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Transistor epitaxial 2SC5200 del Mosfet del poder del transistor del silicio de NPN

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-264
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Collector-Base Voltage:
230 V
Collector-Emitter Voltage:
230 V
Emitter-Base Voltage:
5 V
Collector Current(DC):
15 A
Corriente baja:
1,5 A
Junction and Storage Temperature:
- 50 ~ +150 °C
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introducción

2SC5200/FJL4315

Transistor epitaxial del silicio de NPN

Usos

• Amplificador de alta fidelidad de la salida audio

• Amplificador de potencia de fines generales

Características

• Capacidad de gran intensidad: IC = 15A.

• Disipación de poder más elevado: 150watts.

• De alta frecuencia: 30MHz.

• Alto voltaje: VCEO=230V

• S.O.A ancho para la operación confiable.

• Linearidades excelentes del aumento para THD bajo.

• Complemento a 2SA1943/FJL4215.

• Los modelos termales y eléctricos de la especia están disponibles.

• El mismo transistor está también disponible adentro:

-- Paquete de TO3P, 2SC5242/FJA4313: 130 vatios

-- TO220 paquete, FJP5200: 80 vatios

-- Paquete de TO220F, FJPF5200: 50 vatios

Ratings* máximo absoluto TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo Parámetro Grados Unidades
BVCBO Voltaje de la Colector-base 230 V
BVCEO Voltaje del Colector-emisor 230 V
BVEBO Voltaje de la Emisor-base 5 V
IC Corriente de colector (DC) 15
IB Corriente baja 1,5
Paladio

Disipación total del dispositivo (TC =25°C)

Reduzca la capacidad normal sobre 25°C

150

1,04

W

W/°C

TJ, TSTG Temperatura del empalme y de almacenamiento - 50 ~ +150 °C

* estos grados son los valores límites sobre los cuales la utilidad de cualquier dispositivo de semiconductor puede ser empeorada.

Characteristics* termal Ta=25°C a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo Parámetro Máximo Unidades
RθJC Resistencia termal, empalme a encajonar 0,83 °C/W

* dispositivo montado en tamaño mínimo del cojín

clasificación del hFE

Clasificación R O
hFE1 55 ~ 110 80 ~ 160

Características típicas

Dimensiones del paquete

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