Microprocesador de IRF540NPBF 3 Pin Transistor en los circuitos integrados de la electrónica, lineares y digitales
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Electrónica componente de IC del microprocesador del transistor de Electrnocs del transistor de IRF540NPBF 3pin
CARACTERÍSTICAS
¿? ¿Tecnología de proceso avanzada?
¿En-resistencia ultrabaja?
¿Grado dinámico de dv/dt? 175°C
¿Temperatura de funcionamiento?
¿Transferencia rápida?
¿Completamente avalancha clasificada? Sin plomo
Descripciones
Los MOSFETs avanzados del poder de HEXFET® del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio.
Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a aproximadamente 50 vatios.
La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en la industria.
cargas uivalent.
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (1)
Gama de temperaturas (TA)………………… -55oC a 125oC |
TRANSPORTE BC847BLT1 | 18000 | EN | CHINA |
RC0805JR-0710KL | 35000 | YAGEO | CHINA |
RC0805JR-071KL | 20000 | YAGEO | CHINA |
DIODO DF06S | 3000 | SEPT | CHINA |
CASQUILLO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | JAPÓN |
DIODO US1A-13-F | 50000 | DIODOS | MALASIA |
INDUTOR. 100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | JAPÓN |
RES 470R el 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINA |
RES 1206 los 2M el 1% RC1206FR-072ML | 500000 | YAGEO | CHINA |
DIODO P6KE180A | 10000 | VISHAY | MALASIA |
RES 1206 470R el 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINA |
MUNICIÓN DE DIODO UF4007 | 500000 | MIC | CHINA |
Transporte. ZXMN10A09KTC | 20000 | ZETEX | TAIWÁN |
RES 0805 4K7 el 5% RC0805JR-074K7L |
500000 | YAGEO | CHINA |
ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 | 10000 | LITE-ON | TAIWÁN |
TRANSPORTE MMBT2907A-7-F | 30000 | DIODOS | MALASIA |
TRANSPORTE STGW20NC60VD | 1000 | ST | MALASIA |
C.I LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | TI | TAILANDIA |
C.I MC33298DW | 1000 | MOT | MALASIA |
C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | MALASIA |
C.I P8255A5 | 4500 | INTEL | JAPÓN |
C.I HM6116P-2 | 5000 | HITACHI | JAPÓN |
C.I DS1230Y- 150 | 2400 | DALLAS | FILIPINAS |
Transporte. ZXMN10A09KTC | 18000 | ZETEX | TAIWÁN |
TRIAC BT151-500R | 500000 | MARRUECOS | |
C.I HCNR200-000E | 1000 | AVAGO | TAIWÁN |
TRIAC TIC116M | 10000 | TI | TAILANDIA |
DIODO US1M-E3/61T | 18000 | VISHAY | MALASIA |
DIODO ES1D-E3-61T | 18000 | VISHAY | MALASIA |
C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | TAIWÁN |
C.I CD40106BE | 250 | TI | TAILANDIA |
ACOPLADOR PC733H | 1000 | SOSTENIDO | JAPÓN |
TRANSPORTE NDT452AP | 5200 | FSC | MALASIA |
CI LP2951-50DR | 1200 | TI | TAILANDIA |
CI MC7809CD2TR4G | 1200 | EN | MALASIA |
DIODO MBR20200CTG | 22000 | EN | MALASIA |
FUSIVEL 30R300UU | 10000 | LITTELFUSEI | TAIWÁN |
C.I TPIC6595N | 10000 | TI | TAILANDIA |
EPM7064STC44-10N | 100 | ALTERA | MALASIA |
DIODO 1N4004-T | 5000000 | MIC | CHINA |
C.I CD4060BM | 500 | TI | TAILANDIA |
ACOPLADOR MOC3020M | 500 | FSC | MALASIA |
DIODO W08 | 500 | SEPT | CHINA |
C.I SN74HC373N | 1000 | TI | FILIPINAS |
FOTOSENSOR LOS 2SS52M | 500 | Honeywell | JAPÓN |
C.I SN74HC02N | 1000 | TI | TAILANDIA |
C.I CD4585BE | 250 | TI | TAILANDIA |
C.I MT46H32M16LFBF-6IT: C | 40 | MICRÓN | MALASIA |
DIODO MMSZ5242BT1G | 30000 | EN | MALASIA |