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Transistor 625mW BC557A del amplificador del silicio de PNP

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 150MHz 500 mW Through Hole TO-92
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Característica 1:
Final sin plomo/RoHS obediente
Característica 2:
temperatura de empalme 150°C
feature 3:
Through Hole Package
Característica 4:
El epóxido resuelve el grado de la inflamabilidad V-0 de la UL 94
feature 5:
Moisure Sensitivity Level 1
Marking:
Type Number
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introducción

Características

•¿? Final sin plomo/RoHS obediente (el sufijo de “P” señala

RoHS obediente. Información el ordenar See)

•¿? temperatura de empalme de 150o C

• A través del paquete del agujero

• El epóxido resuelve el grado de la inflamabilidad V-0 de la UL 94

• Nivel 1 de la sensibilidad de Moisure

• Marca: Tipo número

Datos mecánicos

¿? • Caso: TO-92, plástico moldeado

• Polaridad: indicado como abajo.

Grados máximos @ 25o C salvo especificación de lo contrario

Charateristic Símbolo Valor Unidad

Voltaje del Colector-emisor BC556

BC557

BC558

VCEO

-65

-45

-30

V

Voltaje de la Colector-base Because556

BC557

BC558

VCBO

-80

-50

-30

V
Voltaje de la Emisor-base VEBO -5,0 V
Corriente de colector (DC) IC -100 mA
Poder Dissipation@TA =25°C Paladio

625

5,0

mW

mW/°C

Poder Dissipation@TC =25°C Paladio

1,5

12

mW

mW/°C

Resistencia termal, empalme al aire ambiente R JA 200 °C/W
Resistencia termal, empalme a encajonar R JC 83,3 °C/W
Temperatura del funcionamiento y de almacenamiento Tj, TSTG -55~150 °C

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