Soporte superficial PlanarTransistors Si-epitaxial BCP53
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Disipación de poder – Verlustleistung 1,3 W
Estuche de plástico SOT-223
Kunststoffgehäuse
Peso aproximadamente – Gewicht CA 0,04 g
El material plástico tiene clasificación 94V-0 de la UL
Klassifiziert de Gehäusematerial UL94V-0
Empaquetado estándar grabado y aspado
Auf estándar Rolle del gegurtet de Lieferform
¿Grados máximos (TA = 25? ℃) ¿Grenzwerte (TA = 25? ℃)
| BCP 51 | BCP 52 | BCP 53 | ||
| Colector-Emisor-voltaje B abierto | - VCE0 | 45 V | 60 V | 80 V |
| Colector-Base-voltaje E abierta | - VCB0 | 45 V | 60 V | 100 V |
| Emisor-Base-voltaje C abierta | - VEB0 | 5 V | ||
| Disipación de poder – Verlustleistung | Ptot | 1,3 W 1) | ||
| Corriente de colector – Kollektorstrom (DC) | - IC | 1 A | ||
| Corriente de colector máxima – Koll. - Spitzenstrom | - ICM | 1,5 A | ||
| Corriente de base máxima – base-Spitzenstrom | - IBM | 200 mA | ||
| Temperatura de empalme – Sperrschichttemperatur | Tj | ¿150? ℃ | ||
| Temperatura de almacenamiento – Lagerungstemperatur | TS | - ¿65… + 150? ℃ | ||
1) montado en tablero de P.C. con 3 el cojín de cobre del milímetro2 en cada terminal
Mit 3 milímetro2 Kupferbelag (Lötpad) del auf Leiterplatte del montaje un jedem Anschluß
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485