Transistor 625mW BC557A del amplificador del silicio de PNP
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Características
•¿? Final sin plomo/RoHS obediente (el sufijo de “P” señala
RoHS obediente. Información el ordenar See)
•¿? temperatura de empalme de 150o C
• A través del paquete del agujero
• El epóxido resuelve el grado de la inflamabilidad V-0 de la UL 94
• Nivel 1 de la sensibilidad de Moisure
• Marca: Tipo número
Datos mecánicos
¿? • Caso: TO-92, plástico moldeado
• Polaridad: indicado como abajo.
Grados máximos @ 25o C salvo especificación de lo contrario
Charateristic | Símbolo | Valor | Unidad |
Voltaje del Colector-emisor BC556 BC557 BC558 |
VCEO |
-65 -45 -30 |
V |
Voltaje de la Colector-base Because556 BC557 BC558 |
VCBO |
-80 -50 -30 |
V |
Voltaje de la Emisor-base | VEBO | -5,0 | V |
Corriente de colector (DC) | IC | -100 | mA |
Poder Dissipation@TA =25°C | Paladio |
625 5,0 |
mW mW/°C |
Poder Dissipation@TC =25°C | Paladio |
1,5 12 |
mW mW/°C |
Resistencia termal, empalme al aire ambiente | R JA | 200 | °C/W |
Resistencia termal, empalme a encajonar | R JC | 83,3 | °C/W |
Temperatura del funcionamiento y de almacenamiento | Tj, TSTG | -55~150 | °C |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

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