TRIAC ESTÁNDAR del mosfet ic del poder del transistor del Mosfet del poder de BTA16-600BRG
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Oferta común (venta caliente)
Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
MAX6301CSA | 3120 | MÁXIMA | 14+ | SOP8 |
MUR1520G | 3120 | EN | 14+ | TO-220 |
TPS71501DCKR | 3120 | TI | 14+ | SC70-5 |
ULN2803LW | 3120 | ALLEGRO | 16+ | SOP18 |
LTC1728ES5 | 3122 | LINEAR | 16+ | SOT153 |
NC7WZ16P6X | 3125 | FAIRCHILD | 13+ | SOT-363 |
MBi5026GF | 3130 | MBI | 15+ | SOP24 |
DS15BA101SDE | 3144 | NS | 16+ | LLP16 |
L6569AD013 | 3145 | ST | 16+ | SOP-8 |
PIC12F683-I/P | 3145 | MICROCHIP | 14+ | DIP8 |
IR2110S | 3168 | IR | 14+ | SOP16 |
HD74LS48P | 3174 | HITACHI | 14+ | INMERSIÓN |
2N5458 | 3200 | FAIRCHILD | 16+ | TO-92 |
2SC2655 | 3200 | TOSHIBA | 16+ | TO-92L |
2SK405 | 3200 | NEC | 13+ | SOT523 |
ATMEGA64-16AU | 3200 | ATMEL | 15+ | QFP |
B3F-1000 | 3200 | OMRON | 16+ | INMERSIÓN |
CD4046BE | 3200 | TI | 16+ | INMERSIÓN |
HCPL4503 | 3200 | FSC | 14+ | INMERSIÓN |
HEF4538BP | 3200 | 14+ | INMERSIÓN | |
IPD090N03 | 3200 | 14+ | TO-252 | |
IRL3803S | 3200 | IR | 16+ | TO-263 |
KA3525 | 3200 | FSC | 16+ | DIP-16 |
L9822EPD | 3200 | ST | 13+ | SOP-20 |
LM4040CIM3-2.5 | 3200 | NS | 15+ | SOT-23 |
MAX3386ECUP-T | 3200 | MÁXIMA | 16+ | TSSOP |
MC14504BCP | 3200 | MOT | 16+ | INMERSIÓN |
PIC18F8680-I/PT | 3200 | MICROCHIP | 14+ | QFP |
SG3525 | 3200 | ST | 14+ | INMERSIÓN |
SN74AHCT594PWR | 3200 | TI | 14+ | TSSOP |
BTB16 B
TRIAC ESTÁNDAR
CARACTERÍSTICAS
. ALTA CAPACIDAD DE LA SOBRETENSIÓN
. CONMUTACIÓN: (dV/dt) c > 10V/µs
. Familia de BTA:
VOLTAJE AISLADOR = 2500V (RMS)
(LA UL RECONOCIÓ: E81734)
DESCRIPCIÓN
La familia del triac de BTA/BTB16 B es dispositivos apaciguados de cristal del alto rendimiento PNPN.
Estas piezas son suitables para los usos de fines generales donde se requiere la alta capacidad de la sobretensión. Uso tal como control de fase y transferencia estática en carga inductiva o resistente.
GRADOS ABSOLUTOS (valores límites)
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | ||
LAS TIC (RMS) |
Corriente del en-estado del RMS (ángulo de la conducción 360°) |
BTA | Tc = °C 80 | 16 | |
BTB | Tc = °C 90 | ||||
ITSM |
Corriente máxima del en-estado de la oleada no repetidor (Tj = 25°C) inicial |
tp = ms 8,3 | 170 | ||
tp = ms 10 | 160 | ||||
I2t | Ivalorde2t | tp = ms 10 | 128 | 2s | |
dI/dt |
Índice crítico de subida de la corriente del en-estado Fuente de la puerta: IG = 500mA diG/dt = 1A/µs
|
Repetidor F = 50 herzios |
10 | A/µs | |
No repetidor | 50 | ||||
Tstg Tj |
Gama de temperaturas de empalme del almacenamiento y del funcionamiento |
- 40 a + 150 - 40 a + 125 |
°C | ||
TL | Temperatura máxima de la ventaja para soldar durante 10 s en 4,5 milímetros del caso | 260 | °C |
DATOS MECÁNICOS DEL PAQUETE
Plástico de TO220AB

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
