Transistor del Mosfet del poder de SPW35N60CFD, transistor de poder de CoolMOSTM
fabricante:
Fabricante
Descripción:
N-Channel 600 V 34.1A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Pulsed drain current:
85 A
Avalanche current, repetitive t AR:
20 A
Drain source voltage slope:
80 V/ns
Reverse diode dv /dt:
40 V/ns
Power dissipation:
313 W
Operating and storage temperature:
-55 to 150 °C
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introducción
Transistor de poder de CoolMOSTM
Características PG-TO247
• Nueva tecnología de alto voltaje revolucionaria
• Diodo intrínseco del cuerpo de la rápido-recuperación
• Extremadamente - carga reversa baja de la recuperación
• Carga ultrabaja de la puerta
• El dv extremo /dt valoró
• Alta capacidad actual máxima
• La avalancha periódica valoró
• Calificado según JEDEC1) para los usos de la blanco
• galjanoplastia Pb-libre de la ventaja; RoHS obediente
Resumen del producto
| VDS | 600 | V |
| RDS (encendido), máximo | 0,118 | Ω |
| Identificación | 34 |
Grados máximos, en el °C de T j =25, salvo especificación de lo contrario
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Valor | Unidad |
| Corriente continua del dren | YO D | °C de T C=25 | 34,1 | |
| °C de T C=100 | 21,6 | |||
| Corriente pulsada2del dren) | I D, pulso | °C de T C=25 | 85 | |
| Energía de la avalancha, solo pulso | E COMO | I D=10 A, V DD=50 V | 1300 | mJ |
| Energía de la avalancha, t repetidor AR 2), 3) | E AR | I D=20 A, V DD=50 V | 1 | mJ |
| Avalancha actual, t repetidor AR 2), 3) | YO AR | 20 | ||
| Drene la cuesta del voltaje de la fuente | dv /dt |
I D=34.1 A, V DS=480 V, °C de T j =125 |
80 | V/ns |
| Dv reverso /dt del diodo | dv /dt |
I S=34.1 A, V DS=480 V, °C de T j =125
|
40 | V/ns |
| Velocidad máxima de la conmutación del diodo | di /dt | 600 | A/µs | |
| Voltaje de fuente de puerta | V GS | estático | ±20 | V |
| CA (herzios de f >1) | ±30 | V | ||
| Disipación de poder | Bebé de P | °C de T C=25 | 313 | W |
| Temperatura del funcionamiento y de almacenamiento | T j, stg de T | -55… 150 | °C |
PG-TO247-3-21-41
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Q'ty | MFG | D/C | Paquete |
| L6258EX | 7125 | ST | 13+ | HSSOP36 |
| ACM2520-102-2P-T002 | 7120 | TDK | 15+ | inductor |
| ASSR-1218-503E | 7116 | AVAGO | 15+ | SOP-4 |
| PIC16F886-I/SS | 7102 | MICROCHIP | 15+ | SSOP |
| L05172 | 7100 | ST | 14+ | HSSOP36 |
| MAX4073HAXK | 7097 | MÁXIMA | 14+ | BORRACHÍN |
| ZTX603 | 7089 | ZETEX | 15+ | TO-92 |
| ACM2012-900-2P-T00 | 7088 | TDK | 15+ | inductor |
| XTR117AIDGKR | 7084 | TI | 15+ | MSOP-8 |
| ATF21186 | 7083 | Agilent | 12+ | SMT86 |
| L9929 | 7075 | ST | 15+ | HSSOP24 |
| MAX3483ECSA | 7058 | MÁXIMA | 13+ | COMPENSACIÓN |
| ACM2012-361-2P-T00 | 7056 | TDK | 15+ | inductor |
| L9958SB | 7050 | ST | 13+ | HSSOP16 |
| ATMEGA16L-8AU | 7050 | ATMEL | 15+ | QFP44 |
| MAX793TCSE | 7047 | MÁXIMA | 15+ | COMPENSACIÓN |
| MAX8606ETD+T | 7042 | MÁXIMA | 10+ | QFN |
| AD8613AKSZ | 7040 | ANUNCIO | 15+ | SC70-5 |
| MAX4544EUT+T | 7035 | MÁXIMA | 14+ | BORRACHÍN |
| L9110PD | 7025 | ST | 14+ | HSSOP |
| PIC12F683-I/SN | 7024 | MICROCHIP | 15+ | COMPENSACIÓN |
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