Enviar mensaje
Hogar > productos > chips CI electrónicos > Estándar de BTA24-600CWRG 3 Pin Transistor 25 A y triac de Snubberless

Estándar de BTA24-600CWRG 3 Pin Transistor 25 A y triac de Snubberless

fabricante:
Fabricante
Descripción:
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 25 A Through Hole TO-220
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Critical rate of rise of on-state current:
50 A/µs
Non repetitive surge peak off-state voltage:
VDRM/VRRM + 100 V
Peak gate current:
4 A
Average gate power dissipation:
1 W
Storage junction temperature:
- 40 to + 150° C
Operating junction temperature:
- 40 to + 125 ° C
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introducción

BTA24, BTB24, BTA25 BTA26, BTB26, T25

25 estándares y triac de Snubberless™

Características

Triac de gran intensidad

■Resistencia termal baja con la vinculación del clip

■Alta conmutación (4 cuadrantes) o capacidad muy alta de la conmutación (3 cuadrantes)

■Serie UL1557 de BTA certificada (referencia del fichero: 81734)

■Los paquetes son RoHS (2002/95/EC) obediente

Usos

Los usos incluyen la función CON./DESC. en usos tales como retransmisiones estáticas, regulación de la calefacción, motor de inducción que enciende los circuitos, etc., o para la operación de control de la fase en amortiguadores, reguladores de la velocidad del motor, y silmilar ligeros.

Las versiones snubberless (la serie W y T25 de BTA/BTB…) se recomiendan especialmente para el uso en cargas inductivas, debido a sus altos funcionamientos de la conmutación. La serie de BTA proporciona una etiqueta aislada (clasificada en 2500 VRMS).

Grados máximos absolutos

Símbolo Parámetro Valor Unidad
LAS TIC (RMS) Corriente del en-estado del RMS (onda sinusoidal completa) TOP3 Tc = 105° C 25
D2PAK/TO-220AB Tc = 100° C
RD91 Ins del Ins/TOP3. Tc = 100° C
Ins de TO-220AB. Tc = 75° C
ITSM

En-estado máximo de la oleada no repetidor

actual (ciclo completo, Tj inicial = 25° C)

F = 50 herzios t = ms 20 250
F = 60 herzios t = ms 16,7 260
² t de I Yo valor del ² t para fundirse tp = ms 10 340 Un ² s
dI/dt

Índice crítico de subida de la corriente del en-estado

IG = 2 x IGT, ≤ 100 ns del tr

F = 120 herzios Tj = 125° C 50 A/µs
VDSM/VRSM Voltaje máximo del apagado-estado de la oleada no repetidor tp = ms 10 Tj = 25° C VDRM/VRRM + 100 V
IGM Corriente máxima de la puerta tp = 20 µs Tj = 125° C 4
PÁGINA (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) Disipación de poder media de la puerta Tj = 125° C 1 W

Tstg

Tj

Gama de temperaturas de empalme del almacenamiento

Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme

- 40 a + 150

- 40 a + 125

° C

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
TLP2368 17727 TOSHIBA 15+ SOP-5
TLP281-1 15479 TOSHIBA 16+ SOP-4
TLP291-4GB 19581 TOSHIBA 16+ SOP-16
TLP541G 17964 TOSHIBA 14+ DIP-6
TLP621GB 8734 TOSHIBA 14+ DIP-4
TLP701 7334 TOSHIBA 16+ SOP-6
TLP701F 4097 TOSHIBA 14+ SOP-6
TLP741G 12923 TOSHIBA 15+ SOP-6
TLP759 24480 TOSHIBA 16+ SOP-8
TLP785GB 71000 TOSHIBA 16+ DIP-4
TLV2217-33KCSE3 14631 TI 11+ TO-220
TLV2373IDGSR 4914 TI 06+ MSOP-10
TLV2401CDBVR 8191 TI 15+ SOT23-5
TLV2464IPWR 3517 TI 11+ TSSOP-14
TLV2472AIDR 6435 TI 14+ SOP-8
TLV2771CDBVR 16946 TI 16+ SOT23-5
TLV2774IDR 6156 TI 10+ SOP-14
TLV5606CDGKR 6012 TI 06+ VSSOP-8
TLV5610IPWR 2618 TI 14+ TSSOP-20
TLV5610IPWR 2532 TI 11+ TSSOP-20
TLV62130RGTR 5398 TI 16+ QFN16
TLV70033DDCR 43000 TI 14+ SOT23-5
TLV70433DBVR 91000 TI 13+ SOT23-5
TM4C123FH6PMI 1543 TI 13+ LQFP-64
TM4C129ENCPDTI3R 2790 TI 13+ QFP128
TMD0507-2A 229 TOSHIBA 15+ SMD
TMP102AIDRLR 4371 TI 16+ SOT-563
TMP82C79P-2 3478 TOSHIBA 98+ DIP-40
TMPM374FWUG 3299 TOSHIBA 11+ LQFP-44
TMS27PC256-15NL 2483 TI 94+ DIP-24

PRODUCTOS RELACIONADOS
Imagen parte # Descripción
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123  de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
20pcs