IRF740PBF-BE3 mosfet dual del poder del MOSFET del poder del CANAL TO-220
fabricante:
Fabricante
Descripción:
N-Channel 400 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Drain-source Voltage (VGS = 0):
400 V
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ):
400 V
Gate-source Voltage:
± 20 V
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC:
10 A
Drain Current (continuous) at Tc = 100 o C:
6.3 A
Punto culminante:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Introducción
Lista COMÚN
| PM200RSA060 | 120 | MITSUBISH | 13+ | MOUDLE |
| MSM5219BGS-K-7 | 550 | OKI | 14+ | QFP |
| PS11003-C | 500 | MITSUBISH | 12+ | MÓDULO |
| MB87020PF-G-BND | 3531 | FUJITSU | 14+ | QFP |
| MA2820 | 7689 | SHINDENG | 16+ | CREMALLERA |
| 7MBP150RTB060 | 210 | FUJI | 12+ | MÓDULO |
| MBM200HS6B | 629 | HITACHI | 14+ | MÓDULO |
| PM25RSK120 | 320 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| QM150DY-H | 150 | MITSUBISH | 13+ | MÓDULO |
| PWB130A40 | 120 | SANREX | 14+ | MÓDULO |
| LA1185 | 3928 | SANYO | 14+ | SIP9 |
| BSM25GP120 | 458 | EUPEC | 15+ | MÓDULO |
| LM2750LD-ADJ | 3000 | NSC | 14+ | QFN |
| NCN1188MUTAG | 8480 | EN | 16+ | UQFN |
| NCN1154MUTAG | 8400 | EN | 16+ | UQFN |
| LM2745MTCX | 3000 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
| L78L05ABD | 10000 | ST | 15+ | SOP8 |
| AT24C08BN-SH | 5000 | ATMEL | 15+ | SOP-8 |
| PS21563-P | 500 | MITSUBISH | 12+ | MÓDULO |
| BNX003-01 | 2058 | MURATA | 14+ | INMERSIÓN |
| LTC4441IMSE | 6207 | LINEAR | 14+ | MSOP |
| PA0173NLT | 7386 | PULSO | 16+ | COMPENSACIÓN |
| P0926NL | 8560 | PULSO | 16+ | COMPENSACIÓN |
| PM10CSJ060 | 145 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| PH150S280-24 | 914 | Lambda | 16+ | IGBT |
| LM75CIMX-5 | 4325 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| PDT15016 | 392 | NIEC | 14+ | MÓDULO |
| CXA3834M | 2531 | SONY | 15+ | COMPENSACIÓN |
| NS8002 | 40000 | NSIWAY | 16+ | COMPENSACIÓN |
| MP8707EN-LF-Z | 5854 | P.M. | 16+ | COMPENSACIÓN |
| MAP3202 | 3234 | MAGNACHIP | 16+ | COMPENSACIÓN |
| PS20660-MRZ | 200 | MITSUBISH | 05+ | MÓDULO |
| PK55GB80 | 80 | SANREX | 12+ | MÓDULO |
| BSM200GD60DLC | 368 | EUPEC | 14+ | MÓDULO |
| LV8401V-TLM-E | 5128 | EN | 16+ | SSOP |
| 2DI150D-050C | 991 | FUJI | 14+ | MÓDULO |
| QM50HA-H | 300 | MITSUBISH | 13+ | MÓDULO |
IRF740 mosfet dual del poder del MOSFET del poder del CANAL N TO-220
■RDS TÍPICO (encendido) = 0,48 Ω
■CAPACIDAD EXTREMADAMENTE ALTA de dv/dt
■LA AVALANCHA 100% PROBÓ
■CAPACITANCIAS INTRÍNSECAS BAJAS MISMAS
■LA CARGA DE LA PUERTA MINIMIZÓ
DESCRIPCIÓN
Este MOSFET del poder se diseña usando la MALLA disposición-basada tira consolidada de la compañía CUBRIÓ proceso del . Esta tecnología hace juego y mejora los funcionamientos comparados con las partes estándar de diversas fuentes.
USOS
■TRANSFERENCIA DE GRAN INTENSIDAD
■SISTEMA DE ALIMENTACIÓN ININTERRUMPIDA (UPS)
■DC/DC COVERTERS PARA LAS TELECOMUNICACIONES, INDUSTRIAL,
Y EQUIPO DE ILUMINACIÓN.
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