N - El CANAL Zener protegió el transistor⑩ STP10NK80ZFP del Mosfet del poder de SuperMESH
npn smd transistor
,multi emitter transistor
STP10NK80Z - STP10NK80ZFP
STW10NK80Z
El CANAL N 800V - 0.78Ω - 9A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-protegió el MOSFET de SuperMESH™Power
TIPO | VDSS | RDS (encendido) | Identificación | Picovatio |
STP10NK80Z STP10NK80ZFP STW10NK80Z | 800 V 800 V 800 V | < 0=""> < 0=""> < 0=""> | 9 A 9 A 9 A | 160 W 40 W 160 W |
■RDS TÍPICO (encendido) = 0,78 Ω
■CAPACIDAD EXTREMADAMENTE ALTA de dv/dt
■LA AVALANCHA 100% PROBÓ
■LA CARGA DE LA PUERTA MINIMIZÓ
■CAPACITANCIAS INTRÍNSECAS BAJAS MISMAS
■BUEN REPEATIBILITY DE FABRICACIÓN MISMO
DESCRIPCIÓN
La serie de SuperMESH™ se obtiene con una optimización extrema de la disposición stripbased establecida de PowerMESH™ del ST. Además de empujar en-resistencia perceptiblemente hacia abajo, el cuidado especial se toma para asegurar una capacidad muy buena de dv/dt para los usos más exigentes. Tal serie complementa la gama completa del ST de MOSFETs de alto voltaje incluyendo los productos revolucionarios de MDmesh™.
USOS
■TRANSFERENCIA DE GRAN INTENSIDAD, DE ALTA VELOCIDAD
■FUENTES DE ALIMENTACIÓN DEL MODO DEL INTERRUPTOR
■CONVERTIDORES DE DC-AC PARA LA SOLDADURA, UPS Y LA IMPULSIÓN DEL MOTOR
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | ||
STP10NK80Z | STP10NK80ZFP | STW10NK80Z | |||
VDS | voltaje de la Dren-fuente (VGS = 0) | 800 | V | ||
VDGR | voltaje de la Dren-puerta (RGS = kΩ 20) | 800 | V | ||
VGS | Voltaje de fuente de puerta | ± 30 | V | ||
Identificación | Drene actual (continuo) en TC = 25°C | 9 | 9 (*) | 9 | |
Identificación | Drene actual (continuo) en TC = 100°C | 6 | 6 (*) | 6 | |
IDM (•?) | Corriente del dren (pulsada) | 36 | 36 (*) | 36 | |
PTOT | Disipación total en TC = 25°C | 160 | 40 | 160 | W |
Reducir la capacidad normal de factor | 1,28 | 0,32 | 1,28 | W/°C | |
VESD (G-S) | Fuente ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) de la puerta | 4 | Kilovoltio | ||
dv/dt (1) | Cuesta máxima del voltaje de la recuperación del diodo | 4,5 | V/ns | ||
VISO | El aislamiento soporta el voltaje (DC) | - | 2500 | - | V |
Tj Tstg | Temperatura de empalme de funcionamiento Temperatura de almacenamiento | -55 a 150 -55 a 150 | °C |
¿(? •) Anchura de pulso limitada por área de funcionamiento seguro
(1) DSI ≤9A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) DSS, ≤ TJMAX de VDD de Tj.
(*) limitó solamente por la temperatura máxima permitida
Oferta común (venta caliente)
Número de parte. | Q'ty | MFG | D/C | Paquete |
LB1240 | 6500 | EN | 14+ | DIP18 |
A4982SLPTR-T | 6500 | ALLEGRO | 15+ | TSSOP-24 |
ADS1110A0IDBVR | 6494 | TI | 15+ | SOT23-6 |
AD8655ARZ | 6490 | ANUNCIO | 15+ | SOP-8 |
MAX3072EESA+ | 6489 | MÁXIMA | 13+ | COMPENSACIÓN |
ATMEGA32-16AU | 6489 | ATMEL | 15+ | QFP44 |
MAX3100CEE+ | 6481 | MÁXIMA | 14+ | SSOP |
MAX4714EXT | 6480 | MÁXIMA | 15+ | BORRACHÍN |
AD8676ARZ | 6476 | ANUNCIO | 15+ | SOP-8 |
LA7911 | 6475 | SANYO | 15+ | DIP-16 |
ADP1710AUJZ-R7 | 6462 | ANUNCIO | 14+ | SOT23 |
LA3600 | 6450 | SANYO | 10+ | DIP-16 |
L6221C | 6425 | ST | 13+ | DIP-16 |
MAX8211ESA+ | 6419 | MÁXIMA | 13+ | COMPENSACIÓN |
PIC10F222T-I/OT | 6409 | MICROCHIP | 14+ | BORRACHÍN |
LT3572EUF#PBF | 6408 | LINEAR | 14+ | QFN |
L293B | 6400 | ST | 12+ | DIP16 |
MAX3077EESA | 6390 | MÁXIMA | 12+ | COMPENSACIÓN |
MBI5039GP | 6387 | MBI | 15+ | SSOP |
MPC801KG | 6375 | BB | 14+ | INMERSIÓN |
PIC16F1828-I/SS | 6374 | MICROCHIP | 15+ | SSOP |