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Hogar > productos > chips CI electrónicos > Transistor del MOSFET del canal N del INTERRUPTOR del módulo PDP del Mosfet del poder de IRFB4229PBF

Transistor del MOSFET del canal N del INTERRUPTOR del módulo PDP del Mosfet del poder de IRFB4229PBF

Transistor del MOSFET del canal N del INTERRUPTOR del módulo PDP del Mosfet del poder de IRFB4229PBF
Transistor del MOSFET del canal N del INTERRUPTOR del módulo PDP del Mosfet del poder de IRFB4229PBF
fabricante:
Fabricante
Descripción:
N-Channel 250 V 46A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Gate-to-Source Voltage:
±30 V
Pulsed Drain Current:
180 A
Repetitive Peak Current:
91 A
Linear Derating Factor:
2.2 W/°C
Operating Junction and Storage Temperature:
-40 to + 175°C
Soldering Temperature for 10 seconds:
300°C
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introducción

INTERRUPTOR IRFB4229PbF de PDP

¿???????

¿Características?

• ¿Tecnología de proceso avanzada?

• ¿Los parámetros dominantes optimizados para PDP sostienen, recuperación de energía y los usos del interruptor del paso?

• El grado bajo de EPULSE para reducir la disipación de poder en PDP sostiene,

¿Usos del interruptor de la recuperación y del paso de energía?

• ¿QG bajo para la respuesta rápida?

• ¿Alta capacidad repetidor de la corriente de pico para la operación confiable?

• ¿Caída corta y tiempos de subida para la transferencia rápida?

• ¿temperatura de empalme de funcionamiento 175°C para la aspereza mejorada?

• Capacidad repetidor de la avalancha para la robustez y la confiabilidad

Parámetros dominantes

Minuto de VDS 250 V
Tipo de VDS (avalancha). 300 V
Tipo del RDS (ENCENDIDO). @ 10V 38 mΩ
IRP máximo @ TC = 100°C 91
TJ máximo 175 °C

¿Descripción???

Este MOSFET del poder de HEXFET® se diseña específicamente para Sustain; Usos del interruptor de la recuperación y del paso de energía en los paneles de pantalla de plasma. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de proceso para alcanzar en-resistencia baja por área del silicio y el grado bajo de EPULSE. Las características adicionales de este MOSFET son temperatura de empalme de funcionamiento 175°C y alta capacidad repetidor de la corriente de pico. Estas características combinan para hacer este MOSFET un dispositivo muy eficiente, robusto y confiable para PDP que conduce usos.

Grados máximos absolutos

Parámetro Máximo. Unidades
VGS Voltaje de la Puerta-a-fuente ±30 V
Identificación @ TC = 25°C Corriente continua del dren, VGS @ 10V 46
Identificación @ TC = 100°C Corriente continua del dren, VGS @ 10V 33
IDM Corriente pulsada del dren 180
IRP @ TC = 100°C ¿Corriente máxima repetidor? 91
Paladio @TC = 25°C Disipación de poder 330 W
Paladio @TC = 100°C Disipación de poder 190 W
Factor que reduce la capacidad normal linear 2,2 W/°C
TJ TSTG Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento -40 a + 175 °C
Temperatura que suelda por 10 segundos 300 °C
Montando el esfuerzo de torsión, 6-32 o el tornillo M3 10lbin (1.1Nm) N

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
HIP4080AIBZT 3925 INTERSIL 15+ COMPENSACIÓN
TNY266PN 3970 PODER 16+ DIP7
LM7912CT 3990 NS 16+ TO-220
HCNW4503 3991 AVAGO 14+ SOP8DIP8
ICL7650SCBA 3996 INTERSIL 14+ SOP-8
LM2575HVT-ADJ 3997 NS 14+ TO-220
MUR3020PT 3997 EN 16+ TO-3P
IRFR5305 3998 IR 16+ TO-252
MJ802 3998 EN 13+ TO-3
LBAT54XV2T1G 3999 EN 15+ SOD-523
VN10LFTA 3999 ZETEX 16+ SOT23
1N5341B 4000 EN 16+ CASE17
1N5343B 4000 EN 14+ DO-02
2SC2383 4000 TOSHIBA 14+ TO-92
2SC3807 4000 SANYO 14+ TO-126
2SK170BL 4000 TOSHIBA 16+ TO-92
74HC174D 4000 16+ SOP-16
74LVC245AD 4000 13+ COMPENSACIÓN
AD8572ARZ 4000 ANUNCIO 15+ SOP8
AT24C512C-SSHD-T 4000 ATEML 16+ SOP8
BCV48 4000 16+ SOT-89
BD137 4000 ST 14+ TO-126
BTS721L1 4000 14+ SOP-20
CD4027BE 4000 TI 14+ INMERSIÓN
CPC1017N 4000 CLARE 16+ SOP4
IRF7307 4000 IR 16+ SOP8
IRFR210 4000 IR 13+ SOT-252
LT1963AEST-3.3 4000 LT 15+ SOT-223
MIC4424BN 4000 MICREL 16+ DIP8
MICROSMD050F-2 4000 TYCO 16+ SMD

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