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TRIAC de los TRIAC SNUBBERLESS del transistor 8A del Mosfet del poder de BTA08-600BW3G

TRIAC de los TRIAC SNUBBERLESS del transistor 8A del Mosfet del poder de BTA08-600BW3G
TRIAC de los TRIAC SNUBBERLESS del transistor 8A del Mosfet del poder de BTA08-600BW3G
fabricante:
Fabricante
Descripción:
TRIAC Standard 600 V 8 A Through Hole TO-220AB
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
RMS on-state current (full sine wave):
8 A
I² t Value for fusing:
36 A² s
Critical rate of rise of on-state current:
50 A/µs
Peak gate current:
4 A
Average gate power dissipation:
1 W
Storage junction temperature:
- 40 to + 150°C
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introducción

Serie BTA/BTB08 y T8

SNUBBERLESS™, NIVEL DE LA LÓGICA Y ESTÁNDAR

TRIAC 8A

CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES:

Símbolo Valor Unidad
LAS TIC (RMS) 8
VDRM/VRRM 600 y 800 V
IGT (Q1) 5 a 50 mA

DESCRIPCIÓN

Disponible en paquetes del por-agujero o del superficie-soporte, la serie del triac BTA/BTB08 y T8 es conveniente para la transferencia de fines generales de la CA. Pueden ser utilizados como función CON./DESC. en usos tales como retransmisiones estáticas, regulación de la calefacción, motor de inducción que enciende los circuitos… o para la operación de control de la fase en los amortiguadores ligeros, reguladores de la velocidad del motor,…

Las versiones snubberless (la serie W y T8 de BTA/BTB…) se recomiendan especialmente para el uso en las cargas inductivas, gracias a sus altos funcionamientos de la conmutación. Usando un cojín de cerámica interno, la serie de BTA proporciona voltaje etiqueta aislada (clasificada en 2500V RMS) que cumple con los estándares de la UL (referencia del fichero.: E81734)

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS

Símbolo Parámetro Valor Unidad
LAS TIC (RMS) Corriente del en-estado del RMS (onda sinusoidal completa)

DPAK/² PAK DE D

IPAK/TO-220AB

 Tc = 110°C 8
Ins de TO-220AB. Tc = 100°C
ITSM Corriente máxima del en-estado de la oleada no repetidor (ciclo completo, Tj = 25°C) inicial F = 50 herzios t = ms 20 80
F = 60 herzios t = ms 16,7 84
² t de I Yo valor del ² t para fundirse tp = ms 10 36 Un ² s
dI/dt

Índice crítico de subida de la corriente del en-estado

IG = 2 x IGT, ≤ 100 ns del tr

 F = 120 herzios Tj = 125°C 50 A/µs
IGM Corriente máxima de la puerta tp = 20 µs Tj = 125°C 4
PÁGINA (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) Disipación de poder media de la puerta Tj = 125°C 1 W

Tstg

Tj

Gama de temperaturas de empalme del almacenamiento

Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme

- 40 a + 150

- 40 a + 125

 °C

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
LTC4357CMS8 1042 LT 16+ MSOP8
MSP430F149IPMR 848 TI 14+ QFP
PE-65351 654 PULSO 14+ DIP6
SIM900 760 SIM 14+ NA
TEA1523P 866 PHILIPS 16+ DIP8
AT24C512C-SSHD 972 EN 16+ SOP8
ADG5433BRUZ 1078 ADI 13+ TSSOP
740L6001 1184 FAIRCHILD 15+ DIPSOP6
EM2860 1290 EMPIA 16+ QFP
TDA7386 1396 ST 16+ CREMALLERA
M48Z35-70PC1 1502 ST 14+ INMERSIÓN
C8051F320-GQR 1608 SILICIO 14+ QFP
PIC16C622A-04I/P 1714 MICROCHIP 14+ INMERSIÓN
MX29GL128ELT2I-90G 1820 MXIC 16+ TSOP-56
BTS621L1 1926 16+ TO-263
HCNW2611 2032 AVAGO 13+ SOP-8
STM32F103C8T6 2138 ST 15+ LQPF48
LT3756EMSE-2#PBF 2244 LT 16+ MSOP-16
BD82QM67/SLJ4M 2350 INTEL 16+ BGA
A3977SEDTR 2456 ALLEGRO 14+ PLCC44
RHRG30120 2562 FSC 14+ TO-3P
FT232RL 2668 FTDI 14+ SSOP28
L6228D 2774 ST 16+ SOP24
LPC2136 2880 16+ LQFP64
1N4937 2986 EN 13+ DO-41
5KP24A 3092 VISHAY 15+ R-6
74C922N 3198 FSC 16+ INMERSIÓN
IRF1404PBF 3304 IR 16+ TO-220
M41T94MQ6 3410 ST 14+ SOP-16
OP275G 3516 ANUNCIO 14+ DIP-8

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