Enviar mensaje
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Hogar
productos
fabricantes
Sobre nosotros
recursos
Envíe el RFQ
transferencia directa
Hogar > productos > chips CI electrónicos > Transistor de efecto de campo complementario del modo del aumento del transistor del Mosfet del poder AO4620

Transistor de efecto de campo complementario del modo del aumento del transistor del Mosfet del poder AO4620

Transistor de efecto de campo complementario del modo del aumento del transistor del Mosfet del poder AO4620
Transistor de efecto de campo complementario del modo del aumento del transistor del Mosfet del poder AO4620
Transistor de efecto de campo complementario del modo del aumento del transistor del Mosfet del poder AO4620
Transistor de efecto de campo complementario del modo del aumento del transistor del Mosfet del poder AO4620
Transistor de efecto de campo complementario del modo del aumento del transistor del Mosfet del poder AO4620
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Mosfet Array 30V 2W Surface Mount 8-SOIC
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Drain-Source Voltage:
30 / -30 V
Gate-Source Voltage:
±20 V
Pulsed Drain Current:
30 / -30 A
Avalanche Current:
13 / 17 A
Repetitive avalanche energy 0.3mH:
25 / 43 mJ
Junction and Storage Temperature:
-55 to 150°C
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introducción

Transistor de efecto de campo complementario del modo del aumento AO4620

Descripción general

El AO4620 utiliza los MOSFETs avanzados de la tecnología del foso para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. Los MOSFETs complementarios se pueden utilizar en inversor y otros usos. El producto estándar AO4620 es Pb-libre (las reuniones ROHS y Sony 259 especificaciones).

Características

canal N p-canal

VDS (v) = 30V -30V

Identificación = 7.2A (VGS =10V) -5.3A (VGS = -10V)

RDS (ENCENDIDO) RDS (ENCENDIDO)

< 24m="">GS=10V)< 38m=""> GS = -10V)

< 36m="">GS=4.5V) < 60m=""> GS = -4.5V)

Grados máximos absolutos TA =25°C a menos que se indicare en forma diferente

Parámetro Símbolo Canal N máximo P-canal máximo Unidades
Voltaje de la Dren-fuente VDS 30 -30 V
Voltaje de la Puerta-fuente VGS ±20 ±20 V
Dren continuo F actual TA =25°C Identificación 7,2 -5,3
TA =70°C 6,2 -4,5
Dren pulsado B actual IDM 30 -30
Disipación de poder F TA =25°C Paladio 2 2 W
TA =70°C 1,44 1,44 W
Avalancha B actual IAR 13 17
Energía repetidor 0.3mH B de la avalancha OÍDO 25 43 mJ
Gama de temperaturas del empalme y de almacenamiento TJ, TSTG -55 a 150 -55 a 150 °C

B: Grado repetidor, anchura de pulso limitada por temperatura de empalme.

La disipación de poder de F.The y el grado actual se basan en el grado de la resistencia termal del ≤ 10s de t.

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
AD9254BCPZ-150 1500 ANUNCIO 16+ QFN
ADE-10H 1500 MINI 16+ SOP6
CNY74-4 1500 FSC 13+ DIP16
CY2305SXC-1HT 1500 CYPRESS 15+ SOP8
IRFP23N50L 1500 IR 16+ TO-3P
L7824 1500 ST 16+ TO-220
LFCN-530+ 1500 MINI-CIRC 14+ SMD
LNK304PN 1500 PODER 14+ DIP-7
LPS6235-104MLC 1500 COILCRAFT 14+ SMD
LT1248CN 1500 LT 16+ INMERSIÓN
MB15E07SLPFV1 1500 FUJITSU 16+ TSSOP
SN74HC165DR 1500 TI 13+ COMPENSACIÓN
V30200C-E3/4W 1500 VISHAY 15+ TO-220
PC733 1501 SOSTENIDO 16+ INMERSIÓN
HCPL-0466-500E 1517 AVAGO 16+ SOP-8
BDW47 1520 EN 14+ TO-220
STF13NK50Z 1520 ST 14+ TO-220
M51995AP 1522 MIT 14+ INMERSIÓN
XC3S1600E-4FGG320C 522 XILINX 16+ BGA
RC4558P 1528 TI 16+ DIP8
ADA4528-2ARM 1550 ADI 13+ MSOP8
PIC16F648A-I/P 1555 MICROCHIP 15+ INMERSIÓN
TLP2531 1558 TOSHIBA 16+ SOP8
IRFP150N 1577 IR 16+ TO-247
IR2520DPBF 1580 IR 14+ DIP-8
EP3C10F256C8N 1588 ALTERA 14+ BGA
IRFPC60 1588 IR 14+ TO-247
LM2917N-8 1588 NS 16+ DIP8
TDA7851L 1633 ST 16+ ZIP25
NCP1203D60R2 1665 EN 13+ SOP-8

PRODUCTOS RELACIONADOS
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Imagen parte # Descripción
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
20pcs
Contáctenos
Dirección: Sala 1204, Edificio Internacional DingCheng, 518028 Distrito Futian, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Teléfono: 86-755-88367702
productos

Chip CI de memoria Flash

Chip CI programable

Chips CI del ordenador

Conductor ICs del LED

Gestión ICs del poder

Chips de circuito integrado

Unidad de microcontrolador MCU

Conductor ICs de la exhibición

Módulo de potencia IGBT

Chips CI del amplificador
Sobre nosotros
Sobre nosotros Certificado del ISO Control de calidad Políticas de privacidad Centro de la ayuda
Políticas de privacidad | Buena calidad de China Chip CI de memoria Flash Proveedor. © de Copyright 2023 icmemorychip.com . Todos los derechos reservados.