Sensores de temperatura centígrados de precisión nuevos y originales LM35DT
multi emitter transistor
,silicon power transistors
LM35
Sensores de temperatura centígrados de precisión
Descripción general
La serie LM35 son sensores de temperatura de circuito integrado de precisión, cuyo voltaje de salida es linealmente proporcional a la temperatura Celsius (centígrados).Por lo tanto, el LM35 tiene una ventaja sobre los sensores de temperatura lineales calibrados en ˚ Kelvin, ya que no se requiere que el usuario reste un voltaje constante grande de su salida para obtener una escala centígrada conveniente.El LM35 no requiere ninguna calibración o ajuste externo para proporcionar precisiones típicas de ±1⁄4˚C a temperatura ambiente y ±3⁄4˚C en un rango completo de temperatura de −55 a +150˚C.El bajo costo está asegurado mediante el recorte y la calibración al nivel de la oblea.La baja impedancia de salida, la salida lineal y la calibración inherente precisa del LM35 hacen que la interfaz con los circuitos de lectura o control sea especialmente fácil.Se puede utilizar con fuentes de alimentación individuales o con fuentes positivas y negativas.Como extrae solo 60 µA de su suministro, tiene un autocalentamiento muy bajo, menos de 0,1˚C en aire en calma.El LM35 está clasificado para funcionar en un rango de temperatura de −55˚ a +150˚C, mientras que el LM35C está clasificado para un rango de −40˚ a +110˚C (−10˚ con precisión mejorada).La serie LM35 está disponible empaquetada en paquetes de transistores TO-46 herméticos, mientras que LM35C, LM35CA y LM35D también están disponibles en paquetes de transistores TO-92 de plástico.El LM35D también está disponible en un paquete de contorno pequeño de montaje en superficie de 8 conductores y un paquete TO-220 de plástico.
Características
- Calibrado directamente en ˚ Celsius (Centígrados)
- Lineal + 10,0 mV/˚C factor de escala
- Precisión de 0,5˚C garantizada (a +25˚C)
- Clasificado para un rango completo de −55˚ a +150˚C
- Adecuado para aplicaciones remotas
- Bajo costo debido al recorte a nivel de oblea
- Funciona de 4 a 30 voltios
- Consumo de corriente inferior a 60 µA
- Autocalentamiento bajo, 0,08 ˚C en aire quieto
- Solo no linealidad ±1⁄4˚C típico
- Salida de baja impedancia, 0,1 Ω para carga de 1 mA
Aplicaciones Típicas
Diagramas de conexión
Índices absolutos máximos(Nota 10)
Si se requieren dispositivos especificados para el sector militar/aeroespacial, comuníquese con la Oficina Nacional de Ventas/Distribuidores de Semiconductores para conocer la disponibilidad y las especificaciones.
Tensión de alimentación +35 V a −0,2 V
Voltaje de salida +6V a −1.0V
Corriente de salida 10 mA
Temperatura de almacenamiento.;
Paquete TO-46, −60˚C a +180˚C
Paquete TO-92, −60˚C a +150˚C
Paquete SO-8, −65˚C a +150˚C
Paquete TO-220, −65˚C a +150˚C
Temperatura de plomo.:
Paquete TO-46, (soldadura, 10 segundos) 300˚C
Paquete TO-92 y TO-220, (soldadura, 10 segundos) 260˚C
Paquete SO (Nota 12)
Fase de vapor (60 segundos) 215˚C
Infrarrojos (15 segundos) 220˚C
Susceptibilidad ESD (Nota 11) 2500V
Rango de temperatura de funcionamiento especificado: TMÍN.a TMÁX.(Nota 2)
LM35, LM35A −55˚C a +150˚C
LM35C, LM35CA −40 ˚C a +110 ˚C
LM35D 0˚C a +100˚C

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
