Enviar mensaje
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Hogar
productos
fabricantes
Sobre nosotros
recursos
Envíe el RFQ
transferencia directa
Hogar > productos > chips CI electrónicos > Electrónica de IC del microprocesador de IRFBG30PBF 3 Pin Transistor Electrnocs Component Transistor

Electrónica de IC del microprocesador de IRFBG30PBF 3 Pin Transistor Electrnocs Component Transistor

Electrónica de IC del microprocesador de IRFBG30PBF 3 Pin Transistor Electrnocs Component Transistor
Electrónica de IC del microprocesador de IRFBG30PBF 3 Pin Transistor Electrnocs Component Transistor
Electrónica de IC del microprocesador de IRFBG30PBF 3 Pin Transistor Electrnocs Component Transistor
Electrónica de IC del microprocesador de IRFBG30PBF 3 Pin Transistor Electrnocs Component Transistor
Electrónica de IC del microprocesador de IRFBG30PBF 3 Pin Transistor Electrnocs Component Transistor
fabricante:
Fabricante
Descripción:
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Temperature Range:
–55°C to +150°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
± 20 V
Current:
12A
Package:
TO-220
Factory Package:
TUBE
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introducción

Electrónica de IC del microprocesador de IRFBG30PBF 3 Pin Transistor Electrnocs Component Transistor

CARACTERÍSTICAS


• Grado dinámico de dV/dt
• Avalancha repetidor clasificada
• Transferencia rápida
• Facilidad de ser paralelo a
• Requisitos simples de la impulsión
• Ventaja (Pb) - disponible libre

Descripciones
Los MOSFETs del poder de la tercera generación de Vishay proveen del diseñador la mejor combinación de transferencia rápida, de diseño construido sólidamente del dispositivo, de en-resistencia baja y de rentabilidad.

El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a aproximadamente 50 W. La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en la industria.

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (1)

Gama de temperaturas (TA)………………… -55oC a 125oC
Gama del voltaje de fuente, VCC tipos………………… .2V de HC a los tipos de 6V HCT…………………………. .4.5V a 5.5V
Entrada CC o voltaje de salida, VI, Vo……………. 0V a VCC
Subida y tiempo de caída entrados 2V…………. 1000ns (máximo)
4.5V. ……………. 500ns (máximo)
6V…………. 400ns (máximo)
Paquete………………………… .67oC/W
Paquete de M (SOIC). ………………………. .73oC/W
Paquete del NS (COMPENSACIÓN)………………………. .64oC/W
Paquete del picovatio (TSSOP)……………………. 108oC/W
Temperatura de empalme máxima…………………. 150oC
Gama de temperaturas máxima de almacenamiento………. - 65oC a 150oC
Temperatura máxima de la ventaja (10s que suelda)…………. 300oC


TRANSPORTE BC847BLT1 18000 EN CHINA
RC0805JR-0710KL 35000 YAGEO CHINA
RC0805JR-071KL 20000 YAGEO CHINA
DIODO DF06S 3000 SEPT CHINA
CASQUILLO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB 20000 TDK JAPÓN
DIODO US1A-13-F 50000 DIODOS MALASIA
INDUTOR. 100UH SLF7045T-101MR50-PF 10000 TDK JAPÓN
RES 470R el 5% RC0805JR-07470RL 500000 YAGEO CHINA
RES 1206 los 2M el 1% RC1206FR-072ML 500000 YAGEO CHINA
DIODO P6KE180A 10000 VISHAY MALASIA
RES 1206 470R el 5% RC1206JR-07470RL 500000 YAGEO CHINA
MUNICIÓN DE DIODO UF4007 500000 MIC CHINA
Transporte. ZXMN10A09KTC 20000 ZETEX TAIWÁN
RES 0805 4K7 el 5%
RC0805JR-074K7L		 500000 YAGEO CHINA
ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 10000 LITE-ON TAIWÁN
TRANSPORTE MMBT2907A-7-F 30000 DIODOS MALASIA
TRANSPORTE STGW20NC60VD 1000 ST MALASIA
C.I LM2576HVT-ADJ/NOPB 500 TI TAILANDIA
C.I MC33298DW 1000 MOT MALASIA
C.I MC908MR16CFUE 840 FREESCAL MALASIA
C.I P8255A5 4500 INTEL JAPÓN
C.I HM6116P-2 5000 HITACHI JAPÓN
C.I DS1230Y- 150 2400 DALLAS FILIPINAS
Transporte. ZXMN10A09KTC 18000 ZETEX TAIWÁN
TRIAC BT151-500R 500000 MARRUECOS
C.I HCNR200-000E 1000 AVAGO TAIWÁN
TRIAC TIC116M 10000 TI TAILANDIA
DIODO US1M-E3/61T 18000 VISHAY MALASIA
DIODO ES1D-E3-61T 18000 VISHAY MALASIA
C.I MC908MR16CFUE 840 FREESCAL TAIWÁN
C.I CD40106BE 250 TI TAILANDIA
ACOPLADOR PC733H 1000 SOSTENIDO JAPÓN
TRANSPORTE NDT452AP 5200 FSC MALASIA
CI LP2951-50DR 1200 TI TAILANDIA
CI MC7809CD2TR4G 1200 EN MALASIA
DIODO MBR20200CTG 22000 EN MALASIA
FUSIVEL 30R300UU 10000 LITTELFUSEI TAIWÁN
C.I TPIC6595N 10000 TI TAILANDIA
EPM7064STC44-10N 100 ALTERA MALASIA
DIODO 1N4004-T 5000000 MIC CHINA
C.I CD4060BM 500 TI TAILANDIA
ACOPLADOR MOC3020M 500 FSC MALASIA
DIODO W08 500 SEPT CHINA
C.I SN74HC373N 1000 TI FILIPINAS
FOTOSENSOR LOS 2SS52M 500 Honeywell JAPÓN
C.I SN74HC02N 1000 TI TAILANDIA
C.I CD4585BE 250 TI TAILANDIA
C.I MT46H32M16LFBF-6IT: C 40 MICRÓN MALASIA
DIODO MMSZ5242BT1G 30000 EN MALASIA


Circuito máximo de la prueba de la recuperación dV/dt del diodo

PRODUCTOS RELACIONADOS
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Imagen parte # Descripción
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
50pcs
Contáctenos
Dirección: Sala 1204, Edificio Internacional DingCheng, 518028 Distrito Futian, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Teléfono: 86-755-88367702
productos

Chip CI de memoria Flash

Chip CI programable

Chips CI del ordenador

Conductor ICs del LED

Gestión ICs del poder

Chips de circuito integrado

Unidad de microcontrolador MCU

Conductor ICs de la exhibición

Módulo de potencia IGBT

Chips CI del amplificador
Sobre nosotros
Sobre nosotros Certificado del ISO Control de calidad Políticas de privacidad Centro de la ayuda
Políticas de privacidad | Buena calidad de China Chip CI de memoria Flash Proveedor. © de Copyright 2023 icmemorychip.com . Todos los derechos reservados.