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CANAL N PowerMESH muy rápido IGBT del módulo del mosfet del poder de STGW20NC60VD

CANAL N PowerMESH muy rápido IGBT del módulo del mosfet del poder de STGW20NC60VD
CANAL N PowerMESH muy rápido IGBT del módulo del mosfet del poder de STGW20NC60VD
fabricante:
Fabricante
Descripción:
IGBT 600 V 60 A 200 W Through Hole TO-247-3
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Collector-Emitter Voltage:
600 V
Reverse Battery Protection:
20 V
Gate-Emitter Voltage:
± 20 V
Collector Current (pulsed):
100 A
Derating Factor:
1.6 W/°C
Storage Temperature:
-55 to 150 °C
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introducción

STGW20NC60VD

CANAL N 30A - 600V TO-247 PowerMESH™ rápido mismo IGBT

Características generales

TIPO VCES VCE (sentado) @25°C (máximo) IC @100°C
STGW20NC60VD 600 V < 2="">30 A

■DE PÉRDIDAS INCLUYA LA CORRIENTE DE LA COLA

■LAS PÉRDIDAS INCLUYEN ENERGÍA DE LA RECUPERACIÓN DEL DIODO

■CAPACIDAD DE GRAN INTENSIDAD

■OPERACIÓN DE ALTA FRECUENCIA HASTA 50 kilociclos

■DIODO ANTIPARALELO DE LA RECUPERACIÓN ULTRARRÁPIDA SUAVE MISMA

■BAJE EL RATIO DE CRES /CIES

■PRODUCTOS DE LA NUEVA GENERACIÓN CON UNA DISTRIBUCIÓN MÁS APRETADA DEL PARÁMETRO

DESCRIPCIÓN

Usando la última tecnología de alto voltaje basada en una disposición patentada de la tira, STMicroelectronics ha diseñado una familia avanzada de IGBTs, el PowerMESH™ IGBTs, con funcionamientos excepcionales. El sufijo “V” identifica a una familia optimizada para los usos de alta frecuencia.

USOS

■INVERSORES DE ALTA FRECUENCIA

■SMPS y PFC EN AMBOS INTERRUPTOR DURO Y TOPOLOGÍAS RESONANTES

■UPS

■CONDUCTORES DEL MOTOR

Grados máximos absolutos

Símbolo Parámetro Valor Símbolo
VCES Voltaje del Colector-emisor (VGS = 0) 600 V
VECR Protección reversa de la batería 20 V
VGE Voltaje del Puerta-emisor ± 20 V
IC Corriente de colector (continua) en 25°C (#) 60
IC Corriente de colector (continua) en 100°C (#) 30
ICM (1) Corriente de colector (pulsada) 100
Si Corriente delantera del RMS del diodo en TC = 25°C 30
PTOT Disipación total en TC = 25°C 200 W
Reducir la capacidad normal de factor 1,6 W/°C
Tstg Temperatura de almacenamiento – 55 a 150 °C
Tj Temperatura de empalme de funcionamiento – 55 a 150 °C

(1) anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
R2A15908SP 7631 RENESAS 16+ SOP-28
R4363 8626 HARRIS 16+ TO-263
R5F100LEAFA#V0 1933 RENESAS 12+ LQFP-64
RA30H2127M 1228 MITSUBISH 12+ H2S
RA35H1516M 1255 MITSUBISH 15+ INMERSIÓN
RB160L-90 TE25 65000 ROHM 15+ SOD-106
RB160M-60 155000 ROHM 14+ SOD-123
RB450F 12000 ROHM 14+ SOT-323
RB551V-30 9000 ROHM 16+ SOD-323
RC4558DR 31000 TI 16+ SOP-8
RCLAMP0504F.TCT 64000 SEMTECH 15+ SOT-363
RCLAMP0504S.TCT 65000 SEMTECH 15+ SOT23-6
RCLAMP0524P.TCT 158000 SEMTECH 13+ SLP2510P8
RD06HVF1 2253 MITSUBISH 14+ TO-220
REF03GS 5373 ADI 16+ SOP-8
REF192FSZ 4252 ANUNCIO 13+ SOP-8
REF192GSZ 6359 ANUNCIO 16+ SOP-8
REF195GSZ 3984 ANUNCIO 16+ SOP-8
REF198FS-REEL 5545 ANUNCIO 06+ SOP-8
REF3030AIDBZR 4334 TI 15+ SOT-23
REF3040AIDBZR 4160 TI 15+ SOT-23
REF5020AIDR 3759 TI 16+ SOP-8
REF5025AIDGKR 7693 TI 15+ MSOP-8
REF5025AIDR 5866 TI 16+ SOP-8
REG113NA-3/3K 6375 TI 15+ SOT23-5
RFANT5220110A2T 48000 WALSIN 16+ SMD
RGP02-20E-E3/54 82000 VISHAY 16+ DO-41
RHRP3060 17467 FSC 14+ TO-220
RJH60F7DPQ 7148 RENESAS 13+ TO-247
RN1907FE 161000 TOSHIBA 15+ SOT-563

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