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Hogar > productos > chips CI electrónicos > Microprocesador de IRF540NPBF 3 Pin Transistor en los circuitos integrados de la electrónica, lineares y digitales

Microprocesador de IRF540NPBF 3 Pin Transistor en los circuitos integrados de la electrónica, lineares y digitales

Microprocesador de IRF540NPBF 3 Pin Transistor en los circuitos integrados de la electrónica, lineares y digitales
Microprocesador de IRF540NPBF 3 Pin Transistor en los circuitos integrados de la electrónica, lineares y digitales
fabricante:
Fabricante
Descripción:
N-Channel 100 V 33A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Temperature Range:
–55°C to +175°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
100V
Current:
16A
Package:
TO-220AB
Factory Package:
TUBE
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introducción

Electrónica componente de IC del microprocesador del transistor de Electrnocs del transistor de IRF540NPBF 3pin

CARACTERÍSTICAS
¿? ¿Tecnología de proceso avanzada?
¿En-resistencia ultrabaja?
¿Grado dinámico de dv/dt? 175°C
¿Temperatura de funcionamiento?
¿Transferencia rápida?
¿Completamente avalancha clasificada? Sin plomo
Descripciones
Los MOSFETs avanzados del poder de HEXFET® del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio.

Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.

El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a aproximadamente 50 vatios.

La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en la industria.
cargas uivalent.

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (1)

Gama de temperaturas (TA)………………… -55oC a 125oC
Gama del voltaje de fuente, VCC tipos………………… .2V de HC a los tipos de 6V HCT…………………………. .4.5V a 5.5V
Entrada CC o voltaje de salida, VI, Vo……………. 0V a VCC
Subida y tiempo de caída entrados 2V…………. 1000ns (máximo)
4.5V. ……………. 500ns (máximo)
6V…………. 400ns (máximo)
Paquete………………………… .67oC/W
Paquete de M (SOIC). ………………………. .73oC/W
Paquete del NS (COMPENSACIÓN)………………………. .64oC/W
Paquete del picovatio (TSSOP)……………………. 108oC/W
Temperatura de empalme máxima…………………. 150oC
Gama de temperaturas máxima de almacenamiento………. - 65oC a 150oC
Temperatura máxima de la ventaja (10s que suelda)…………. 300oC


TRANSPORTE BC847BLT1 18000 EN CHINA
RC0805JR-0710KL 35000 YAGEO CHINA
RC0805JR-071KL 20000 YAGEO CHINA
DIODO DF06S 3000 SEPT CHINA
CASQUILLO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB 20000 TDK JAPÓN
DIODO US1A-13-F 50000 DIODOS MALASIA
INDUTOR. 100UH SLF7045T-101MR50-PF 10000 TDK JAPÓN
RES 470R el 5% RC0805JR-07470RL 500000 YAGEO CHINA
RES 1206 los 2M el 1% RC1206FR-072ML 500000 YAGEO CHINA
DIODO P6KE180A 10000 VISHAY MALASIA
RES 1206 470R el 5% RC1206JR-07470RL 500000 YAGEO CHINA
MUNICIÓN DE DIODO UF4007 500000 MIC CHINA
Transporte. ZXMN10A09KTC 20000 ZETEX TAIWÁN
RES 0805 4K7 el 5%
RC0805JR-074K7L		 500000 YAGEO CHINA
ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 10000 LITE-ON TAIWÁN
TRANSPORTE MMBT2907A-7-F 30000 DIODOS MALASIA
TRANSPORTE STGW20NC60VD 1000 ST MALASIA
C.I LM2576HVT-ADJ/NOPB 500 TI TAILANDIA
C.I MC33298DW 1000 MOT MALASIA
C.I MC908MR16CFUE 840 FREESCAL MALASIA
C.I P8255A5 4500 INTEL JAPÓN
C.I HM6116P-2 5000 HITACHI JAPÓN
C.I DS1230Y- 150 2400 DALLAS FILIPINAS
Transporte. ZXMN10A09KTC 18000 ZETEX TAIWÁN
TRIAC BT151-500R 500000 MARRUECOS
C.I HCNR200-000E 1000 AVAGO TAIWÁN
TRIAC TIC116M 10000 TI TAILANDIA
DIODO US1M-E3/61T 18000 VISHAY MALASIA
DIODO ES1D-E3-61T 18000 VISHAY MALASIA
C.I MC908MR16CFUE 840 FREESCAL TAIWÁN
C.I CD40106BE 250 TI TAILANDIA
ACOPLADOR PC733H 1000 SOSTENIDO JAPÓN
TRANSPORTE NDT452AP 5200 FSC MALASIA
CI LP2951-50DR 1200 TI TAILANDIA
CI MC7809CD2TR4G 1200 EN MALASIA
DIODO MBR20200CTG 22000 EN MALASIA
FUSIVEL 30R300UU 10000 LITTELFUSEI TAIWÁN
C.I TPIC6595N 10000 TI TAILANDIA
EPM7064STC44-10N 100 ALTERA MALASIA
DIODO 1N4004-T 5000000 MIC CHINA
C.I CD4060BM 500 TI TAILANDIA
ACOPLADOR MOC3020M 500 FSC MALASIA
DIODO W08 500 SEPT CHINA
C.I SN74HC373N 1000 TI FILIPINAS
FOTOSENSOR LOS 2SS52M 500 Honeywell JAPÓN
C.I SN74HC02N 1000 TI TAILANDIA
C.I CD4585BE 250 TI TAILANDIA
C.I MT46H32M16LFBF-6IT: C 40 MICRÓN MALASIA
DIODO MMSZ5242BT1G 30000 EN MALASIA

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