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Hogar > productos > chips CI electrónicos > Original epitaxial del transistor del silicio de 2SC5242 3 Pin Transistor NPN

Original epitaxial del transistor del silicio de 2SC5242 3 Pin Transistor NPN

Original epitaxial del transistor del silicio de 2SC5242 3 Pin Transistor NPN
Original epitaxial del transistor del silicio de 2SC5242 3 Pin Transistor NPN
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 17 A 30MHz 130 W Through Hole TO-3P
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
hFE Classification R:
55-110
hFE Classification O:
80-160
Main Line:
IC components, Transistor, Diode, Module,Capacitor etc
Voltage:
230V
Temperature:
-50-+150°C
Package:
TO-3P
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introducción

Original epitaxial del transistor del silicio de 2SC5242 3 Pin Transistor NPN

Transistor epitaxial 2SC5242 del silicio de NPN

Usos

• Amplificador de alta fidelidad de la salida audio

• Características de fines generales del amplificador de potencia

• Capacidad de gran intensidad: IC = 15A

• Disipación de poder más elevado: 130watts

• De alta frecuencia: 30MHz.

• Alto voltaje: VCEO=230V

• S.O.A ancho para la operación confiable.

• Linearidades excelentes del aumento para THD bajo.

• Complemento a 2SA1962/FJA4213.

• Los modelos termales y eléctricos de la especia están disponibles

• El mismo transistor está también disponible adentro: --Paquete TO264,

2SC5200/FJL4315: 150 vatios --Paquete TO220,

FJP5200: 80 vatios --Paquete de TO220F, FJPF5200: 50 vatios

Ratings* máximo absoluto TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo Parámetro Grados Unidades
BVCBO Voltaje de la Colector-base 230 V
BVCEO Voltaje del Colector-emisor 230 V
BVEBO Voltaje de la Emisor-base 5 V
IC Corriente de colector (DC) 15
IB Corriente básica 1,5
Paladio Disipación total del dispositivo (TC=25°C) reduce la capacidad normal sobre 25°C

130

1,04

W

W/°C
TJ, TSTG Temperatura del empalme y de almacenamiento -50-+150 °C

* estos grados son los valores límites sobre los cuales la utilidad de cualquier dispositivo de semiconductor puede ser empeorada.

Characteristics* termal Ta=25°C a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo Parámetro MÁXIMO. Unidad
RθJC Resistencia termal, empalme a encajonar 0,96 W/°C

* dispositivo montado en tamaño mínimo del cojín

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