Mosfet AUTOMOTRIZ de la energía baja del mosfet del poder del MOSFET de IRF3205ZPBF que cambia
fabricante:
Fabricante
Descripción:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited):
110 A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V:
78 A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited):
75 A
Pulsed Drain Current:
440 A
Power Dissipation:
170 W
Punto culminante:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Introducción
LISTA COMÚN
| ICL3222CB | 4100 | INTERSIL | 12+ | SOP18 |
| SGA-5486 | 4100 | SIRENZA | 16+ | SMT86 |
| TEA1098ATV | 4100 | 12+ | SSOP | |
| NCP1271ADR | 4110 | EN | 16+ | SOP7 |
| FKV550T | 4111 | SANKEN | 16+ | TO220F |
| EPM570F256C5N | 4117 | ALTERA | 16+ | BGA256 |
| MC33063AP1 | 4117 | EN | 16+ | DIP8 |
| DS32ELX0421SQE | 4120 | NS | 16+ | LLP48 |
| P2503NPG | 4120 | NIKOS | 14+ | DIP8 |
| TPS70751PWPR | 4120 | TI | 16+ | TSSOP |
| HCPL4504 | 4121 | AVAGO | 16+ | INMERSIÓN |
| OP177GP | 4122 | ANUNCIO | 15+ | DIP-8 |
| 24LC512-I/SM | 4130 | MICROCHIP | 16+ | SOP-8 |
| OZ8602GN | 4141 | MICRÓFONO | 15+ | SOP-16 |
| CNY70 | 4177 | VISHAY | 12+ | DIP-4 |
| DS26LS32ACMX | 4177 | NS | 16+ | SOP16 |
| AD517JH | 4200 | ANUNCIO | 12+ | TO-78 |
| ATMEGA169PV-8AU | 4200 | ATMEL | 16+ | QFP-64 |
| CDRH2D18/HP-2R2NC | 4200 | SUMIDA | 16+ | SMD |
| IPD06N03LAG | 4200 | 16+ | TO-252 | |
| OP07CP | 4200 | TI | 16+ | DIP8 |
| PIC18F2520-I/SO | 4200 | MICROCHIP | 16+ | SOP-28 |
| SG6841DZ | 4200 | SG | 14+ | DIP-8 |
| SN75HVD3082EP | 4200 | TI | 16+ | INMERSIÓN |
| BSP450 | 4210 | 16+ | SOT223 | |
| HD74LS14P-E-Q | 4210 | RENESAS | 15+ | DIP14 |
| TLZ5V1C | 4210 | VISHAY | 16+ | LL-34 |
| PCF8593T | 4211 | 15+ | SOP8 | |
| BDW94C | 4250 | ST | 12+ | TO-220 |
| LQM21FN1R0N00D | 4250 | MURATA | 16+ | SMD |
| AT93C66-10SU-2.7 | 4252 | ATMEL | 12+ | SOP-8 |
| 2N3906 | 4287 | EN | 16+ | TO-92 |
| DS18B20 | 4444 | MÁXIMA | 16+ | TO-92 |
| 95SQ015 | 4456 | IR | 16+ | DO-204AD |
| PDTC143ET | 4477 | 16+ | SOT-23 | |
| BZX284-C12 | 4480 | PHI | 16+ | SOD-323 |
| 1SMB5920BT3G | 4500 | EN | 14+ | DO-214AA |
| 1SMB5922BT3G | 4500 | EN | 16+ | DO-214AA |
| 1SMB5929BT3G | 4500 | EN | 16+ | DO-214AA |
| 82C250T | 4500 | 15+ | COMPENSACIÓN | |
| ADM202EAN | 4500 | ANUNCIO | 16+ | INMERSIÓN |
IRF3205ZPBF
Mosfet AUTOMOTRIZ de la energía baja del mosfet del poder del MOSFET que cambia
Características
¿?► ¿Tecnología de proceso avanzada?
¿?► En-resistencia ultrabaja
¿?► ¿? ¿temperatura de funcionamiento 175°C?
¿?► ¿Transferencia rápida?
¿?► Avalancha repetidor permitida hasta Tjmax
¿?► Sin plomo
Descripción
Diseñado específicamente para los usos automotrices, la identificación = 75A este MOSFET del poder de HEXFETÆ utiliza las últimas técnicas de proceso para alcanzar extremadamente - onresistance bajo por área del silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento del empalme 175°C, velocidad rápidamente que cambia y grado repetidor mejorado de la avalancha. Estas características combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en usos automotrices y una amplia variedad de otros usos.
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