Circuito integrado Chip Program Memory de IC del transistor de TK10A60D
npn smd transistor
,silicon power transistors
TIL111M, TIL117M, MOC8100M
Acopladores ópticos de fines generales del fototransistor 6-Pin
Características
• En-resistencia baja de la dren-fuente: RDS (ENCENDIDO) = 0,62 Ω (tipo.)
• Alta entrada de transferencia delantera: |Yfs| = 6,0 S (tipo.)
• Corriente baja de la salida: IDSS = μA 10 (VDS = 600 V)
• Modo del aumento: Vth = 2,0 a 4,0 V (VDS = 10 V, identificaciones = 1 mA)
Usos
■Reguladores de la fuente de alimentación
■Entradas de la lógica de Digitaces
■Entradas del microprocesador
■Sistemas del sensor del dispositivo
■Controles industriales
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (1) |
voltaje VDSS 600 V de la Dren-fuente
voltaje de la Dren-puerta (RGS = kΩ 20) VDGR 600 V
voltaje VGSS ±30 V de la Puerta-fuente
DC (pulso actual del dren de la identificación 10 de la nota 1) (t = 1 ms) (nota 1) IDP 40 A
Drene la disipación de poder (Tc = 25°C) el paladio 45 W
Sola energía de la avalancha del pulso (nota 2) EAS 363 mJ
Avalancha IAR actual 10 A
Energía repetidor de la avalancha (OÍDO 4,5 mJ de la nota 3)
°C de Tch 150 de la temperatura del canal
Gama de temperaturas Tstg -55 a de almacenamiento °C 150
|
PARTE DE LA ACCIÓN
ERA-5SM+ | 78L08 |
IRG4BC20UD | BUH515D |
24LC256-I/SN | ST1S10PHR |
AN7812 | MDM9615M |
OP747ARUZ | 88E111-B2-NDC2I000 |
ATXMEGA64D3-AU | ADCLK907BCPZ |
TLP281-4 | ADP1741ACPZ |
25LC1024-I/P | WS9221B |
STK404-130S | LMR62014XMF |
LM431BCM3X | LM2731XMFX |
TLV61225DCKR | LM2731XMFX |
AM28F010A-90JC | MAX14588ETE+ |
BTS141 | AT24C02D-SSHM-T |
BTS2140-1B | PIC16F877-04/PT |
1034SE001 | CX240DS |
30023* | DLW21SN900SQ2L |
30520* | NLV32T-100J-PF |
30536* | AOZ1282CI |
30639* | AOZ1282CI |
NTB60N06T4G | TLE4275KVURQ1 |
VND810SP | TLE4275KVURQ1 |
L9147P | MBRX160-TP |
APIC-S06 | PS21765 |
FM28V020-SGTR | KIA78R05PI-CU/P |
M24256-BWDW6TP | LB3500 |
MCP6002T-I/MS | AD7865ASZ-1 |
MCP6004T-I/ST | REF02AZ/883 |
BAS40DW-04-7-F | SNJ54HCT14TK |
LM317LIPK | REF01AZ/883 |
HA16107P | LPC2294HBD144 |
UPC812G | AD620SQ/883B |
DS26LS31CM | M24128-BWMN3TP/P |
DS26LS32ACM | LT1354CN8 |
M5195BFP | AQW254 |
SN751178NS | TP4056 |
AD8056ARZ | LNK302DG |
SN74LV245APWR | LNK302DG |
SN74LV244ANSR | FB423226T-Y7 |
TC4049BF | FM24CL16-G |
D2SB60 | NJM3404AV-TE1 |
DS90CF363BMT | NJM2119M |
SN74AC74DR | TMS320VC5402PGE100 |
SKN240/12 | MC1350DR2 |
MPU-6050 | LIS331DLHTR |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
