (VEB = 5,0 VDC, IC = 0) | IEBO | -- | 0,01 | mAdc | |
| En características | |||||
| D.C. Current Gain (IC = 0,1 mAdc, VCE = 10 VDC) (I C = 10mAdc, VCE = 10 VDC) (1) (I C = 10mAdc, VCE = 10 VDC, TA = -55o C) (1) (I C = 150mAdc, VCE = 10 VDC) (1) | hFE | 20 | -- | -- | |
| Voltaje de saturación del Colector-emisor (1) (IC = 150 mAdc, IB = mAdc 15) | VCE (Sat) | -- | 0,5 | VDC | |
| Voltaje de saturación del emisor de base (1) (Ic = 150 mAdc, IB = mAdc 15) | VCE (Sat) | -- | 1,3 | VDC | |
| Magnitud del pequeño ratio actual del cortocircuito de la señal adelante (I C = 50 mAdc, VCE = 10 VDC, f = 20 megaciclos) | /hfe/ | 3 | 10 | ||
| Capacitancia de salida (V CB = 10 VDC, IE = 0, f = 1,0 megaciclos) | COBO | 5 | 15 | PF | |
| Impedancia de entrada = (I C = 5,0 mAdc, VCB = 10 VDC, f = 1.0kHz) | hib | 4,0 | 8,0 | Ohmios | |
| Ratio de la reacción del voltaje (I C = 5,0 mAdc, VCB = 10 VDC, f = 1,0 kilociclos) | hrb | -- | 1,5 | X 10-4 | |
| Aumento actual de la Pequeño-señal (I c = 1,0 mAdc, VcB = 5.0Vdc, f = 1,0 kilociclos) (I C = mAdc 5,0, VCB = 10 VDC, f = 1,0 kilociclos) | hfe | 35 | 100 | -- | |
| Entrada de salida (I C = 5,0 mAdc, VCB = 10 VDC, f = 1,0 kilociclos) | avellanador | -- | 0,5 | mmho | |
| Respuesta de pulso (Vcc = 20Vdc, Ic = 500mAdc) | tonelada + tof | -- | 30 | ns |
(1) prueba del pulso: Ms del £ 300 de la anchura de pulso, £ 2,0% del ciclo de trabajo.
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