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FET componente del nivel de la lógica de TrenchMOS del transistor del Mosfet del poder del transistor de la electrónica de BUK9507-30B

FET componente del nivel de la lógica de TrenchMOS del transistor del Mosfet del poder del transistor de la electrónica de BUK9507-30B
FET componente del nivel de la lógica de TrenchMOS del transistor del Mosfet del poder del transistor de la electrónica de BUK9507-30B
fabricante:
Fabricante
Descripción:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 157W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
drain-source voltage:
30 V
drain-gate voltage:
30 V
gate-source voltage:
±15 V
corriente máxima del dren:
435 A
total power dissipation:
157 W
storage temperature:
−55 to +175 °C
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introducción

BUK95/9607-30B

FET del nivel de la lógica de TrenchMOS™

Descripción

Transistor de poder del efecto de campo del modo del aumento del canal N en un paquete plástico usando la tecnología de Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS™.

Disponibilidad de producto:

BUK9507-30B en SOT78 (TO-220AB)

BUK9607-30B en SOT404 (D2-PAK).

Características

■Resistencia baja del en-estado

■Q101 obediente

■el °C 175 valoró

■Nivel de la lógica compatible.

Usos

■Sistemas automotrices

■12 cargas de V

■Motores, lámparas y solenoides

■Transferencia de fines generales del poder.

Datos de referencia rápida

■≤ 327 mJ del EDS (AL) S

■RDSon = mΩ 5,9 (tipo)

■≤ 75 A DE LA IDENTIFICACIÓN

■≤ 157 W. de Ptot.

Valores límites

De acuerdo con el sistema de calificación máximo absoluto (IEC 60134).

Símbolo Parámetro Condiciones Minuto Máximo Unidad
VDS voltaje de la dren-fuente (DC) - 30 V
VDGR voltaje de la dren-puerta (DC) RGS = kΩ 20 - 30 V
VGS voltaje de la puerta-fuente (DC) - ±15 V
Identificación corriente del dren (DC)

Tmb = °C 25; VGS = 5 V;

Cuadro 2 y 3

 [1] - 108
[2] - 75

Tmb = °C 100; VGS = 5 V;

Cuadro 2

 [1] - 75
IDM corriente máxima del dren

Tmb = °C 25; pulsado; µs del ≤ 10 del tp;

Cuadro 3

 - 435
Ptot disipación de poder total Tmb = °C 25; Cuadro 1 - 157 W
Tstg temperatura de almacenamiento -55 +175 °C
Tj temperatura de empalme -55 +175 °C

[1] corriente es limitada por el grado del microprocesador de la disipación de poder.

[2] la corriente continua es limitada por el paquete.

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Q'ty MFG D/C Paquete
AT42QT1040-MMH 4187 ATMEL 15+ VQFN-20
LMV7219M5X 4183 NSC 14+ SOT-23-5
AT90USB1286-AU 4182 ATMEL 15+ QFP64
BUH517 4182 ST 14+ TO-3P
PIC16F913-I/SS 4178 MICROCHIP 14+ SSOP
MAR9109PD 4175 ST 14+ SSOP
LTC1665CGN#PBF 4169 LINEAR 14+ SSOP
MBI5026GP 4166 MBI 15+ SSOP
AD8362ARUZ 4158 ANUNCIO 15+ TSSOP-16
LNK605DG 4156 PODER 15+ DIP-7
AD8495ARMZ 4156 ANUNCIO 15+ MSOP-8
M66005-0001AFP 4150 RENESAS 15+ SSOP
ADM206AR 4149 ANUNCIO 15+ SOP24
AD5246BKSZ100-RL7 4139 ANUNCIO 15+ SOT23
AD5621AKSZ-REEL7 4133 ANUNCIO 15+ SC70-6
AD820ARMZ 4133 ANUNCIO 14+ MSOP-8
M61530FP 4125 MIT 13+ SSOP
LPC1342FHN33 4122 15+ HVQFN33
LP2980IM5X-5.0 4121 NSC 14+ SOT-23-5
LP2950CZ-3.3 4121 NSC 15+ TO-92
AD9235BCPZ-40 4121 ANUNCIO 14+ FCSP-72

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