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Hogar > productos > chips CI electrónicos > ¿CANAL N de fines generales MDmesh del transistor del Mosfet del poder del transistor del npn de STP20NM60FP? MOSFET del poder

¿CANAL N de fines generales MDmesh del transistor del Mosfet del poder del transistor del npn de STP20NM60FP? MOSFET del poder

¿CANAL N de fines generales MDmesh del transistor del Mosfet del poder del transistor del npn de STP20NM60FP? MOSFET del poder
¿CANAL N de fines generales MDmesh del transistor del Mosfet del poder del transistor del npn de STP20NM60FP? MOSFET del poder
fabricante:
Fabricante
Descripción:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220FP
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Drain-source Voltage (VGS = 0):
600 V
Drain-gate Voltage (RGS = 20 kΩ):
600 V
Gate- source Voltage:
±30 V
Peak Diode Recovery voltage slope:
15 V/ns
Storage Temperature:
-65 to 150 °C
Max. Operating Junction Temperature:
150 °C
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introducción

STP20NM60-STP20NM60FP-STW20NM60

STB20NM60 - STB20NM60-1

CANAL N 600V - 0.25Ω - MOSFET del ² PAK/TO-247 MDmesh™ del ² /I de 20A TO-220/FP/D

Características generales

TIPO VDSS RDS (encendido) Identificación

STP20NM60

STP20NM60FP

STB20NM60

STB20NM60-1

STW20NM60

600 V

600 V

600 V

600 V

600 V

< 0="">

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< 0="">

20 A

20 A

20 A

20 A

20 A

■RDS TÍPICO (encendido) = 0,25 Ω

■ALTAS CAPACIDADES de dv/dt Y de la AVALANCHA

■LA AVALANCHA 100% PROBÓ

■CARGA ENTRADA BAJA DE LA CAPACITANCIA Y DE LA PUERTA

■RESISTENCIA ENTRADA BAJA DE PUERTA

DESCRIPCIÓN

El MDmesh™ es una nueva tecnología revolucionaria del MOSFET que asocia el proceso múltiple del dren a la disposición horizontal de PowerMESH™ de la compañía. El producto resultante tiene una en-resistencia baja excepcional, impresionante alto dv/dt y características excelentes de la avalancha. La adopción de la técnica propietaria de la tira de la compañía rinde el funcionamiento dinámico total que es perceptiblemente mejor que el de los productos de la competencia similar.

USOS

La familia de MDmesh™ es muy conveniente para la densidad de poder cada vez mayor de convertidores de alto voltaje permitiendo la miniaturización del sistema y eficacias más altas.

Grados máximos absolutos

Símbolo Parámetro Valor Unidad

² PAK/DE TO-220/D

² PAK/TO-247 DE I

 TO-220FP
VDS voltaje de la Dren-fuente (VGS = 0) 600 V
VDGR voltaje de la Dren-puerta (RGS = kΩ 20) 600 V
VGS Voltaje de fuente de puerta ±30 V
Identificación Drene actual (continuo) en TC = 25°C 20 20 (*)
Identificación Drene actual (continuo) en TC = 100°C 12,6 12,6 (*)
IDM (•?) Corriente del dren (pulsada) 80 80 (*)
PTOT Disipación total en TC = 25°C 192 45 W
Reducir la capacidad normal de factor 1,2 0,36 W/°C
dv/dt (1) Cuesta máxima del voltaje de la recuperación del diodo 15 V/ns
VISO Voltaje de Winthstand del aislamiento (DC) - 2500 V
Tstg Temperatura de almacenamiento -65 a 150 °C
Tj Temperatura de empalme de Max. Operating 150 °C

(•??) anchura de pulso limitada por área de funcionamiento seguro

(1) ≤ 20 A, ≤ 400 A/µs, ≤ V (BR) /DSS, ≤ TJMAX de la DSI de di/dt de VDD de Tj

(*) limitó solamente por la temperatura máxima permitida

Paquete

Diagrama esquemático interno

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Q'ty MFG D/C Paquete
SAP16NY 200 SANKEN 06+ TO-3P
LM393DR2G 25000 EN 15+ SOP-8
LM2931AD2T-5.0R4G 3000 EN 15+ SOT-263
MXL683-AF-R 3680 MAXLINEAR 16+ QFN
MPU-9150 6050 INVENSEN 14+ QFN
PIC16F648A-I/P 5108 MICROCHIP 14+ INMERSIÓN
LM2936DTX-3.3 3608 NSC 14+ SOT-252
MSP430G2553IPW28R 6862 TI 16+ TSSOP
PIC18F65K90-I/PT 4323 MICROCHIP 14+ TQFP
MCP809T-315I/TT 5656 MICROCHIP 11+ SOT-23
L6385ED013TR 3895 ST 14+ SOP8
LA6358N 3950 SANYO 09+ SOP-8
LM317HVT 500 NSC 14+ TO-220
CY7B933-400JXC 1046 CYPRESS 15+ PLCC
LNBH24PPR 1633 ST 14+ SSOP-36
PCA9538PW 12240 14+ TSSOP
MCP73831T-2DCI/OT 5584 MICROCHIP 16+ SOT23-5
PTH08T230WAD 800 TI 14+ INMERSIÓN
LMH0344SQ 2972 NSC 13+ WQFN-16
LMH0002SQ 1632 TI 14+ QFN
LM2598SX-ADJ 3000 NSC 15+ TO-263

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