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Hogar > productos > chips CI electrónicos > PODER COMPLEMENTARIO DARLICM GROUPONS 5,0 A, 100 V, mosfet dual del SILICIO de MJF122G del poder del mosfet del poder del alto voltaje de 30 W

PODER COMPLEMENTARIO DARLICM GROUPONS 5,0 A, 100 V, mosfet dual del SILICIO de MJF122G del poder del mosfet del poder del alto voltaje de 30 W

PODER COMPLEMENTARIO DARLICM GROUPONS 5,0 A, 100 V, mosfet dual del SILICIO de MJF122G del poder del mosfet del poder del alto voltaje de 30 W
PODER COMPLEMENTARIO DARLICM GROUPONS 5,0 A, 100 V, mosfet dual del SILICIO de MJF122G del poder del mosfet del poder del alto voltaje de 30 W
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220FP
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
ÎÎ:
100 V
VRRM:
75 V
VR(RMS):
53 V
IFM:
300 mA
IO:
200 mA
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introducción

Poder complementario DarliCM GROUPons

Para los usos aislados del paquete

Diseñado para los amplificadores del general−purpose y los usos que cambian, donde la superficie de montaje del dispositivo se requiere para ser aislada eléctricamente del disipador de calor o del chasis.

Características

• Eléctricamente similar al TIP122 y al TIP127 populares

• 100 VCEO (sus)

• 5,0 una corriente de colector clasificada

• Ningunas lavadoras de aislamiento requirieron

• Coste de sistema reducido

• Alto − 2000 (minuto) @ IC del aumento actual de DC = 3 ADC

• La UL reconoció, el fichero #E69369, al aislamiento de 3500 VRMS

• Los paquetes de Pb−Free son Available*

Respuesta termal

Hay dos limitaciones en la capacidad del manejo de la potencia de un transistor: temperatura de empalme media y segunda avería. Las curvas del área de funcionamiento seguro indican que el − VCE de IC limita del transistor que se debe observar para la operación confiable; es decir, el transistor no se debe sujetar a la mayor disipación que las curvas indican.

Los datos del cuadro 5 se basan en TJ (PK) = 150C; El TC es variable dependiendo de condiciones. Los límites secundarios del pulso de la avería son válidos para los ciclos de trabajo hasta TJ proporcionado el 10% (PK) < 150C="">

LISTA COMÚN

CXA3834M 2531 SONY 15+ COMPENSACIÓN
NS8002 40000 NSIWAY 16+ COMPENSACIÓN
MP8707EN-LF-Z 5854 P.M. 16+ COMPENSACIÓN
MAP3202 3234 MAGNACHIP 16+ COMPENSACIÓN
PS20660-MRZ 200 MITSUBISH 05+ MÓDULO
PK55GB80 80 SANREX 12+ MÓDULO
BSM200GD60DLC 368 EUPEC 14+ MÓDULO
LV8401V-TLM-E 5128 EN 16+ SSOP
2DI150D-050C 991 FUJI 14+ MÓDULO
QM50HA-H 300 MITSUBISH 13+ MÓDULO
XC3S250E-4TQG144C 1968 XILINX 15+ QFP144
CY7C68014A-100AXC 1156 CYPRESS 15+ QFP
LP2985A-10DBVR 4710 TI 15+ SOT-23-5
PB4350 10940 16+ SOT-23
M27C512-70XF1 4087 ST 16+ INMERSIÓN
QM200DY-H 250 MITSUBISH 12+ MÓDULO
ATTINY85-20PU 500 ATMEL 14+ DIP-8
A50L-0001-0284 100 FUJI 10+ MÓDULO
PC357N1TJ00F 10000 SOSTENIDO 16+ COMPENSACIÓN
2MBI150US-120-50 388 FUJI 14+ MÓDULO
2MBI75P-140 523 FUJI 12+ MÓDULO
LNK364PN 4211 PODER 15+ DIP-7
RA30H2127M 200 MITSUBISH 12+ MÓDULO
CM110YE4-12F 228 MITSUBI 15+ MÓDULO
MRF321 642 MOT 14+ TO-55s
A3972SB 1000 ALLEGRO 13+ DIP-24
MR4010 6253 SHINDENGE 16+ TO220-7
PMD1000 5000 ALLEGRO 10+ QFP-48
LTC2294IUP 726 LT 15+ QFN

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