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Hogar > productos > chips CI electrónicos > Módulo 25 del mosfet del poder de BTA24-600BWRG un estándar y triac de Snubberless

Módulo 25 del mosfet del poder de BTA24-600BWRG un estándar y triac de Snubberless

Módulo 25 del mosfet del poder de BTA24-600BWRG un estándar y triac de Snubberless
Módulo 25 del mosfet del poder de BTA24-600BWRG un estándar y triac de Snubberless
fabricante:
Fabricante
Descripción:
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 25 A Through Hole TO-220
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
I² t Value for fusing:
340 A² s
Critical rate of rise of on-state current:
50 A/µs
Peak gate current:
4 A
Average gate power dissipation:
1 W
Storage junction temperature:
- 40 to + 150°C
Operating junction temperature:
- 40 to + 125°C
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introducción

BTA24, BTB24, BTA25

BTA26, BTB26, T25

25 estándares y triac de Snubberless™

Características

■Triac de gran intensidad

■Resistencia termal baja con la vinculación del clip

■Alta conmutación (4 cuadrantes) o capacidad muy alta de la conmutación (3 cuadrantes)

■Serie UL1557 de BTA certificada (referencia del fichero: 81734)

■Los paquetes son RoHS (2002/95/EC) obediente

Usos

Los usos incluyen la función CON./DESC. en usos tales como retransmisiones estáticas, regulación de la calefacción, motor de inducción que enciende los circuitos, etc., o para la operación de control de la fase en amortiguadores, reguladores de la velocidad del motor, y silmilar ligeros.

Las versiones snubberless (la serie W y T25 de BTA/BTB…) se recomiendan especialmente para el uso en cargas inductivas, debido a sus altos funcionamientos de la conmutación. La serie de BTA proporciona una etiqueta aislada (clasificada en 2500 VRMS).

Descripción

Disponible en paquetes del por-agujero o del superficie-soporte, la serie del triac BTA24, BTB24, BTA25, BTA26, BTB26 y T25 es conveniente para la transferencia de fines generales de la CA de la red eléctrica.

Grados máximos absolutos

Símbolo Parámetro Valor Unidad
LAS TIC (RMS) Corriente del en-estado del RMS (onda sinusoidal completa) TOP3 Tc = 105°C 25
D2PAK/TO-220AB Tc = 100°C
RD91 Ins del Ins/TOP3. Tc = 100°C
Ins de TO-220AB. Tc = 75°C
ITSM Corriente máxima del en-estado de la oleada no repetidor (ciclo completo, Tj inicial = 25° C) F = 50 herzios t = ms 20 250
F = 60 herzios t = ms 16,7 260
² t de I Yo valor del ² t para fundirse tp = ms 10 340 Un ² s
dI/dt

Índice crítico de subida de la corriente del en-estado

IG = 2 x IGT, ≤ 100 ns del tr

 F = 120 herzios Tj = 125°C 50 A/µs
VDSM/VRSM Voltaje máximo del apagado-estado de la oleada no repetidor tp = ms 10 Tj = 25°C VDRM/VRRM + 100 V
IGM Corriente máxima de la puerta tp = 20 µs Tj = 125°C 4
PÁGINA (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) Disipación de poder media de la puerta Tj = 125°C 1 W

Tstg

Tj

Gama de temperaturas de empalme del almacenamiento

Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme

- 40 a + 150

- 40 a + 125

 °C

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
HD74LS86 771 HITACHI 13+ DIP14
MID400 771 FAIRCHILD 15+ SOP8
PIC16F876A-I/SO 771 MICROCHIP 16+ COMPENSACIÓN
J0026D01BNL 777 PULSO 16+ RJ45
AF4502C 780 ANACHIP 14+ SOP-8
ACS712ELCTR-20A 782 ALLEGRO 14+ COMPENSACIÓN
IRF520 782 IR 14+ TO-220
IRFB4710 782 IR 16+ TO-220
CD4099BE 785 TI 16+ INMERSIÓN
ENC28J60-I/SO 785 MICROCHIP 13+ COMPENSACIÓN
BTA41-800B 795 ST 15+ TO-3P
PIC16F883-I/SO 799 MICROCHIP 16+ COMPENSACIÓN
2SD1406-Y 800 TOS 16+ TO-3P
TOP414GN 800 PODER 14+ SOP-8
TDA7253 802 ST 14+ CREMALLERA
L4960 822 ST 14+ CREMALLERA
STPS1045D 822 ST 16+ TO-220
AP919 881 VALENCIA 16+ TQFP
ADC0804 887 NS 13+ COMPENSACIÓN
AM26LV31CDR 888 TI 15+ SOP-16
EPM2210F324I5N 888 ALTERA 16+ BGA
LTC1628IG 888 LINEAR 16+ SSOP
CD4012BE 899 TI 14+ INMERSIÓN
G4PC30UD 900 IR 14+ TO-3P
PT2272-M6 900 PTC 14+ INMERSIÓN
RHRP30120 900 FAIRCHILD 16+ TO-220
MP4211 910 TOSHIBA 16+ NA
AD7740YRMZ 911 ANUNCIO 13+ MSOP-8
FOD260L 922 FSC 15+ DIP-8
PIC16F916-I/SP 922 MICROCHIP 16+ INMERSIÓN

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