El Mosfet IC IRF1404PBF del poder del foso avanzó En-resistencia ultrabaja
npn smd transistor
,silicon power transistors
El Mosfet IC IRF1404PBF del poder del foso avanzó En-resistencia ultrabaja
Descripción
Los séptimos MOSFETs del poder de la generación HEXFETÆ del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos incluyendo automotriz.
El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos automotriz-comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en la industria.
¿? ¿Tecnología de proceso avanzada?
¿En-resistencia ultrabaja?
¿Grado dinámico de dv/dt? 175°C
¿Temperatura de funcionamiento?
¿Transferencia rápida?
¿Completamente avalancha clasificada?
¿Automotriz calificado (Q101)?
Sin plomo
Notas sobre las curvas repetidores de la avalancha, cuadros 15, 16: (Para más información, vea AN-1005 en www.irf.com)
1. Suposición de los fracasos de la avalancha: Puramente un fenómeno y un fracaso termales ocurre en una temperatura lejos superior a Tjmax. Esto se valida para cada tipo de la parte.
2. La operación segura en avalancha se permite pues el asTjmax largo no se excede.
3. Ecuación abajo basada en el circuito y las formas de onda mostrados en las figuras 12a, 12b.
4. Paladio (avenida) = disipación de poder medio por solo pulso de la avalancha.
5. BV = voltaje de avería clasificado (el factor 1,3 explica aumento del voltaje durante avalancha).
6. Iav = corriente permisible de la avalancha.
7. ∆T = subida permisible de la temperatura de empalme, no exceder Tjmax (asumió como 25°C en el cuadro 15, 16). tav = tiempo medio en avalancha. D = ciclo de trabajo en avalancha = tav ·f ZthJC (D, tav) = resistencia termal transitoria, considera la figura 11)
| Parámetro | Tipo | Máximo. | Unidades | |
| RθJC | Empalme-a-caso | -- | 0,45 | °C/W |
| RθCS | Caso-a-fregadero, superficie plana, engrasada | 0,50 | --- | |
| RθJA | Empalme-a-ambiente | -- | 62 |
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
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