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El canal N Zener protegió MOSFET estupendo del poder de MESHTM, STF13NK50Z

El canal N Zener protegió MOSFET estupendo del poder de MESHTM, STF13NK50Z
El canal N Zener protegió MOSFET estupendo del poder de MESHTM, STF13NK50Z
fabricante:
Fabricante
Descripción:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Drain-source voltage:
500 V
Voltaje de la Puerta-fuente:
± 30 V
Drain current (continuous) at TC = 25 °C:
11 A
Drain current (pulsed):
44 A
Peak diode recovery voltage slope:
4.5 V/ns
Operating junction temperature:
-55 to 150 °C
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introducción


STF13NK50Z, STP13NK50Z, STW13NK50Z

El canal N 500 V, 0,40 Ω, 11 Un TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-protegió el MOSFET del poder de SuperMESHTM

Características

Tipo VDSS RDS (encendido) máximo Identificación Picovatio
STF13NK50Z 500 V <0> 11 A 30 W
STP13NK50Z 500 V <0> 11 A 140 W
STW13NK50Z 500 V <0> 11 A 140 W


■Capacidad extremadamente alta de dv/dt
■la avalancha 100% probó
■Carga de la puerta minimizada
■Capacitancias intrínsecas muy bajas
■Muy bueno fabricando repetibilidad

Usos
■Uso que cambia

Descripción
La serie de SuperMESH™ se obtiene con una optimización extrema de la disposición tira-basada establecida de PowerMESH™ del ST. Además de empujar en-resistencia perceptiblemente hacia abajo, el cuidado especial se toma para asegurar una capacidad muy buena de dv/dt para los usos más exigentes. Tal serie complementa la gama completa del ST de MOSFETs de alto voltaje.

Grados máximos absolutos

Símbolo Parámetro Valor Unidad
TO-220, TO-247 TO-220FP
VDS voltaje de la Dren-fuente (VGS = 0) 500 V
VGS voltaje de la Puerta-fuente ± 30 V
Identificación Drene actual (continuo) en TC = el °C 25 11 11(1)
Identificación Drene actual (continuo) en el °C TC=100 6,93 6.93(1)
IDM (2) Corriente del dren (pulsada) 44 44(1)
PTOT Disipación total en TC = °C 25 140 30 W
Reducir la capacidad normal de factor 1,12 0,24 W/°C
dv/dt (3) Cuesta máxima del voltaje de la recuperación del diodo 4,5 V/ns
VISO El aislamiento soporta el voltaje (RMS) de los tres lleva al pecado externo del calor (t=1 s; °C) de TC= 25 2500 V

TJ

Tstg

Temperatura de empalme de funcionamiento

Temperatura de almacenamiento

 -55 a 150 °C

1. Limitado solamente por la temperatura máxima permitida
2. anchura de pulso limitada por área de funcionamiento seguro
3. ≤ 11 A, ≤ 200 A/µs, ≤ el 80% V (BR) DSS de la DSI de di/dt de VDD



Diagrama esquemático interno



Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Q'ty MFG D/C Paquete
LTC4054LES5-4.2 6786 LINEAR 14+ SOT23-6
ADA4627-1BRZ 6782 ANUNCIO 15+ SOP-8
AD8629ARZ 6781 ANUNCIO 15+ SOP-8
LM338T 6780 NSC 14+ TO-220
MIC4424YN 6775 MICREL 14+ DIP-8
LTC4210-1CS6 6753 LINEAR 15+ BORRACHÍN
LAA110 6750 CLARP 15+ DIP-8
ATF-33143-TR 6749 AVAGO 15+ SOT343
LM78L05ACZ 6744 NSC 15+ TO-92
PIC16F1503-I/SL 6736 MICROCHIP 14+ COMPENSACIÓN
MAX8880EUT 6725 MÁXIMA 14+ BORRACHÍN
LA4224 6725 SANYO 13+ DIP8
LTC6905CS5-96 6720 LINEAR 15+ BORRACHÍN
52271-2079 6704 MOLEX 15+ conector
L4978 6700 ST 14+ DIP8
MBC13900NT1 6694 FREESCALE 14+ SOT-343
ADR391BUJZ 6688 ANUNCIO 14+ SOT23
MAX6301CSA 6672 MÁXIMA 14+ COMPENSACIÓN
ADR01ARZ 6670 ANUNCIO 15+ SOP8
MBI5025GP 6663 MBI 14+ SSOP
MAX13041ASD+T 6654 MÁXIMA 12+ COMPENSACIÓN


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