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MOSFET eléctrico del poder del ic HEXFET del transistor del Mosfet del poder de IRFZ34NPBF

MOSFET eléctrico del poder del ic HEXFET del transistor del Mosfet del poder de IRFZ34NPBF
MOSFET eléctrico del poder del ic HEXFET del transistor del Mosfet del poder de IRFZ34NPBF
fabricante:
Fabricante
Descripción:
N-Channel 55 V 29A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Pulsed Drain Current:
100 A
Power Dissipation:
68 W
Linear Derating Factor:
0.45 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 20 V
Single Pulse Avalanche Energy:
65 mJ
Avalanche Current:
16 A
Punto culminante:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introducción

IRFZ34NPbF

MOSFET del poder de HEXFET®

¿? • Proceso avanzado

¿? • ¿Tecnología? ¿En-resistencia ultrabaja?

¿? • ¿Grado dinámico de dv/dt?

¿? • ¿temperatura de funcionamiento 175°C?

¿? • ¿Transferencia rápida?

¿? • Facilidad de ser paralelo a

¿? • Sin plomo

Descripción

La quinta generación HEXFETs del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar la en-resistencia posible más baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para el uso en una amplia variedad de usos.

El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en la industria.

Grados máximos absolutos

Parámetro Máximo. Unidades
Identificación @ TC = 25°C Corriente continua del dren, VGS @ 10V 29
Identificación @ TC = 100°C Corriente continua del dren, VGS @ 10V 20
IDM Corriente pulsada del dren 100
Paladio @TC = 25°C Disipación de poder 68 W
Factor que reduce la capacidad normal linear 0,45 W/°C
VGS Voltaje de la Puerta-a-fuente ± 20 V
EAS Sola energía de la avalancha del pulso 65 mJ
IAR Corriente de la avalancha 16
OÍDO Energía repetidor de la avalancha 6,8 mJ
dv/dt ¿Recuperación máxima dv/dt del diodo? 5,0 V/ns
TJ TSTG Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento -55 a + 175 °C
Temperatura que suelda, por 10 segundos 300 (1.6m m de caso) °C
Montando el esfuerzo de torsión, 6-32 o el srew M3 10 lbf•en (1.1N•m)

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
MAX705EPA 4111 MÁXIMA 16+ INMERSIÓN
VIPER28LN 4111 ST 16+ DIP-7
ULN2003AN 4112 TI 13+ DIP16
CPC5710NTR 4120 CLAREC 15+ SOP8
IS62WV5128BLL-55HLI 4120 ISSI 16+ TSOP
SUD25N06-45L 4120 VISHAY 16+ TO-252
TLP281-4 4120 TOSHIBA 14+ SOP-16
NCP1117 4125 EN 14+ SOT-223
ULN2803 4178 TOS 14+ INMERSIÓN
1N4007 40000 MIC 16+ DO-41
A03400A 4200 AOS 16+ SOT-23
AP85T03GH 4200 APEC 13+ TO-252
BCX51-10 4200 15+ SOT-89
BT139X-600E 4200 16+ TO-220F
HD74LS151P 4200 GOLPEE 16+ INMERSIÓN
IRF9Z24NPBF 4200 IR 14+ TO-220
LM5007MM 4200 NS 14+ MSOP8
MC74VHC1GT32DFT1G 4200 EN 14+ SC70-5
MCIMX515DJM8C 4200 FREESCALE 16+ BGA
MSP430F2232IDAR 4200 TI 16+ TSSOP38
NC7S04M5X 4200 FAIRCHILD 13+ SOT-153
SB360 4200 VISHAY 15+ DO-201AD
SC16C554BIB64 4200 16+ QFP
SN74LVC1G32DBVR 4200 TI 16+ SOT-153
SS34 4200 VISHAY 14+ SMA
TPS61221DCKR 4200 TI 14+ SC70-6
EP3C10E144C8N 4210 ALTERA 14+ TQFP
TLP161G 4210 TOSHIBA 16+ SOP4
GP1A52HRJ00F 4211 SOSTENIDO 16+ INMERSIÓN
HCF4556BE 4211 STM 13+ DIP-16

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