IRF2807 3 Pin Transistor, circuitos integrados de la electrónica del mosfet IC del poder que cambian
npn smd transistor
,multi emitter transistor
MOSFET de destello del poder de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado del Ic del transistor IRF2807
Características de la salida:
l avanzó tecnología de proceso
l En-resistencia ultrabaja
l grado dinámico de dv/dt
l temperatura de funcionamiento de 175°C
l transferencia rápida
l completamente avalancha clasificada
Especificaciones dominantes:
Los MOSFETs avanzados del poder de HEXFET® del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio.
Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en la industria.
Grados máximos absolutos
Identificación @ corriente continua del dren TC = 25°C, VGS @ 10V
identificación de 82 @ corriente continua del dren TC = 100°C, VGS @ 10V 58 A
IDM pulsados drenan el paladio actual del 280 @TC = 25°C
El reducir la capacidad normal linear de la disipación de poder 230 W descompone en factores 1,5 W/°C
± 20 V del voltaje de la Puerta-a-fuente de VGS
actual 43 A de la avalancha de IAR
repetidor 23 mJ dv/dt de la energía de la avalancha del OÍDO
máximo 5,9 V/ns TJ de la recuperación dv/dt del diodo
Empalme de funcionamiento y -55 a + 175
Temperatura que suelda de la gama de temperaturas de almacenamiento de TSTG, para 10 el °C de los segundos 300 (1.6m m de caso) que monta el esfuerzo de torsión, 6-32 o srew M3 10 lbf•en (1.1N•m)
Una parte de la lista común
| CASQUILLO 0603 56PF 16V 0603N560K160CT | WALSIN | 16/04/27 | SMD0603 |
| C.I SP3203ECY-L/TR | SIPEX | 0616 | TSSOP-20 |
| C.I AT89S52-24PU | ATMEL | 1602 | DIP-40 |
| DIODO M7 | MIC | 1625 | SMA |
| DIODO BZX84C15LT1G | EN | 1630/Y4 | SOT-23 |
| MMBD4148-7-F | DIODOS | 1617/KA2 | SOT-23 |
| TRANSPORTE MMBTA42LT1G | EN | 1635/1D | SOT-23 |
| DIODO. BYG20J-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| TRANSPORTE NDD04N60ZT4G | EN | 1143/A43/4N60ZG | TO-252 |
| C.I UBA3070T | 1333 | SOP-8 | |
| CASQUILLO 0402 1UF 6.3V X7R GRM155R70J105KA12D | MURATA | IA6026DP4 | SMD0402 |
| CASQUILLO 0402 47NF 25V X7R GRM155R71E473JA88D | MURATA | IA6026DP4 | SMD0402 |
| CASQUILLO 0402 100NF 16V X7R 55 GRM155R71C104JA88D | MURATA | IA6009DI8 | SMD0402 |
| CASQUILLO ELETR 470UF 16V RF1C471MTBF35008012 | NANTUNG | ||
| CASQUILLO 0805 10UF 6,3V X5R JMK212BJ106KD-T | TAIYOYUDEN | 1609 | SMD0805 |
| LOS 4N25M OPTOS | FSC | 637Q | DIP-6 |
| TRIAC BT151-500R | 603 | TO-220 |
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC