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Componentes del transistor de IRFP9140N, dispositivos electrónicos y circuitos integrados

fabricante:
Fabricante
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC
Categoría:
Gestión ICs del poder
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Temperature Range:
–55 to +175°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
± 20 V
Current:
16A
Package:
TO-247AC
Factory Package:
TUBE
Punto culminante:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introducción

Componentes del transistor de IRFP9140N, dispositivos electrónicos y circuitos integrados

Descripción

La quinta generación HEXFETs del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio.

Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.

El paquete TO-247 se prefiere para los usos commercialindustrial donde los niveles de mayor potencia impiden el uso de los dispositivos TO-220. El TO-247 es similar pero superior al paquete anterior TO-218 debido a su agujero de montaje aislado.

Características

l avanzó tecnología de proceso

l grado dinámico de dv/dt

l temperatura de funcionamiento de 175°C

l P-canal l ayuna transferencia

l completamente avalancha clasificada

C.I MM74HC164MX FSC P0552AD/P9FAD SOP-14
DIODO BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
DIODO SML4742A-E3/61 VISHAY 1632/12 SMA
DIODO BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
DIODO SML4742A-E3/61 VISHAY 1632/12 SMA
RES 2010 330R el 5% CRCW2010330RJNEF VISHAY 1612 SMD2010
RES 2010 68K el 5% CRCW201068K0JNEF VISHAY 1612 SMD2010
C.I MCP6S26-I/SL MICROCHIP 16255C4 SOP-14
ACOPLADOR. PC817A SOSTENIDO 2016.08.10/H33 DIP-4
TRANSPORTE LOS 2SS52M Honeywell 2SSM/523-LF TO-92
C.I SCC2691AC1D24 1149+ SOP-24
C.I TP3057WM TI XM33AF SOP-16
C.I CD14538BE TI 33ADS8K DIP-16
C.I CL2N8-G MICROCHIP CL2C SOT-89
C.I SN75179BP TI 57C50DM DIP-8
C.I L6219DS ST 135 SOP-24
CASQUILLO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE SAMSUNG AC7JO2H SMD1210
INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF TDK YA16H0945122/3R3 SMD6045
CASQUILLO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR CACEROLA Y1628F843536/2.2/50V/SYK SMD4*5.4
C.I 24LC256-I/SN MICROCHIP 1636M6G SOP-8
CASQUILLO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS NICHICON 160602/150/25V/H72 SMD8*10.5
RES RC0805JR-0727RL YAGEO 1538 SMD0805
C.I SN75240PW TI 11/A75240 MSOP-8
RES RC0805JR-0715KL YAGEO 1637 SMD0805
CASQUILLO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T TAIYOYUDEN 1608 SMD0805
CASQUILLO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE SAMSUNG AC7JO2H SMD0805
RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L el 1% YAGEO 1638 SMD0805
CASO 0805RC0805JR-073K3L del RES 3K3 el 5% YAGEO 1623 SMD0805
TRIAC BTA26-600BRG ST 628 TO-3P
CASQUILLO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB TDK IB16F15763SD SMD0805

Corriente continua del dren, identificación de VGS @ -10V -23 @ TC = 100°C

Corriente continua del dren, VGS @ -10V -16 A

IDM pulsados drenan el paladio actual del … -76 del  @TC = 25°C

El reducir la capacidad normal linear de la disipación de poder 140 W descompone en factores 0,91 W/°C

± 20 V del voltaje de la Puerta-a-fuente de VGS

Solo … 430 mJ del ‚ de la energía de la avalancha del pulso de EAS

 actual -11 A de la avalancha de IAR

 repetidor 14 mJ dv/dt de la energía de la avalancha del OÍDO

… máximo -5,0 V/ns del ƒ de la recuperación dv/dt del diodo

Empalme de funcionamiento y -55 de TJ a + 175 TSTG

Temperatura que suelda de la gama de temperaturas de almacenamiento, para 10 el °C de los segundos 300 (1.6m m de caso)

Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
10pcs