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Hogar > productos > chips CI electrónicos > FET del nivel de la lógica del FET TrenchMOS del MOS del canal N de BUK9237-55A 3 Pin Transistor

FET del nivel de la lógica del FET TrenchMOS del MOS del canal N de BUK9237-55A 3 Pin Transistor

FET del nivel de la lógica del FET TrenchMOS del MOS del canal N de BUK9237-55A 3 Pin Transistor
FET del nivel de la lógica del FET TrenchMOS del MOS del canal N de BUK9237-55A 3 Pin Transistor
fabricante:
Fabricante
Descripción:
N-Channel 55 V 32A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount DPAK
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
drain-source voltage:
55 V
drain-gate voltage:
55 V
gate-source voltage:
±15 V
drain current:
32 A
total power dissipation:
77 W
Package:
SOT428 (D-PAK)
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introducción

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
LD1117S25TR 39000 ST 13+ SOT-223
LD1117S33CTR 32000 ST 16+ SOT-223
LD39015M18R 8024 ST 16+ SOT23-5
LD39300PT33-R 6785 ST 14+ TO-252
LD7531AMGL 16615 LD 16+ SOT23-6
LD7830GR 9996 LD 15+ SOP-8
LDB212G4005C-001 56000 MURATA 14+ SMD
LF25CDT 21498 ST 13+ TO-252
LF347MX 7640 NS 00+ SOP-14
LFB212G45SG8A192 40000 MURATA 16+ SMD
LFCN-400+ 1736 MINI 14+ SMD
LFCN-80+ 3554 MINI 15+ SMD
LFCN-900+ 3324 MINI 15+ SMD
LFE2M100E-6FN900C-5I 256 ENREJADO 16+ BGA900
LFXP2-8E-5TN144C 1363 ENREJADO 16+ QFP144
LH1518AABTR 3172 VISHAY 04+ SMD-6
LH1520AAC 8563 VISHAY 13+ SOP-8
LH1540AABTR 5958 VISHAY 00+ SOP-6
LH5116NA-10 14603 SOSTENIDO 13+ SOP-24
LHI878/3902 14674 HEIMANN 10+ CAN-3
LIS2DH12TR 7611 ST 15+ LGA12
LIS3DHTR 4847 ST 14+ LGA16
LL4004 15000 ST 16+ LL41
LL4148-GS08 45000 VISHAY 15+ LL34
LLQ2012-F56NJ 12000 TOKO 16+ SMD
LM1086CSX-3.3 21569 NS 15+ TO-263
LM1086CT-3.3 15605 NS 15+ TO-220
LM111J-8 5202 NSC 15+ CDIP-8
LM19CIZ 4073 NS 16+ TO-92
LM201AN 4387 EN 16+ DIP-8

FET del nivel de la lógica de BUK9237-55A TrenchMOS™

Descripción

Transistor de poder del efecto de campo del modo del aumento del canal N en un paquete plástico usando la tecnología TrenchMOS™1, ofreciendo resistencia muy baja del en-estado.

Disponibilidad de producto: BUK9237-55A en SOT428 (D-PAK).

Características

■Tecnología de TrenchMOS™

■Q101 obediente

■el °C 175 valoró

■Nivel de la lógica compatible.

Usos

■Transferencia automotriz y de fines generales del poder:

◆12 V y 24 cargas de V

◆Motores, lámparas y solenoides.

Valores límites

De acuerdo con el sistema de calificación máximo absoluto (IEC 60134)

Símbolo Parámetro Condiciones Minuto Máximo Unidad
VDS voltaje de la dren-fuente (DC) - 55 V
VDGR voltaje de la dren-puerta (DC) RGS = kΩ 20 - 55 V
VGS voltaje de la puerta-fuente (DC) - ±15 V
Identificación corriente del dren (DC) Tmb = °C 25; VGS = 5 V; Cuadro 2 y 3 - 32
Tmb = °C 100; VGS = 5 V; Cuadro 2 - 22
IDM corriente máxima del dren Tmb = °C 25; pulsado; µs del ≤ 10 del tp; Cuadro 3 - 129
Ptot disipación de poder total Tmb = °C 25; Cuadro 1 - 77 W
Tstg temperatura de almacenamiento -55 +175 °C
Tj temperatura de empalme de funcionamiento -55 +175 °C
diodo del Fuente-dren
IDR corriente reversa del dren (DC) Tmb = °C 25 - 32
IDRM corriente reversa máxima del dren Tmb = °C 25; pulsado; µs del ≤ 10 del tp - 129
Aspereza de la avalancha
WDSS energía sin repetición de la avalancha

carga inductiva unclamped; IDENTIFICACIÓN = 32 A; ≤ 30 V DE VDS;

VGS = 5 V; RGS = Ω 50; comenzando Tj = °C 25

 - 76 mJ

Esquema del paquete

Paquete montado superficial de terminación única plástico (versión de Philips de D-PAK); 3 ventajas

(una ventaja cosechó) SOT428

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