El transistor de poder de SPA08N80C3 CoolMOSTM ofrece dv/dt extremo valoró alta capacidad actual máxima
multi emitter transistor
,silicon power transistors
El transistor de poder de SPA08N80C3 CoolMOSTM ofrece dv/dt extremo valoró alta capacidad actual máxima
Características
• Nueva tecnología de alto voltaje revolucionaria
VDS | 800 | V |
R DS (encendido) @ Tj = 25°C máximos | 0,65 | Ω |
Q g, tipo | 45 | nC |
• Dv/dt extremo valoró
• Alta capacidad actual máxima
• Calificado según JEDEC1) para los usos de la blanco
• galjanoplastia Pb-libre de la ventaja; RoHS obediente
• Carga ultrabaja de la puerta
• Capacitancias eficaces ultrabajas
• Paquete completamente aislado (2500 VAC; 1 minuto)
CoolMOSTM 800V diseñado para:
• Uso industrial con alto voltaje del bulto de DC
• Uso que cambia (es decir abrazadera activa adelante)
Grados máximos
Parámetro | Símbolo | Condiciones | Valor | Unidad |
Dren continuo current2) | YO D | °C de T C=25 °C de T C=100 | 8 5,1 | |
Dren pulsado current3) | I D, pulso | °C de T C=25 | 24 | |
Energía de la avalancha, solo pulso | E COMO | I D=1.6 A, V DD=50 V | 340 | mJ |
Energía de la avalancha, t repetidor AR 3), 4) | E AR | I D=8 A, V DD=50 V | 0,2 | mJ |
Avalancha actual, t repetidor AR 3), 4) | YO AR | 8 | ||
Aspereza de /dt del dv del MOSFET | dv /dt | V DS=0… 640 V | 50 | V/ns |
Voltaje de fuente de puerta | V GS | estático CA (herzios de f >1) | ±20 ±30 | V |
Disipación de poder | Bebé de P | °C de T C=25 | 40 | W |
Temperatura del funcionamiento y de almacenamiento | T j, stg de T | -55… 150 | °C | |
Montaje del esfuerzo de torsión | Tornillos M2.5 | 50 | Ncm |
LISTA COMÚN
M28W160CT70N6E | 3880 | ST | 16+ | TSOP |
74LCX125MTCX | 7500 | FAIRCHILD | 16+ | TSOP |
MC33298P | 3206 | EN | 14+ | INMERSIÓN |
MAX1488ECPD | 5650 | MÁXIMA | 16+ | INMERSIÓN |
MMBT5551LT1G | 20000 | EN | 16+ | SOT-23 |
MAX1232ESA+ | 30000 | MÁXIMA | 16+ | COMPENSACIÓN |
LA7838 | 5192 | SANYO | 15+ | SORBO |
MC68000P8 | 3610 | MOT | 15+ | INMERSIÓN |
L6283-1.3 | 2938 | ST | 14+ | QFP |
MRF182 | 6386 | MOTOROLA | 14+ | SMD |
MAX17435ETG | 6850 | MÁXIMA | 14+ | QFN |
FOD817C | 2200 | FSC | 16+ | SOP-4 |
AME8500AEETAF29Z | 1600 | AME | 13+ | SOT-23 |
IRF3710 | 1500 | IR | 14+ | TO-220 |
MIC2075-1YM | 6382 | MICREL | 16+ | COMPENSACIÓN |
MRF160 | 637 | MOT | 15+ | MODELO |
BLW33 | 156 | PHI | 15+ | SOT122A |
BLW32 | 156 | PHI | 14+ | SOT122A |
MIC39102YM | 6490 | MICREL | 16+ | SOP-8 |
AT28C64B-15SI | 2300 | ATMEL | 16+ | SOP28 |
MAX811MEUS-T | 8041 | MÁXIMA | 16+ | BORRACHÍN |
74LVC244AD | 7500 | 16+ | COMPENSACIÓN | |
DS1722S+T | 5760 | MÁXIMA | 14+ | SOP-8 |
BT136-600E | 2100 | 15+ | TO-220 | |
PM75CFE060 | 280 | MITSUBISH | 13+ | MOUDLE |
BT137S-800G | 10000 | 15+ | TO220 | |
MR4020 | 6260 | SHINDENGE | 14+ | TO220-7 |
IRFL9110TR | 1500 | IR | 16+ | SOT-223 |
LM317LIPK | 9368 | TI | 15+ | SOT-89 |
MJE13005 | 38000 | FSC | 16+ | TO-220 |
FCX605TA | 1950 | ZETEX | 15+ | SOT-89 |
2SC2878A | 3000 | TOSHIBA | 13+ | TO-92 |
2SA1220A | 3000 | NEC | 13+ | TO-126 |
MIC811LUY | 10000 | MICREL | 16+ | SOT-143 |
BD9778F-E2 | 5500 | ROHM | 16+ | SOP-8 |
PIC18F25K20-I/ML | 4553 | MICROCHIP | 14+ | QFN |
74LVXC3245MTCX | 7500 | FAIRCHILD | 15+ | TSSOP |
2SC3964 | 3000 | TOSHIBA | 16+ | TO-126 |
2SD1408Y | 3000 | TOSHIBA | 16+ | TO-220F |
EL 10TPB47M | 9000 | SANYO | 16+ | SMD |
F931A106MAA | 1950 | NICHILON | 14+ | SMD |
AM26LS32ACNSR | 1600 | TI | 13+ | SOP-16 |
EL 10TPC68M | 9000 | SANYO | 15+ | SMD |
EL 10TPB33M | 9000 | SANYO | 15+ | SMD |
A6251M | 5800 | SANKEN | 11+ | DIP-8 |
A6251M | 2230 | SANKEN | 16+ | DIP-8 |
H1061 | 3460 | GOLPEE | 14+ | TO-220 |
XC5CSX95T-2FF1136I | 100 | XILINX | 15+ | BGA |
FSDM0265RN | 3460 | FAIRCHILD | 16+ | DIP-8 |
MOC3083 | 5588 | FSC | 16+ | INMERSIÓN |
GP1A52HRJ00F | 3460 | SOSTENIDO | 15+ | INMERSIÓN |
PIC24FJ128GB106-I/PT | 4173 | MICROCHIP | 15+ | TQFP |
C393C | 1380 | NEC | 16+ | DIP-8 |
DS1220AD-100IND+ | 500 | DALLAS | 15+ | DIP-24 |
ME15N10-G | 5956 | MATSU | 16+ | TO-252 |
D3SB60 | 2200 | SHINDENGE | 14+ | TO-220 |