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Hogar > productos > chips CI electrónicos > Transferencia eléctrica del transistor del Mosfet del poder de IC ic del interruptor off-line RDN100N20 (200V, 10A)

Transferencia eléctrica del transistor del Mosfet del poder de IC ic del interruptor off-line RDN100N20 (200V, 10A)

Transferencia eléctrica del transistor del Mosfet del poder de IC ic del interruptor off-line RDN100N20 (200V, 10A)
Transferencia eléctrica del transistor del Mosfet del poder de IC ic del interruptor off-line RDN100N20 (200V, 10A)
Transferencia eléctrica del transistor del Mosfet del poder de IC ic del interruptor off-line RDN100N20 (200V, 10A)
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Canal N 200 V 10A (Ta) 35W (Tc) Orificio pasante TO-220FN
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de la Dren-fuente:
200 V
Voltaje de la Puerta-fuente:
±30 V
Drene actual (continuo):
10 A
Corriente de la avalancha:
10 A
Energía de la avalancha:
120 mJ
Temperatura de almacenamiento:
−55 al °C +150
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introducción

Transferencia (200V, 10A)

RDN100N20

Características

1) En-resistencia baja.

2) Capacitancia baja de la entrada.

3) Resistencia excelente a dañar de electricidad estática.

Uso

Transferencia

Estructura

Canal N del silicio

FET DEL MOS

Grados máximos absolutos (Ta=25°C)

Parámetro Símbolo Límites Unidad
Voltaje de la Dren-fuente VDSS 200 V
Voltaje de la Puerta-fuente VGSS ±30 V
Drene actual Continuo Identificación 10
Pulsado IDP *1 40
Corriente reversa del dren Continuo IDR 10
Pulsado IDRP *1 40
Corriente de la avalancha IAS *2 10
Energía de la avalancha EAS *2 120 mJ
Disipación de poder total (TC=25°C) Paladio 35 W
Temperatura del canal Tch 150 °C
Temperatura de almacenamiento Tstg −55 a +150 °C

≤ 10µs, ≤ el 1% de ∗1 picovatio del ciclo de trabajo

∗2 L 4.5mH, VDD=50V, RG=25Ω, 1Pulse, Tch=25°C

Dimensiones externas (unidad: milímetro)

Circuito equivalente

el diodo de la protección del ∗A se incluye entre la puerta y los terminales de origen para proteger el diodo contra electricidad estática cuando el producto es funcionando. Utilice el circuito de protección cuando se exceden los voltajes fijos.

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Q'ty MFG D/C Paquete
MC14541BCPG 7328 EN 16+ INMERSIÓN
MAX187BCPA+ 2250 MÁXIMA 14+ INMERSIÓN
BLF177 580 12+ TO-59
LM2678SX-3.3 2000 NSC 14+ TO-263-7
RA60H1317M1A 800 MITSUBISH 14+ MÓDULO
MAX3095CSE+ 9500 MÁXIMA 16+ COMPENSACIÓN
MAX13088EESA 5050 MÁXIMA 15+ COMPENSACIÓN
MAX13088EASA+ 5000 MÁXIMA 16+ COMPENSACIÓN
MC68HC908AZ60CFU 3742 FREESCALE 15+ QFP
LM833DR2G 10000 EN 14+ SOP-8
MAX3072EESA+ 9050 MÁXIMA 16+ COMPENSACIÓN
MC68HC08AZ32ACFU 2594 FREESCALE 16+ QFP
MCP6004T-I/ST 5434 MICROCHIP 13+ TSSOP
CY62128DV30LL-55ZXI 1500 CYPRESS 13+ TSOP32
PDTC143TE 20000 16+ BORRACHÍN
MAX8815AETB+T 9383 MÁXIMA 15+ TDFN
PI74AVC164245AEX 8700 PERICOM 15+ TSSOP
OPA735AIDR 8220 TI 16+ SOP-8
LT1460EIS8-5 9774 LINEAR 14+ SOP-8
MRF559 6449 MOT 14+ TO-50
LT1013CDR 7970 TI 15+ SOP-8

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