RECTIFICADORES ULTRARRÁPIDOS del microprocesador del circuito integrado de MUR1660CTG 8,0 AMPERIOS, VOLTIOS 100−600
npn smd transistor
,silicon power transistors
MUR1610CT, MUR1615CT, MUR1620CT, MUR1640CT, MUR1660CT
Rectificadores del poder de SWITCHMODETM
Estos dispositivos del state−of−the−art son series diseñadas para el uso en las fuentes de alimentación que cambian, inversores y como diodos que ruedan libres.
Características
• Tiempos de recuperación ultrarrápidos de 35 y 60 nanosegundos
• temperatura de empalme de funcionamiento 175°C
• Paquete popular TO−220
• UL de epoxy 94 V−0 @ 0,125 de las reuniones adentro
• Empalme apaciguado de cristal de alta temperatura
• Capacidad de alto voltaje a 600 V
• @ temperatura de caso especificada salida baja 150°C
• @ caso que reduce la capacidad normal actual y temperaturas ambiente
• Los paquetes de Pb−Free son Available*
Características mecánicas:
• Caso: De epoxy, moldeado
• Peso: 1,9 gramos (aproximadamente)
• Final: Todo el externo emerge resistente a la corrosión y las ventajas terminales son fácilmente Solderable
• Temperatura de la ventaja para los propósitos que sueldan: máximo 260°C por 10 segundos
GRADOS MÁXIMOS
| Grado | Símbolo | MUR16 | Unidad | ||||
| 10CT | 15CT | 20CT | 40CT | 60CT | |||
|
Voltaje reverso repetidor máximo Voltaje reverso máximo de trabajo Voltaje de bloqueo de DC |
VRRM VRWM VR |
100 | 150 | 200 | 400 | 600 | V |
|
Corriente delantera rectificada media Por la pierna Dispositivo total, (valoró VR), TC = 150°C Dispositivo total |
SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) |
8,0 16 |
|||||
|
El pico rectificó adelante actual Por la pierna del diodo (Valoró VR, onda cuadrada, 20 kilociclos), TC = 150°C |
IFM | 16 | |||||
|
Sobretensión máxima sin repetición (Oleada aplicada en la media onda de las condiciones de carga clasificada, la monofásico, 60 herzios) |
IFSM | 100 | |||||
| Temperatura de empalme de funcionamiento y temperatura de almacenamiento |
TJ, Tstg |
-65 a +175 | °C | ||||
Los grados máximos son esos valores más allá de qué daño del dispositivo puede ocurrir. Los grados máximos se aplicaron al dispositivo son valores límites de la tensión individual (condiciones de funcionamiento no normales) y son inválidos simultáneamente. Si se exceden estos límites, la operación funcional del dispositivo no se implica, el daño puede ocurrir y la confiabilidad puede ser afectada.
RECTIFICADORES ULTRARRÁPIDOS 8,0 AMPERIOS, VOLTIOS 100−600
PLÁSTICO del CASO 221A de TO−220AB
DIAGRAMA DE MARCADO
= ubicación de la asamblea
Y = año
WW = semana de trabajo
U16xx = código de dispositivo
xx = 10, 15, 20, 40 o 60
G = paquete de Pb−Free
KA = polaridad del diodo
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC