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Mosfet complementario del poder del transistor del Mosfet del poder de IRFP044N

fabricante:
Fabricante
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 53A TO247AC
Categoría:
Gestión ICs del poder
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Pulsed Drain Current:
180 A
Power Dissipation:
120 W
Linear Derating Factor:
0.77 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 20 V
Single Pulse Avalanche Energy:
230 mJ
Avalanche Current:
28 A
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introducción

MOSFET del poder de IRFP044N HEXFET®

• Tecnología de proceso avanzada

• Grado dinámico de dv/dt

• temperatura de funcionamiento 175°C

• Transferencia rápida

• Completamente avalancha clasificada

Descripción

La quinta generación HEXFETs del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.

El paquete TO-247 se prefiere para los usos comercial-industriales donde los niveles de mayor potencia impiden el uso de los dispositivos TO-220. El TO-247 es similar pero superior al paquete anterior TO-218 debido a su agujero de montaje aislado.

Grados máximos absolutos

Parámetro Máximo. Unidades
Identificación @ TC = 25°C Corriente continua del dren, VGS @ 10V 53
Identificación @ TC = 100°C Corriente continua del dren, VGS @ 10V 37
IDM Corriente pulsada del dren 180
Paladio @TC = 25°C Disipación de poder 120 W
Factor que reduce la capacidad normal linear 0,77 W/°C
VGS Voltaje de la Puerta-a-fuente ± 20 V
EAS Solo … del ‚ de la energía de la avalancha del pulso 230 mJ
IAR  actual de la avalancha 28
OÍDO  repetidor de la energía de la avalancha 12 mJ
dv/dt Recuperación máxima dv/dt del diodo 5,0 V/ns
TJ, TSTG Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento -55 a + 175 °C
Temperatura que suelda, por 10 segundos 300 (1.6m m de caso) °C
Montando el esfuerzo de torsión, 6-32 o el tornillo M3 10 lbf•en (1.1N•m)

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
SLB9635TT1.2 27768 16+ TSSOP
SLB9635TT1.2FW3.19 27852 16+ TSSOP
UPD16510GR-8JG-E1 3074 NEC 04+ TSSOP
SC16IS740IPW 2963 10+ TSSOP
SC16IS762IPW 1565 13+ TSSOP
SC18IM700IPW 15672 07+ TSSOP
TDA8024TT/C1 17562 12+ TSSOP
R5F211B1SP#UO 3310 RENES 09+ TSSOP
S1A0071X01-RO 2774 SAMSUNG 07+ TSSOP
S-8253CAA-T8T1G 11248 SEIKO 16+ TSSOP
SII9002CSUTR 14198 SILICIO 07+ TSSOP
SIL1162CSU 4962 SILICIO 16+ TSSOP
SP3232EEY-L/TR 17694 SIPEX 13+ TSSOP
S29AL032D70 2813 SPANSION 16+ TSSOP
SST39VF1601-70-4C-EKE 8700 SST 10+ TSSOP
ST3243ECTR-E 3824 ST 07+ TSSOP
TS922AIPT 13012 ST 13+ TSSOP
RT9284A-20GJ6E 15962 RICHTEK 16+ TSOT23-6
S29GL01GP13TFIV10 2339 SPANSION 16+ TSOP56
S29GL256P10TFI010 15812 SPANSION 16+ TSOP56
S29GL256P10TFI020 1832 SPANSION 16+ TSOP56
S29GL256P90TFCR10 1961 SPANSION 13+ TSOP56
S29GL256P90TFIR20 1712 SPANSION 14+ TSOP56
S29GL512P11TFI010 1412 SPANSION 13+ TSOP56
S29GL512P11TFI020 1052 SPANSION 14+ TSOP56
SST39VF3201B-70-4I-EKE 10093 SST 16+ TSOP48
SST39VF6401B-70-4C-EKE 2246 SST 16+ TSOP48
TE28F800B5B90 1883 INTEL 16+ TSOP48
S29AL008J70TFI010 23520 SPANSION 12+ TSOP48
S29GL032A11TFIR4 13118 SPANSION 13+ TSOP48

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Común:
MOQ:
10pcs