Módulo 600V, parada de campo 60A IGBT del Mosfet del poder de FGH60N60SFDTU
fabricante:
Fabricante
Descripción:
IGBT Field Stop 600 V 120 A 378 W Through Hole TO-247-3
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Collector to Emitter Voltage:
600 V
Gate to Emitter Voltage:
± 20 V
Collector Current @ TC = 25℃:
120 A
Pulsed Collector Current @ TC = 25℃:
180 A
Operating Junction Temperature:
-55 to +150 ℃
Storage Temperature Range:
-55 to +150 ℃
Punto culminante:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Introducción
FGH60N60SFD
600V, parada de campo 60A IGBT
Características
• Capacidad de gran intensidad
• Voltaje de saturación bajo: VCE (se sentó) =2.3V @ IC = 60A
• Alta impedancia de entrada
• Transferencia rápida
• RoHS obediente
Usos
• Calefacción de inducción, UPS, SMPS, PFC
Descripción general
Usando tecnología nueva de la parada de campo IGBT, las nuevas series de Fairchild de parada de campo IGBTs ofrecen el funcionamiento óptimo para los usos de la calefacción de inducción, de UPS, de SMPS y de PFC donde están esenciales la conducción baja y las pérdidas que cambian.
Grados máximos absolutos
| Símbolo | Descripción | Grados | Unidades |
| VCES | Colector al voltaje del emisor | 600 | V |
| VGES | Puerta al voltaje del emisor | ± 20 | V |
| IC | Corriente de colector @ TC = 25℃ | 120 | |
| Corriente de colector @ TC = 100℃ | 60 | ||
| ICM (1) | Corriente de colector pulsada @ TC = 25℃ | 180 | |
| Paladio | Disipación de poder máxima @ TC = 25℃ | 378 | W |
| Disipación de poder máxima @ TC = 100℃ | 151 | W | |
| TJ | Temperatura de empalme de funcionamiento | -55 a +150 | ℃ |
| Tstg | Gama de temperaturas de almacenamiento | -55 a +150 | ℃ |
| TL | Temporeros máximos de la ventaja. para los propósitos que sueldan, 1/8" del caso por 5 segundos | 300 | ℃ |
Notas: 1: Prueba repetidor, anchura de pulso limitada por temperatura máxima del juntion
Dimensiones mecánicas
TO-247AB (CÓDIGO 001 DEL PAQUETE DE FKS)
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