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Hogar > productos > chips CI electrónicos > MOSFET 200 V del AUDIO de DIGITAL del transistor del Mosfet del poder de IRFI4020H-117P

MOSFET 200 V del AUDIO de DIGITAL del transistor del Mosfet del poder de IRFI4020H-117P

MOSFET 200 V del AUDIO de DIGITAL del transistor del Mosfet del poder de IRFI4020H-117P
MOSFET 200 V del AUDIO de DIGITAL del transistor del Mosfet del poder de IRFI4020H-117P
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Mosfet Array 200V 9.1A 21W Agujero pasante TO-220-5 Paquete completo
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
VDS:
200 V
RDS(ON) typ. @ 10V:
80 m
Qg typ.:
19 nC
Qsw typ:
6.8 nC
RG(int) typ.:
3.0 Ω
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introducción

Características

►¿? ¿Paquete integrado del semipuente?

►¿? ¿Reduce la cuenta de la pieza por mitad?

►¿? ¿Facilita una mejor disposición del PWB?

►¿? ¿Los parámetros dominantes optimizaron para los usos del amplificador audio de la clase-d?

►¿? ¿RDS bajo (ENCENDIDO) para la eficacia mejorada?

►¿? ¿Qg y Qsw bajos para un mejor THD y la eficacia mejorada? ¿Qrr bajo para un mejor THD y una EMI más baja?

►¿? ¿Entrega de la poder hasta 300W por el canal en 8Ω carga en amplificador de la configuración del semipuente?

►¿? Paquete sin plomo

Descripción

Este semipuente del MosFET del audio de Digitaces se diseña específicamente para los usos del amplificador audio de la clase D. Consiste en dos interruptores del MosFET del poder conectados en la configuración del semipuente. El último proceso se utiliza para alcanzar en-resistencia baja por área del silicio. Además, la carga de la puerta, la recuperación reversa del cuerpo-diodo, y la resistencia interna de la puerta se optimizan para mejorar factores de funcionamiento del amplificador audio de la clase dominante D tales como eficacia, THD y EMI. Éstos combinan para hacer este semipuente un dispositivo muy eficiente, robusto y confiable para los usos del amplificador audio de la clase D.

Parámetro Máximo Unidades
VDS Voltaje de la Dren-a-fuente 200 V
VGS Voltaje de la Puerta-a-fuente ±20 V
Identificación @ TC = 25°C Corriente continua del dren, VGS @ 10V 9,1

Identificación @ TC = 100°C Corriente continua del dren, VGS @ 10V 5,1

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