MOSFET electrónico del poder de los componentes de la electrónica del transistor IRFPE50
npn smd transistor
,silicon power transistors
MOSFET electrónico del poder de los componentes de la electrónica del transistor IRFPE50
Características
• Grado dinámico de dV/dt
• Avalancha repetidor clasificada
• Agujero de montaje central aislado
• Transferencia rápida
• Facilidad de ser paralelo a
• Requisitos simples de la impulsión
• Ventaja (Pb) - disponible libre
C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
RES 2010 330R el 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
RES 2010 68K el 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
C.I MCP6S26-I/SL | MICROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
ACOPLADOR. PC817A | SOSTENIDO | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
TRANSPORTE LOS 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
C.I CL2N8-G | MICROCHIP | CL2C | SOT-89 |
C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
C.I L6219DS | ST | 135 | SOP-24 |
CASQUILLO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
CASQUILLO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | CACEROLA | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
C.I 24LC256-I/SN | MICROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
CASQUILLO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
CASQUILLO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
CASQUILLO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L el 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
CASO 0805RC0805JR-073K3L del RES 3K3 el 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
TRIAC BTA26-600BRG | ST | 628 | TO-3P |
CASQUILLO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Descripciones
Los MOSFETs del poder de la tercera generación de Vishay proveen del diseñador la mejor combinación de transferencia rápida, de diseño construido sólidamente del dispositivo, de en-resistencia baja y de rentabilidad.
El paquete TO-247 se prefiere para los usos comercial-industriales donde los niveles de mayor potencia impiden el uso de los dispositivos TO-220.
El TO-247 es similar pero superior al paquete anterior TO-218 debido a su agujero de montaje aislado. También proporciona mayor distancia de contorneamiento entre los pernos para cumplir los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.
Grados máximos absolutos TC = 25oC, salvo especificación de lo contrario
Voltaje VDS 800 V de la Dren-fuente
± 20 del voltaje VGS de la Puerta-fuente
Dren continuo VGS actual en 10 V
TC de = identificación 7,8 25 °C TC = 100 °C 4,9 A
Pulsado drene Currenta IDM 31
El reducir la capacidad normal linear descompone en factores 1,5 W/°C
Sola avalancha Energyb EAS 770 mJ del pulso
Avalancha repetidor Currenta IAR 7,8 A
OÍDO repetidor 19 mJ de Energya de la avalancha
Disipación de poder máxima TC de = paladio 190 W 25 °C
Recuperación máxima dV/dtc dV/dt 2,0 V/ns del diodo
Gama de temperaturas de funcionamiento TJ, Tstg - 55 del empalme y de almacenamiento + al °C 150
Recomendaciones que sueldan (temperatura máxima) para 10 s 300d
Montando el tornillo 6-32 o M3 del esfuerzo de torsión 10 lbf · en 1,1 N · m