Mosfet complementario del poder del transistor del Mosfet del poder de IRFP044N
power mosfet ic
,silicon power transistors
MOSFET del poder de IRFP044N HEXFET®
• Tecnología de proceso avanzada
• Grado dinámico de dv/dt
• temperatura de funcionamiento 175°C
• Transferencia rápida
• Completamente avalancha clasificada
Descripción
La quinta generación HEXFETs del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
El paquete TO-247 se prefiere para los usos comercial-industriales donde los niveles de mayor potencia impiden el uso de los dispositivos TO-220. El TO-247 es similar pero superior al paquete anterior TO-218 debido a su agujero de montaje aislado.
Grados máximos absolutos
Parámetro | Máximo. | Unidades | |
---|---|---|---|
Identificación @ TC = 25°C | Corriente continua del dren, VGS @ 10V | 53 | |
Identificación @ TC = 100°C | Corriente continua del dren, VGS @ 10V | 37 | |
IDM | Corriente pulsada del dren | 180 | |
Paladio @TC = 25°C | Disipación de poder | 120 | W |
Factor que reduce la capacidad normal linear | 0,77 | W/°C | |
VGS | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ± 20 | V |
EAS | Solo del de la energía de la avalancha del pulso | 230 | mJ |
IAR | actual de la avalancha | 28 | |
OÍDO | repetidor de la energía de la avalancha | 12 | mJ |
dv/dt | Recuperación máxima dv/dt del diodo | 5,0 | V/ns |
TJ, TSTG | Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | -55 a + 175 | °C |
Temperatura que suelda, por 10 segundos | 300 (1.6m m de caso) | °C | |
Montando el esfuerzo de torsión, 6-32 o el tornillo M3 | 10 lbf•en (1.1N•m) |
Oferta común (venta caliente)
Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
SLB9635TT1.2 | 27768 | 16+ | TSSOP | |
SLB9635TT1.2FW3.19 | 27852 | 16+ | TSSOP | |
UPD16510GR-8JG-E1 | 3074 | NEC | 04+ | TSSOP |
SC16IS740IPW | 2963 | 10+ | TSSOP | |
SC16IS762IPW | 1565 | 13+ | TSSOP | |
SC18IM700IPW | 15672 | 07+ | TSSOP | |
TDA8024TT/C1 | 17562 | 12+ | TSSOP | |
R5F211B1SP#UO | 3310 | RENES | 09+ | TSSOP |
S1A0071X01-RO | 2774 | SAMSUNG | 07+ | TSSOP |
S-8253CAA-T8T1G | 11248 | SEIKO | 16+ | TSSOP |
SII9002CSUTR | 14198 | SILICIO | 07+ | TSSOP |
SIL1162CSU | 4962 | SILICIO | 16+ | TSSOP |
SP3232EEY-L/TR | 17694 | SIPEX | 13+ | TSSOP |
S29AL032D70 | 2813 | SPANSION | 16+ | TSSOP |
SST39VF1601-70-4C-EKE | 8700 | SST | 10+ | TSSOP |
ST3243ECTR-E | 3824 | ST | 07+ | TSSOP |
TS922AIPT | 13012 | ST | 13+ | TSSOP |
RT9284A-20GJ6E | 15962 | RICHTEK | 16+ | TSOT23-6 |
S29GL01GP13TFIV10 | 2339 | SPANSION | 16+ | TSOP56 |
S29GL256P10TFI010 | 15812 | SPANSION | 16+ | TSOP56 |
S29GL256P10TFI020 | 1832 | SPANSION | 16+ | TSOP56 |
S29GL256P90TFCR10 | 1961 | SPANSION | 13+ | TSOP56 |
S29GL256P90TFIR20 | 1712 | SPANSION | 14+ | TSOP56 |
S29GL512P11TFI010 | 1412 | SPANSION | 13+ | TSOP56 |
S29GL512P11TFI020 | 1052 | SPANSION | 14+ | TSOP56 |
SST39VF3201B-70-4I-EKE | 10093 | SST | 16+ | TSOP48 |
SST39VF6401B-70-4C-EKE | 2246 | SST | 16+ | TSOP48 |
TE28F800B5B90 | 1883 | INTEL | 16+ | TSOP48 |
S29AL008J70TFI010 | 23520 | SPANSION | 12+ | TSOP48 |
S29GL032A11TFIR4 | 13118 | SPANSION | 13+ | TSOP48 |

AOZ1021AI Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original

AOZ1210AI Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original

TNY274GN ALCANZAS NUEVAS y originales
Imagen | parte # | Descripción | |
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AOZ1021AI Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 3A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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AOZ1210AI Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 2A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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TNY274GN ALCANZAS NUEVAS y originales |
Converter Offline Flyback Topology 132kHz SMD-8C
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