N - El CANAL Zener protegió el transistor⑩ STP10NK80ZFP del Mosfet del poder de SuperMESH
npn smd transistor
,multi emitter transistor
STP10NK80Z - STP10NK80ZFP
STW10NK80Z
El CANAL N 800V - 0.78Ω - 9A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-protegió el MOSFET de SuperMESH™Power
| TIPO | VDSS | RDS (encendido) | Identificación | Picovatio |
STP10NK80Z STP10NK80ZFP STW10NK80Z | 800 V 800 V 800 V | < 0=""> < 0=""> < 0=""> | 9 A 9 A 9 A | 160 W 40 W 160 W |
■RDS TÍPICO (encendido) = 0,78 Ω
■CAPACIDAD EXTREMADAMENTE ALTA de dv/dt
■LA AVALANCHA 100% PROBÓ
■LA CARGA DE LA PUERTA MINIMIZÓ
■CAPACITANCIAS INTRÍNSECAS BAJAS MISMAS
■BUEN REPEATIBILITY DE FABRICACIÓN MISMO
DESCRIPCIÓN
La serie de SuperMESH™ se obtiene con una optimización extrema de la disposición stripbased establecida de PowerMESH™ del ST. Además de empujar en-resistencia perceptiblemente hacia abajo, el cuidado especial se toma para asegurar una capacidad muy buena de dv/dt para los usos más exigentes. Tal serie complementa la gama completa del ST de MOSFETs de alto voltaje incluyendo los productos revolucionarios de MDmesh™.
USOS
■TRANSFERENCIA DE GRAN INTENSIDAD, DE ALTA VELOCIDAD
■FUENTES DE ALIMENTACIÓN DEL MODO DEL INTERRUPTOR
■CONVERTIDORES DE DC-AC PARA LA SOLDADURA, UPS Y LA IMPULSIÓN DEL MOTOR
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | ||
| STP10NK80Z | STP10NK80ZFP | STW10NK80Z | |||
| VDS | voltaje de la Dren-fuente (VGS = 0) | 800 | V | ||
| VDGR | voltaje de la Dren-puerta (RGS = kΩ 20) | 800 | V | ||
| VGS | Voltaje de fuente de puerta | ± 30 | V | ||
| Identificación | Drene actual (continuo) en TC = 25°C | 9 | 9 (*) | 9 | |
| Identificación | Drene actual (continuo) en TC = 100°C | 6 | 6 (*) | 6 | |
| IDM (•?) | Corriente del dren (pulsada) | 36 | 36 (*) | 36 | |
| PTOT | Disipación total en TC = 25°C | 160 | 40 | 160 | W |
| Reducir la capacidad normal de factor | 1,28 | 0,32 | 1,28 | W/°C | |
| VESD (G-S) | Fuente ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) de la puerta | 4 | Kilovoltio | ||
| dv/dt (1) | Cuesta máxima del voltaje de la recuperación del diodo | 4,5 | V/ns | ||
| VISO | El aislamiento soporta el voltaje (DC) | - | 2500 | - | V |
Tj Tstg | Temperatura de empalme de funcionamiento Temperatura de almacenamiento | -55 a 150 -55 a 150 | °C | ||
¿(? •) Anchura de pulso limitada por área de funcionamiento seguro
(1) DSI ≤9A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) DSS, ≤ TJMAX de VDD de Tj.
(*) limitó solamente por la temperatura máxima permitida
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Q'ty | MFG | D/C | Paquete |
| LB1240 | 6500 | EN | 14+ | DIP18 |
| A4982SLPTR-T | 6500 | ALLEGRO | 15+ | TSSOP-24 |
| ADS1110A0IDBVR | 6494 | TI | 15+ | SOT23-6 |
| AD8655ARZ | 6490 | ANUNCIO | 15+ | SOP-8 |
| MAX3072EESA+ | 6489 | MÁXIMA | 13+ | COMPENSACIÓN |
| ATMEGA32-16AU | 6489 | ATMEL | 15+ | QFP44 |
| MAX3100CEE+ | 6481 | MÁXIMA | 14+ | SSOP |
| MAX4714EXT | 6480 | MÁXIMA | 15+ | BORRACHÍN |
| AD8676ARZ | 6476 | ANUNCIO | 15+ | SOP-8 |
| LA7911 | 6475 | SANYO | 15+ | DIP-16 |
| ADP1710AUJZ-R7 | 6462 | ANUNCIO | 14+ | SOT23 |
| LA3600 | 6450 | SANYO | 10+ | DIP-16 |
| L6221C | 6425 | ST | 13+ | DIP-16 |
| MAX8211ESA+ | 6419 | MÁXIMA | 13+ | COMPENSACIÓN |
| PIC10F222T-I/OT | 6409 | MICROCHIP | 14+ | BORRACHÍN |
| LT3572EUF#PBF | 6408 | LINEAR | 14+ | QFN |
| L293B | 6400 | ST | 12+ | DIP16 |
| MAX3077EESA | 6390 | MÁXIMA | 12+ | COMPENSACIÓN |
| MBI5039GP | 6387 | MBI | 15+ | SSOP |
| MPC801KG | 6375 | BB | 14+ | INMERSIÓN |
| PIC16F1828-I/SS | 6374 | MICROCHIP | 15+ | SSOP |
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC