IRF9540NPBF 3 Pin Transistor, MOSFET de destello de Chip Power del circuito integrado del Ic
multi emitter transistor
,silicon power transistors
MOSFET de destello del poder de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado del Ic del transistor IRF2807
Características de la salida:
l avanzó tecnología de proceso
l grado dinámico de dv/dt
l temperatura de funcionamiento de 175°C
l transferencia rápida
l P-canal l completamente avalancha clasificada
Especificaciones dominantes:
La quinta generación HEXFETs del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio.
Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en la industria
Grados máximos absolutos
Identificación @ corriente continua del dren TC = 25°C, VGS @ 10V
identificación de 82 @ corriente continua del dren TC = 100°C, VGS @ 10V 58 A
IDM pulsados drenan el paladio actual del 280 @TC = 25°C
El reducir la capacidad normal linear de la disipación de poder 230 W descompone en factores 1,5 W/°C
± 20 V del voltaje de la Puerta-a-fuente de VGS
actual 43 A de la avalancha de IAR
repetidor 23 mJ dv/dt de la energía de la avalancha del OÍDO
máximo 5,9 V/ns TJ de la recuperación dv/dt del diodo
Empalme de funcionamiento y -55 a + 175
Temperatura que suelda de la gama de temperaturas de almacenamiento de TSTG, para 10 el °C de los segundos 300 (1.6m m de caso) que monta el esfuerzo de torsión, 6-32 o srew M3 10 lbf•en (1.1N•m)
Una parte de la lista común
| CASQUILLO 0603 56PF 16V 0603N560K160CT | WALSIN | 16/04/27 | SMD0603 |
| C.I SP3203ECY-L/TR | SIPEX | 0616 | TSSOP-20 |
| C.I AT89S52-24PU | ATMEL | 1602 | DIP-40 |
| DIODO M7 | MIC | 1625 | SMA |
| DIODO BZX84C15LT1G | EN | 1630/Y4 | SOT-23 |
| MMBD4148-7-F | DIODOS | 1617/KA2 | SOT-23 |
| TRANSPORTE MMBTA42LT1G | EN | 1635/1D | SOT-23 |
| DIODO. BYG20J-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| TRANSPORTE NDD04N60ZT4G | EN | 1143/A43/4N60ZG | TO-252 |
| C.I UBA3070T | 1333 | SOP-8 | |
| CASQUILLO 0402 1UF 6.3V X7R GRM155R70J105KA12D | MURATA | IA6026DP4 | SMD0402 |
| CASQUILLO 0402 47NF 25V X7R GRM155R71E473JA88D | MURATA | IA6026DP4 | SMD0402 |
| CASQUILLO 0402 100NF 16V X7R 55 GRM155R71C104JA88D | MURATA | IA6009DI8 | SMD0402 |
| CASQUILLO ELETR 470UF 16V RF1C471MTBF35008012 | NANTUNG | ||
| CASQUILLO 0805 10UF 6,3V X5R JMK212BJ106KD-T | TAIYOYUDEN | 1609 | SMD0805 |
| LOS 4N25M OPTOS | FSC | 637Q | DIP-6 |
| TRIAC BT151-500R | 603 | TO-220 |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485