Enviar mensaje
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Hogar
productos
fabricantes
Sobre nosotros
recursos
Envíe el RFQ
transferencia directa
Hogar > productos > chips CI electrónicos > Mosfet ic ic eléctrico del poder del transistor del Mosfet del poder de IRFZ44NPBF

Mosfet ic ic eléctrico del poder del transistor del Mosfet del poder de IRFZ44NPBF

Mosfet ic ic eléctrico del poder del transistor del Mosfet del poder de IRFZ44NPBF
Mosfet ic ic eléctrico del poder del transistor del Mosfet del poder de IRFZ44NPBF
fabricante:
Fabricante
Descripción:
N-Channel 55 V 49A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Continuous Drain Current:
49 A
Pulsed Drain Current:
160 A
Power Dissipation:
94 W
Linear Derating Factor:
0.63 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 20 V
Repetitive Avalanche Energy:
9.4 mJ
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introducción

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
STU404D 5000 SAMHOP 15+ TO252
TB6560AHQ 5000 TOSHIBA 16+ CREMALLERA
TC4001BP 5000 TOSHIBA 16+ DIP-14
TCA785 5000 INFINECN 14+ INMERSIÓN
TCN75AVOA 5000 MICROCHIP 14+ SOIC-8
TCN75AVOA713 5000 MICROCHIP 14+ SOP8
TDA1524A 5000 16+ INMERSIÓN
TL072CP 5000 TI 16+ DIP8
TLP127 5000 TOSHIBA 13+ COMPENSACIÓN
TLP620-4 5000 TOSHIBA 15+ INMERSIÓN
TOP244YN 5000 PODER 16+ TO-220
TS274CDT 5000 ST 16+ SOP-14
TS924AIDT 5000 ST 14+ SOP-14
ST DE UC3844BD 5000 ST 14+ SOP8
UDA1341TS 5000 14+ SSOP28
VIPER22A 5000 ST 16+ DIP-8
VLF4012AT-4R7M1R1 5000 TDK 16+ SMD
PBSS5160T 5001 13+ SOT-23
PL2303 5001 PROLÍFICO 15+ SSOP
NDT451AN 5002 FSC 16+ SOT223
MAX1681ESA 5008 MÁXIMA 16+ SOP8
HFJ11-2450E-L12 5009 HALOELECT 14+ RJ45
L6598 5010 ST 14+ SOP16
ZM4744A 5100 VISHAY 14+ LL41
HCNW136 5101 AVAGO 16+ DIP8
CQ1565RT 5111 FAIRCHILD 16+ TO-220
FZT758TA 5111 ZETEX 13+ SOT223
LM324DR 5111 TI 15+ SOP-14
TFA9842 5112 16+ CREMALLERA
MAX483ESA 5117 MÁXIMA 16+ SOP-8

IRFZ44NPbF

MOSFET del poder de HEXFET®

  • ¿Tecnología de proceso avanzada?
  • ¿En-resistencia ultrabaja?
  • ¿Grado dinámico de dv/dt?
  • ¿temperatura de funcionamiento 175°C?
  • ¿Transferencia rápida?
  • ¿Completamente avalancha clasificada?
  • Sin plomo

VDSS = 55V

RDS (encendido) = 17.5mΩ

Identificación = 49A

Descripción

Los MOSFETs avanzados del poder de HEXFET® del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.

El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en la industria.

Grados máximos absolutos

Parámetro Máximo. Unidades
Identificación @ TC = 25°C Corriente continua del dren, VGS @ 10V 49
Identificación @ TC = 100°C Corriente continua del dren, VGS @ 10V 35
IDM ¿Corriente pulsada del dren? 160
Paladio @TC = 25°C Disipación de poder 94 W
Factor que reduce la capacidad normal linear 0,36 W/°C
VGS Voltaje de la Puerta-a-fuente ± 20 V
IAR ¿Corriente de la avalancha? 25
OÍDO ¿Energía repetidor de la avalancha? 9,4 mJ
dv/dt Recuperación máxima dv/dt del diodo 5,0 V/ns

TJ

TSTG

Empalme de funcionamiento y

Gama de temperaturas de almacenamiento

 -55 a + 175 °C
Temperatura que suelda, por 10 segundos 300 (1.6m m de caso) °C
Montando el esfuerzo de torsión, 6-32 o el srew M3 10 lbf•en (1.1N•m)

Esquema del paquete de TO-220AB

Las dimensiones se muestran en los milímetros (las pulgadas)

Información de marcado de la pieza de TO-220AB

PRODUCTOS RELACIONADOS
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Imagen parte # Descripción
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
20pcs
Contáctenos
Dirección: Sala 1204, Edificio Internacional DingCheng, 518028 Distrito Futian, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Teléfono: 86-755-88367702
productos

Chip CI de memoria Flash

Chip CI programable

Chips CI del ordenador

Conductor ICs del LED

Gestión ICs del poder

Chips de circuito integrado

Unidad de microcontrolador MCU

Conductor ICs de la exhibición

Módulo de potencia IGBT

Chips CI del amplificador
Sobre nosotros
Sobre nosotros Certificado del ISO Control de calidad Políticas de privacidad Centro de la ayuda
Políticas de privacidad | Buena calidad de China Chip CI de memoria Flash Proveedor. © de Copyright 2023 icmemorychip.com . Todos los derechos reservados.