MOSFET dual II del ohmio TO-220 PowerMESH del CANAL N 600V 1,8 del transistor del Mosfet del poder del mosfet del poder IRFBC30]
![MOSFET dual II del ohmio TO-220 PowerMESH del CANAL N 600V 1,8 del transistor del Mosfet del poder del mosfet del poder IRFBC30]](/images/load_icon.gif){kind=icon}
npn smd transistor
,multi emitter transistor
IRFBC30
N - CANAL 600V - Ω 1,8 - 3.6A - MOSFET de TO-220 PowerMESHTM ΙΙ
| TIPO | VDSS | RDS (encendido) | Identificación |
| IRFBC30 | 600 V | < 2=""> | 3,6 A |
TO-220
■Ω TÍPICO 1,8 del RDS (encendido) =
■CAPACIDAD EXTREMADAMENTE ALTA de dv/dt
■LA AVALANCHA 100% PROBÓ
■CAPACITANCIAS INTRÍNSECAS BAJAS MISMAS
■LA CARGA DE LA PUERTA MINIMIZÓ
DESCRIPCIÓN
El PowerMESHTM ΙΙ es la evolución de la primera generación de la MALLA OVERLAYTM. Los refinamientos de la disposición introducidos grandemente para mejorar la figura de Ron*area del mérito mientras que guarda el dispositivo en el borde delantero por qué preocupaciones velocidad que cambia, carga de la puerta y aspereza.
USOS
■TRANSFERENCIA DE GRAN INTENSIDAD, DE ALTA VELOCIDAD
■FUENTES DE ALIMENTACIÓN DEL MODO DE SWITH (SMPS)
■CONVERTIDORES DE DC-AC PARA EL EQUIPO DE SOLDADURA Y LOS SISTEMAS DE ALIMENTACIÓN ININTERRUMPIDA Y EL CONDUCTOR DEL MOTOR
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| VDS | voltaje de la Dren-fuente (VGS = 0) | 600 | V |
| VDGR | Voltaje de la puerta del dren (RGS = kΩ 20) | 600 | V |
| VGS | voltaje de la Puerta-fuente | ± 20 | V |
| Identificación | Drene actual (continuo) en Tc = el ℃ 25 | 3,6 | |
| Identificación | Drene actual (continuo) en Tc = el ℃ 100 | 2,3 | |
| IDM (•) | Corriente del dren (pulsada) | 14 | |
| Ptot | Disipación total en Tc = ℃ 25 | 75 | W |
| Reducir la capacidad normal de factor | 0,6 | W/℃ | |
| dv/dt (1) | Cuesta máxima del voltaje de la recuperación del diodo | 3 | V/ns |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -65 a 150 | ℃ |
| Tj | Temperatura de empalme de Max. Operating | 150 | ℃ |
(•) Anchura de pulso limitada por área de funcionamiento seguro
(1) DSI ≤3.6 A, ≤ 60 A/µs, ≤ V (BR) DSS, ≤ TJMAX de di/dt de VDD de Tj
DIAGRAMA ESQUEMÁTICO INTERNO
DATOS MECÁNICOS TO-220
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC